- 2011年我們的NOR閃存市場將持續增長。我們看到對NOR閃存的需求在計算機和通信、汽車和工業、消費和游戲等嵌入式市場將保持繼續增加。新的應用還包括提供智能電網支持的基礎設施,以及機器對機器(M2M)無線模塊等應用也會有對NOR閃存有越來越大的需求。大部分嵌入式應用會使用更高質量、可靠性的NOR閃存。系統編碼和數據的整合對于這些應用系統的性能至關重要,不允許任何出錯。尤其對于機頂盒這類注重保護客戶IP的產品,安全性也是一個重要考量。
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NOR閃存 汽車電子
- 據iSuppli公司,由于全球經濟形勢仍然不確定,預計2010年第四季度全球NOR閃存市場連續第二個季度下降。
預計2010年第四季度NOR閃存出貨量下降6%,從第三季度的10.7億個減少到10.1億個。銷售額預計下滑5.3%,從第三季度的11.3億美元降到10.7億美元。
第三季度NOR市場亦萎縮。雖然當季出貨量上升,但平均銷售價格(ASP)下跌,導致銷售額比第二季度下降9.6%。 圖2所示為2010年第一季度到第四季度的NOR閃存銷售額。
綜合來看,第三與第四季度的情況顯示,
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NOR閃存 智能手機
- 據業者透露,臺灣華邦公司最近已經開始為爾必達內存公司代工GDDR顯存芯片產品,其月產能為5000片晶圓。不過,由于華邦認為NOR閃存毛利更高,因 此其保留了部分產能用來制作NOR閃存,這便導致目前華邦公司的GDDR芯片產能僅能滿足爾必達一半的需求。
據業者分析,由于爾必達公司顯存業務量的激增,爾必達目前對華邦GDDR芯片的產能需求在每月1萬片左右,而華邦則被NOR閃存最近的漲價風聲所吸引,增大了NOR閃存的產能,這樣自然就影響到了其GDDR閃存的產能。
華邦計劃到下半年將其NOR閃存芯片的
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爾必達 NOR閃存
- 由于ODM/OEM廠對第2季及第3季的旺季需求期待甚高,芯片缺貨問題持續延燒,除了繪圖芯片及整流二極管持續供貨短缺外,電源管理IC、NOR閃存、LCD驅動IC、功率放大器(PA)等產品線均出現供給缺口。隨著芯片供貨商3月起陸續漲價5%至10%,但電子終端產品價格并未跟進調漲,顯示今年電子生產鏈上肥下瘦已成定局。
根據通路業者指出,今年中國農歷年期間因終端市場需求強勁,大幅去化芯片庫存,去年底就缺貨的繪圖芯片、整流二極管、金氧半場效晶體管(MOSFET)等,現在仍有10%左右的供給缺口,另包括電源
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電源管理 NOR閃存 DRAM
- 經過半年多的積極準備,落戶于外高橋保稅區新發展園區的創憶公司3月4日正式開業。該項目總投資額超過3000萬美元。作為優秀閃存新貴,創憶公司將立足上海,面向亞太地區開創閃存市場的新格局。
作為目前全球最大的NOR閃存制造商的創憶公司,成立于2008年3月,是由英特爾和意法半導體以各自的閃存部門組成的合資企業,擁有技術先進的產品研發和檢測線、和業界領先的相變存儲器開發制造能力。
2009年7月,創憶公司與外高橋保稅區新發展公司簽署了廠房租賃合同,200多名研發人員在占地3700平方米的研發中心
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創憶 NOR閃存
- 據業內人士透露,臺灣內存廠商茂德已經決定要將其設在臺灣新竹科技園區內的12英寸晶圓廠轉讓給旺宏公司,旺宏(Macronix)公司是一家專門制作ROM和NOR閃存的芯 片廠商。據悉轉讓的價格在2.18-2.81億美元左右,預計兩家廠商很快會正式宣布這起交易。不過茂德的發言人曾邦助拒絕就此消息進行評價,只稱茂德會在合適的時候將有關的消息公布出來。
茂德過去一直在為自己設在新竹科技園區的芯片廠尋找買家,據稱此舉曾引起旺宏和聯電的興趣。消息來源并指茂德原計劃在農歷新年到來之前完成交易,不過由于買賣雙方在
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茂德 晶圓 ROM NOR閃存
- 據iSuppli公司,經濟復蘇已帶動長期低迷的NOR閃存市場反彈,類似于整體內存市場的情形。
2009年第四季度總體NOR營業收入為12.3億美元,比第三季度的12.2億美元增長0.7%。
“這標志這個市場連續第三個季度實現環比增長。2009年第一季度形勢非常糟糕,營業額下降到不足10億美元,”iSuppli公司的資深內存與存儲分析師Michael Yang表示,“第四季度NOR閃存營業收入受到來自多個消費產品領域的需求推動,包括液晶電視、手機和電腦。需
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Numonyx NOR閃存 液晶電視
- 業界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購Numonyx公司事宜,并稱其仍對NOR閃存市場抱有興趣。一位市場分析師稱:”我聽說鎂光有可能會收購 Numonyx公司,這說明他們似乎在考慮要成為一家為諾基亞等廠商提供閃存產品服務的一站式廠商。“
此前鎂光已經與Intel公司合資成立了專門生產NAND閃存的IM Flash公司,而Numonyx公司則原來也是Intel內部負責NOR閃存的部門,不過后來Intel將這家公司從Intel分離出來,并成立了Numonyx,他們把這家公司的49%
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Numonyx NAND NOR閃存
- 盡管IC產業在步入2009年的時候還是前景迷茫,但在歲末之際,曾深受經濟危機影響的存儲產業終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長,恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求,擴充產能。一是通過從高節點技術向低節點技術的制程升級,進一步擴大位級產能;二是充分發揮“靈活資產(Asset Smart)”策略的優勢,與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產能。
展望2010年的市場前景,主管恒憶亞洲區嵌入式業務及渠道的銷售副總裁龔翊表示:“作為全球存儲器解
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Numonyx NAND NOR閃存 PCM
- 盡管 IC 產業在步入 2009 年的時候還是前景迷茫,但在歲末之際,曾深受經濟危機影響的存儲產業終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長,恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求,擴充產能。一是通過從高節點技術向低節點技術的制程升級,進一步擴大位級產能;二是充分發揮“靈活資產(Asset Smart)”策略的優勢,與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產能。
展望2010年的市場前景,主管恒憶亞洲區嵌入式業務及渠道的銷售副總裁龔翊表示:“作為全球
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Numonyx NAND NOR閃存
- iSuppli指出,Numonyx趁對手Spansion遇到麻煩之際,在第二季度重回NOR閃存廠商排名榜首。
Numonyx第二季度NOR閃存收入攀升至3.8億美元,較第一季度增長5000萬美元。Numonyx第二季度在NOR閃存中的市場份額達到34.6%。
iSuppli同時指出,Spansion第二季度收入減少2200萬美元至3.76億美元,市場份額降至34.2%。
iSuppli公司移動存儲資深分析師Michael Yang指出,Numonyx和Spansion今年的排名爭奪非
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Numonyx NOR閃存 存儲代碼
- 在過去五年,Spansion 和恒憶一直在拼命爭搶 NOR 閃存市場的頭把交椅,曾數次輪流坐莊。 雖然經歷了并購、擴張和剝離,但它們之間的競爭并沒有減弱,都想抓住任何機會來壓倒對方。據 iSuppli 公司,第二季度輪到恒憶領先,成為 NOR 市場的老大。然而,它的優勢非常微弱,只領先 1.1 個百分點。
在第二季度,恒憶營業收入達到 3.8億美元,Spansion 是3.76億美元。恒憶第二季度取得明顯增長,但第一季度營業收入只有 3.3 億美元。與此同時,Spansion 公司的營業收入低于
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Numonyx NOR閃存 汽車電子
- NAND和mDRAM激增,NOR-less機型增多
手機內存內容是否正在發生根本性變化?
在相對較短的時間內,隨著手機從商用工具發展成隨處可見的大眾通信工具,手機所使用的內存一直基于NOR閃存與SRAM的組合,最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是,這種內存配置正在面臨使用移動DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰。
這種轉變的背后,是因為市場需要大容量、低成本數據存儲用于保存語音/音樂、照片和視頻,NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機RAM
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手機 NOR閃存 pSRAM DRAM NAND閃存 iSuppli
- 全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion(NASDAQ:SPSN)日前宣布,公司榮獲由中國數字視訊龍頭企業同洲電子頒發的最佳合作伙伴獎。為同洲電子提供高容量、安全存儲產品的Spansion是唯一獲得這一殊榮的NOR閃存供應商。
在雙方已逾三年的合作中,Spansion為同洲電子銷往國內外的機頂盒產品提供了一系列豐富的MirrorBit NOR®閃存解決方案。
“中國消費者對具有更先進功能的機頂盒產品的需求在日益增加,”同洲電子總裁袁明表示,&ldquo
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Spansion 同洲電子 機頂盒 OEM NOR閃存
- Spansion宣布,其MirrorBit® NOR閃存已完成在MediaTek主流手機參考設計平臺上的預先驗證。MediaTek總部位于臺灣,是全球前十大提供無線通信和數字媒體解決方案的半導體芯片設計公司之一。在MediaTek參考設計平臺上完成對Spansion閃存解決方案的預先驗證,將使生產商能夠將具有成本效率的高性能手機更快地推向中國及其它高速增長市場。 在未來幾年內,中國將成為推動新型手機發展的全球三大主要地區之一。對于希望在新興地區增加新用戶的運營商及OEM廠商而言,主流手機
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消費電子 Spansion NOR閃存 MediaTek 消費電子
nor閃存介紹
flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行,所以大多數情況下,在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的,而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。
由于擦除NOR器件時是以64~128KB的塊進行的,執行一個寫入/擦除操作的時間為5s,與此相反,擦除NAND器件是 [
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