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詳解TINY6410硬件電路設(shè)計(jì)之二
- 書接上回， CPU，NANDFLASH和SDRAM是嵌入式系統(tǒng)中最重要的三個(gè)組成部分。作為嵌入式系統(tǒng)的神經(jīng)元NANDFLASH，上回得到了充分的分析，不知道你還有印象沒有。這次我們來分析下友善的TINY6410的心臟--SDRAM部分。之所以說其為嵌入式系統(tǒng)的心臟，是因?yàn)榍度胧较到y(tǒng)在運(yùn)行過程中，操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序等都在其中。如果沒有該部分，嵌入式系統(tǒng)可以裸機(jī)運(yùn)行，這樣就失去了嵌入式系統(tǒng)的優(yōu)勢。 S3C6410支持兩個(gè)DRAM片選，可以分別最大接256MB的內(nèi)存。片內(nèi) DRAM控制器是來自ARM的
- 關(guān)鍵字： TINY6410 SDRAM NANDFLASH
詳解TINY6410硬件電路設(shè)計(jì)之一
- 對于嵌入式硬件工程師來說，在不同的公司有不同的待遇和工作：在研究所之類的國企，你有充足的時(shí)間和關(guān)系來完成嵌入式的硬件設(shè)計(jì)，在面對市場的企業(yè)，你必須有直面問題，解決問題的能力。企業(yè)以利益最大化為目標(biāo)進(jìn)行日常操作，這就不奇怪企業(yè)為了節(jié)省成本來進(jìn)行硬件電路的修改。對于嵌入式來說，有三個(gè)部分是最重要的，那就是CPU，NANDFLASH電路和SDRAM電路。這三個(gè)部分可以看作是整個(gè)嵌入式系統(tǒng)的大腦，神經(jīng)元和腦容量。只有三者配合良好，性能最優(yōu)才算是嵌入式系統(tǒng)可以工作，剩余的工作就是端口的擴(kuò)展了。我接觸的第一塊AR
- 關(guān)鍵字： TINY6410 S3C6410 NANDFLASH
NAND Flash產(chǎn)值上看270億美元 3D-NAND受矚
- 智能手機(jī)、平板電腦存儲(chǔ)容量的進(jìn)一步提升，PC行業(yè)由機(jī)械硬盤向固態(tài)硬盤的逐步轉(zhuǎn)換，是NAND Flash行情火爆的根本原因。NAND Flash的產(chǎn)值在未來還有上升的空間，因?yàn)槭袌鲞€遠(yuǎn)未達(dá)到飽和。
- 關(guān)鍵字： 三星電子 3D-NANDFlash
嵌入式系統(tǒng)基礎(chǔ)之：實(shí)驗(yàn)內(nèi)容——使用JTAG燒寫Nand Flash
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： JTAG NANDFlash 嵌入式系統(tǒng)
一種嵌入式設(shè)備中NAND Flash 存儲(chǔ)系統(tǒng)解決方案
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： 嵌入式設(shè)備 NANDFlash 存儲(chǔ)系統(tǒng)
基于ARM9內(nèi)核Processor外部NANDFLASH的控制實(shí)現(xiàn)
- NANDFLASH NAND寫回速度快、芯片面積小，特別是大容量使其優(yōu)勢明顯。頁是NAND中的基本存貯單元，一頁一般 ...
- 關(guān)鍵字： ARM9內(nèi)核 Processor NANDFLASH
51單片機(jī)控制K9K8G08U0C NAND Flash讀寫程序
- #include STC12C5A60S2.H>#include intrins.h>#include SMG.h>/************************************* ...
- 關(guān)鍵字： 51單片機(jī) K9K8G08U0C NANDFlash
基于Nand+Flash存儲(chǔ)管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： NandFlash 存儲(chǔ)管理 DSP系統(tǒng)
nandflash介紹
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時(shí)候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時(shí)需要同時(shí)指定邏輯塊號(hào)和塊內(nèi)偏移。應(yīng)用程序?qū) AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然后每塊又分成頁，頁 [ 查看詳細(xì) ]
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