- Spansion發布了其為新興市場設計的NOR VS系列閃存解決方案。該系列旨在使手機OEM廠商能夠提供簡化的、高性能的入門級手機，滿足中國、印度、俄羅斯等手機用戶數量迅速增長地區的需求。 典型的針對新興市場的入門級手機包括從基本的、僅有語音功能的機型到帶有低相素攝像頭及2D游戲的彩屏手機。Spansion® NOR VS系列的容量從16Mb到64Mb，裸片尺寸的減小高達30%，從而使手機OEM廠商能夠開發出比早期產品更具成本效率、性能更高的解決方案。 NOR&nbs
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消費電子 Spansion NOR閃存 消費電子
- ST推出了一個采用65nm制造工藝的PR系列NOR閃存產品。基于第四代多電平單元(MLC)技術，65nm PR系列閃存的軟硬件兼容現有的90nm PR系列NOR閃存，為客戶升級現有系統提供了一條捷徑，同時還提高了存儲密度和產品性能。 為滿足移動應用市場對高分辨相機、多媒體內容和快速聯網的需求，新的65nm PR系列閃存的突發讀取速度達到133MHz，編程速度達到1.0-MB/s，支持深關斷睡眠模式，采用1.8V電源電壓。這個先進的NOR閃存系列產品與LPSDRAM、L
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65nm NOR閃存 ST 單片機 多電平單元 裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 嵌入式系統
nor閃存介紹
flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。
由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是 [
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