- 雖然所有領先指標都顯示2013年下半年將恢復季節性增長，但包括半導體在內的電子元件產業目前訂單情況遜于當前市場復蘇階段的預期水平。據IHS公司的元件價格走勢追蹤服務，這種需求缺口可能限制今年電子元件市場的增長幅度。
2013年商品類芯片的總體前景仍然堅挺，預計半導體營業收入增長4.8%，盡管該市場的各個領域不會同樣強勁。
在假日季節之前的這個時期，MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動沒有呈現出通常的水平。這個階段通常出現交貨期延長和價格上漲現象，而目前尚未看到這些情況。同時，消費電子、汽
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電子元件 MOSFET
- 歡迎來到電源設計小貼士！隨著現在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強調，我們創建了該專欄，就各種電源管理...
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工作頻率 MOSFET Pcon
- 飛兆半導體公司是高性能功率半導體和移動半導體解決方案的全球領先供應商，通過引入 100 V BoostPak 設備系列優化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉換器應用中目前使用的分立式解決方案。
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飛兆 MOSFET LED
- 安森美半導體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機及平板電腦應用，作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關的關鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。
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安森美 MOSFET 鋰離子電池
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導通電阻擴展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴大為6A～105A。
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Vishay E系列 MOSFET
- 什么是功率MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實現開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信...
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功率 MOSFET 基礎知識
- 一、引言電力電子設備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數和低成本的方向發展，功率器件則要求高速、...
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IGBT MOSFET
- 日前，集設計，研發一體的著名功率半導體及芯片供應商萬國半導體(AOS, 納斯達克代碼: AOSL)發布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產品，為眾多設備追求極致效率提供了解決方案。
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AOS AON6250 MOSFET
- 高分辨率、緊湊有源整流橋應用(如網絡攝像機)中的過熱可能導致圖像質量問題。 同樣，熱致噪聲可能影響系統的圖像傳感器，也會降低相機的圖片質量。 調節熱波動的典型散熱解決方案會增加元件數量，占用電路板空間，讓這些設計變得更復雜。
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飛兆 FDMQ86530L MOSFET
- 我們在做電路設計中三極管和MOS管做開關用時候有什么區別。工作性質：1.三極管用電流控制，MOS管...
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MOSFET 三極管
- 本應用筆記提供了一個低功耗投影儀RGBLED驅動器的參考設計。基于單芯片MAX16821構建大電流LED驅動器，能夠為...
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MOSFET 降壓轉換器 RGB LED
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術的電壓擴展至150V。
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Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP
- 針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的35V、單通道柵極驅動器,引言對電能轉換而言，可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中，開關型功率轉換器通常為非隔離式，功率水平相當低(200 W)，并且常常會把電
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IGBT MOSFET 柵極驅動器
- 在綠色能源和節能計劃的帶動下，加之出口回升，預計今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經濟體的形勢好轉。功率MOSFET廣泛用于多種電子產品與系統之中。
據IHS公司的中國研究專題報告，今年中國功率MOSFET產業的營業收入預計為22.5億美元，比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。
明年增長將更加強勁，預計營業收入上升11%，隨后每年將保持穩定增長，至少保持到2017年。到2017年，預
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消費電子 MOSFET
- 常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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MOSFET 功率器件
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