SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發出采用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET，并已建立完整量產機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業用變流器等設備的功率損耗。
羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結構專利，目前已開始量產。
羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
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ROHM SiC-MOSFET
導讀：本文主要介紹的是高頻開關電源的原理，感興趣的盆友們快來學習一下吧~~~很漲姿勢的哦~~~
1.高頻開關電源原理--簡介
高頻開關電源，其英文名稱為Switching Mode Power Supply，又稱交換式電源、開關變換器以及開關型整流器SMR，它是一種高頻化電能轉換裝置。其功能是將一個位準的電壓，透過不同形式的架構轉換為用戶端所需求的電壓或電流。它主要是通過MOSFET或IGBT的高頻工作，開關頻率一般控制在50-100kHz范圍內，實現高效率和小型化。
2.高頻開關電源原
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開關電源 MOSFET 高頻開關電源原理
SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應用在高頻轉換器上，為重型電機、工業設備帶來高效率、大功率、高頻率優勢。。。。。。。據調查公司Yole developmet統計，SiC Mosfet現有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預見，SiC即將成為半導體行業的新寵!
SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優勢：
i. 低導通電阻RDS
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SiC Mosfet DC-DC
全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發出采用溝槽結構的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產體制。與已經在量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用逆變器等所有相關設備的功率損耗。
另外，此次開發的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產品，目前已建立起了完備的功率模塊產品的量產體制。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產基地為
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ROHM SiC-MOSFET
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉換器的功率密度。新產品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設計針對負載點轉換器，為專用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標應用包括以太網絡控制器、路由器、網絡接口控制器、交換機、數字用戶線路適配器、以及服務器和機頂盒等設備的處理器。
降壓轉換器可利用獨立的脈沖寬度調制控制器及外部MOSFET來提升設計靈活性，
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Diodes MOSFET
宜普電源轉換公司宣布推出3個采用具有更寬間距連接的布局的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)。這些產品采用具有1 mm間距的焊球，進一步擴大EPC的“寬間距”器件系列。更寬闊的間距可在器件的底部放置額外及較大的通孔，使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)實現大電流承載能力。
與具有相同的電阻的先進硅功率MOSFET器件相比，這些全新晶體管的尺寸小很多及其開關性能高出很多倍，是高頻DC/DC轉換器、DC/DC及AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器及D
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宜普電源 MOSFET
本系統的電路板已經設計成功并投入實際測試，系統電路板如圖7.1所示。
對鋰電池組管理系統的測試主要包括電壓采集、溫度采集、電流檢測、過充和過放電保護功能、短路保護功能、溫度保護功能等內容。
7.1電壓采集功能測試
測試電壓采集功能時，首先按圖7.2所示方法連接系統。
將鋰電池組、保護器和上位機連接好后，用4位半高精度萬用表對所有單體鋰電池的電壓(用電池組模擬器產生)進行測量，并觀察上位機應用程序顯示的數據，進行比較和記錄。
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鋰離子電池 MOSFET
引言
長期以來，電動機作為機械能和電能的轉換裝置，在各個領域得到了廣泛應用。無刷直流電動機綜合了直流電動機和交流電動機的優點，既具有交流電動機結構簡單、運行可靠、維護方便的特點，又具有直流電動機運行效率高、調速性能好的優點。正是這些優點使得無刷直流電動機在當今國民經濟的很多領域得到了廣泛的應用。無刷直流電動機采用電子換向裝置，根據位置傳感器檢測到的位置信號，通過DSP(數字信號處理器)產生一定的邏輯控制PWM波形來驅動電動機，實現無刷直流電動機的平穩運轉。近年來，隨著工業的快速發展，對產品性能的
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DSP MOSFET
1 MIL-STD-1275D 的要求
MIL-STD-1275D 定義了各種情況，最重要的是，對穩定狀態工作、啟動干擾、尖峰、浪涌和紋波情況做出了規定。MIL-STD-1275D 針對 3 種獨立的“工作模式”制定了對上述每一種情況的要求：啟動模式、正常運行模式和僅發動機模式。
在描述尖峰、浪涌、紋波以及其他要求的細節之前，先來看一下工作模式。毫不奇怪，“啟動模式”描述的是引擎啟動時發生的情況;“正常運行模式”描述的
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凌力爾特 MIL-STD-1275D 浪涌 MOSFET 紋波
目前世界每年所生產的800萬輛汽車之中，傳統的12V電池系統仍然是主導技術，用來為電動汽車提供電源，汽車電氣化的趨勢會繼續加重12V電池系統的負擔。現在，總負載已經輕松達到3 kW或更高。更具創新性的信息娛樂系統(例如數字視頻和觸摸屏);更復雜的安全特性，如電子駐車制動器(EPB)，防抱死制動系統(ABS);和節油功能，如電子動力轉向(EPS)，起停微混合，48V板網結構……，都能將功率要求提到更高的水平。另一方面，嚴格的整體要求主要在于促進降低油耗，混合和電動汽車迅速增長
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COOLiRFET MOSFET DPAK PQFN 硅片
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4 設計趨勢
目前BCM設計技術日新月異，主要的趨勢是平臺化靈活性更高，集成度更高和分布式設計者三大方向。另外隨著ISO26262安全規范的推行，關于功能安全的考慮在BCM設計中將會得到更多的體現。
4.1 集成度和靈活性
隨著汽車電子的發展，目前BCM設計的趨勢是平臺化和高集成度化兩個趨勢。平臺化SBC、SPI器件、共用ADC，以及高低邊可配等。 主要通過器件的兼容性來實現。集成度主要是提高器件的集成度，例如采用系統基礎芯片將電源、CAN收發器、LIN收發器集成到一個
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BCM ECU LED 負載 MOSFET SPI
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2.2 驅動類型
在BCM設計中涉及到許多負載，對應不同的負載會采用不同的驅動類型，主要包括開關驅動和LED驅動兩類。
2.2.1 開關驅動
驅動類型主要是從驅動負載的電路拓撲加以考慮，主要有高邊驅動、低邊驅動、半橋驅動和全橋驅動(包括兩相全橋和三相全橋)四種，如圖8所示。
這四種拓撲常采用開關器件來實現，開關器件種類很多，其中常見的有機械開關和半導體開關兩種，出于能效和壽命方面的優勢，目前半導體開關是BCM設計中的主流選擇。半導體開關中有三極管、MOSFET和I
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BCM ECU LED 負載 MOSFET MCU
1 汽車電氣化要求系統設計者提高電源密度
由于嚴格要求降低CO2污染和提高燃料經濟性，汽車制造商更加積極地尋找電氣解決方案(所謂的“汽車電氣化”)。用創新型電子電路代替機械解決方案(例如轉向系統、繼電器等)如今已成了主流趨勢。然而，汽車電氣化的趨勢會繼續加重12V電池系統的負擔。現在，總負載能夠輕松達到3 kW或更高，還有很多汽車應用將汽車的電力負載提高到更高的水平。
節油功能(例如電動助力轉向(EPS)、啟停微混合和48V板網結構)、更復雜的安全特性(例如電動駐車
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MOSFET DPAK SO-8 PQFN PCB
有線、無線網絡以及云計算的快速膨脹，這是擺在人們眼前的重要趨勢。這一上層的大趨勢，帶動了下層的硬件及其組成部分的發展趨勢。網絡吞吐量的迅速攀升，需要強大而復雜的FPGA和處理器等來做性能支持。而這，需要高性能、高可靠的電源模塊來作保障。
最近，Intersil發布了最新的50A密封式數字電源模塊ISL8272M，從它我們可以看出電源模塊領域的一些最新趨勢。
Intersil公司高級應用經理梁志翔介紹說，Intersil開發電源模塊產品的歷史大概要從2008年開始算起，ISL8272M可以說
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Intersil ISL8272M MOSFET 201504
噪聲通常指任意的隨機干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質內部微粒作無規律的隨機熱運動而產生的，常用統計數學的方法進行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網絡和系統中，因此噪聲測量主要指電子元件和器件、網絡和系統的熱噪聲和特性的測量。
附加相位噪聲測試技術及注意事項
本文簡單介紹了相位噪聲的定義，詳細介紹了附加相位噪聲的測試過程，給出了實際的測試結果，指出了附加相位噪聲測試過程中的一些注意事項，希望對附加相位噪聲測試人員有一定的借鑒意義。
用于4G-LTE
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模塊電源 MOSFET
nch mosfet介紹
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