- 三菱電機董事技術總監Gourab Majumdar博士日前在PCIM亞洲2012展上會見了記者，深入交流了三菱電機未來的稱霸計劃，并回答了記者的提問。
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三菱電機 IGBT DIPIPM
- 三菱電機最新開發的新MPD系列IGBT模塊，在6月19至21日于上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2012中亮相，大受業內人士歡迎。新MPD系列非常適合水冷散熱設計，是一款散熱性能好、可靠性強的大電流功率模塊。
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三菱電機 MPD IGBT
- 1.引言在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優點，又有功率晶體管的導通電壓低，通態電流大的優點、使用IGBT成為UPS功率設計的
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應用 電源 間斷 IGBT
- 如何采用運放構成RC定時電路設計,當對一根光纖施加輕微壓力使其成V形時，用電池供電的手持式光纖查找器可測量從其中逸出的光線。一對光電管對彎角兩側的模擬電平做比較，以指示是否有光傳輸及其方向，PLL音調解碼器指示多達三種光調制音。想法是用
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定時 電路設計 RC 構成 采用 如何
- 摘要：由于脈沖電源有斷續供電的特性，在很多領域都獲得了廣泛的應用，其中高壓脈沖電源是系統的核心組成部分。為了獲取高重復頻率、陡前沿高壓脈沖電源，文中提出了一種基于IGBT的高壓脈沖電源，系統主要由高壓直流
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電源 研究 設計 脈沖 高壓 IGBT 固態 基于
- 摘要：基于探索大學物理電學實驗仿真技術的目的，采用Multisim10仿真軟件對RC電路時間常數參數進行了仿真實驗測試。從RC電路電容充、放電時電容電壓uC的表達式出發，分析了uC與時間常數之間的關系，給出了幾種Multis
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- 本文介紹了集成續流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。IGBT技術進步主要體現在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優化垂直方向載流子濃度，以及利用ldquo
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IGBT 軟開關 損耗分析
- 富士電子有限公司和芯片廠商英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)攜手為混合動力汽車(HEV)提供功率模塊。這兩家公司于近日在PCIM歐洲展會(地點：德國紐倫堡;時間：2012年5月8日至10日)上宣布，雙方達成一項協議，利用英飛凌的HybridPACK 2功率模塊合作開發汽車IGBT功率模塊。為滿足混合動力汽車的功率模塊的供電安全需求，英飛凌與富士就模塊的尺寸、輸出引腳的位置、針翅銅基板的應用，以及其他機械特性達成一致。該協議包含HybridPACK 2模塊——額定電壓和電流
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英飛凌 富士電子 IGBT HybridPACK 2
- IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功 率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功
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IGBT 系統
- 面對高度競爭化的混合動力車和電動汽車(HEV/EV)市場，動力集成研發工程師正在向更高的系統效率、穩定性和可靠性挑戰。功率逆變器在動力集成系統中至關重要，通常由6個4times;6英寸封裝的IGBT模塊組成。這些IGBT模塊
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Ansoft IGBT HEV EV
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出高度創新的600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT，適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關應用，包括車載直流-直流轉換器、電機驅動器、電池充電器等。
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IR IGBT
- 1 引言絕緣柵雙極晶體管IGBT自上世紀80年代問世以來，由于其輸入阻抗高、開關速度快、通態電壓低、阻斷電壓高、承受電流大的性能，在電力電子領域中得到了廣泛的應用。然而，由于半導體器件本身的材料和結構原因，IG
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控制 技術 電壓 有源 串聯 IGBT
- 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的場截止型(Field Stop) 絕緣門雙極結晶體管(IGBT)，目標應用為工業電機控制及消費類產品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應用于高性能電源轉換方案，適合多種要求嚴格的應用，包括電磁爐、電飯煲及其它廚房小家電應用。
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安森美 IGBT NGTB15N120
- 混合動力電動汽車(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2，最新車型甚至可能把排放量降得更多。但是，HEV需要大功率的成本效益型電源開關，到目前為止，大功率開關產品因為成本高，可靠性達不到汽車應用的期望，而無法適
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