- IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復合型功率器件。它結合功率MOSFET的工藝技術，將功率MOSFET和功...
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IGBT 使用 設計
- 有關IGBT你了解多少，IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)...
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IGBT 基礎知識
- 1.IGBT的模型IGBT的模型在教科書上能找到，其柵極G，相當于一個數納法(nF)的小電容(暫時這樣認為)，這與MOS...
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IGBT 驅動電路 細節設計
- 一、概述12脈沖整流器的由來對于直流來說不存在什么功率因數問題，因為直流的電流和電壓永遠是同相...
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12脈沖 IGBT 高頻整流器
- IGBT技術不能落后于應用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應用的需求。與目前逆變器設計 ...
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IGBT 逆變器設計 雜散電感
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IGBT 基礎知識
- 為了優化水冷散熱器散熱能力，保障其可靠工作，引用了傳熱學中的基本原理與公式，以散熱器外形的機械尺寸、水的強制對流換熱系數和水的導熱系數作為參數及變量推導了散熱器水冷熱阻的計算公式。同時為了滿足實際應用，開發了一種專用水冷散熱器熱阻計算和曲線繪制軟件，可以顯示熱阻隨參數變化而變化的各種曲線，也可以直接計算顯示熱阻值。為散熱器的設計中參數的優化選擇提供直觀方便的參考。
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IGBT 大功率 散熱器 熱阻計算
- 針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的35V、單通道柵極驅動器,引言對電能轉換而言，可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中，開關型功率轉換器通常為非隔離式，功率水平相當低(200 W)，并且常常會把電
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IGBT MOSFET 柵極驅動器
- 摘要：針對采用IGBT的軟開關三電平變換器中IGBT關斷過程存在的電流拖尾現象，以及基本三電平拓撲變壓器次級存在的電壓過沖和電壓振蕩現象，提出了改進型ZVZCS三電平結構。該結構在基于拓撲的三電平橋臂側和兩電平橋臂
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三電平變換器 ZVZCS 輔助網絡 IGBT
- IGBT礎知識大全,有關IGBT你了解多少，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體
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IGBT 礎知識大全
- Tokyo Electron Device Limited(本社: 橫濱市神奈川區，代表董事·總裁: 栗木 康幸，以下簡稱 TED)開發出在 1 塊基板上實現 1700V/1200A 等級 IGBT 控制且搭載光纖接口的 IGBT 驅動板 “TD-BD-IGFB05K”， 并將于 2013 年 4 月 17 日開始銷售。
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TED IGBT 太陽能
- 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A額定電流型款。
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美高森美 IGBT
- 對于目前的高功耗工業應用，設計人員傳統上對IGBT驅動器使用分立器件，導致整體設計復雜性和系統成本大大提高。 為了幫助設計人員克服這一缺點，飛兆半導體(NYSE代碼： FCS)推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能柵極驅動光電耦合器。 該器件是一個先進2.5A的輸出電流IGBT驅動光電耦合器，可驅動大部分1200V/150A IGBT。
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飛兆 光電耦合器 FOD831 IGBT
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日提升絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 選型工具的性能，以優化多種應用的設計過程，包括馬達驅動器、不間斷電源 (UPS)、太陽能逆變器及焊接等應用。
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IR IGBT
- IGBT知識梳理,有關IGBT你了解多少，今天就隨小編一起來系統的了解一下IGBT吧！IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效
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IGBT
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