- 宜鼎國際布局云端SSD市場，找來美超微和東芝一起搶商機。李建梁攝云端NAND Flash儲存陣列市場需求即將大爆發，美商都已卡好位，臺灣也拿到第一張參與競賽的門票。由日商東芝(Toshiba)、美商美超微(Supermicro)，以及臺系存儲器模組廠宜鼎國際三方合資的新公司正式成立，臺方掌握主導權，由于首波客戶瞄準金融和電信業者，因此邀請101董事長宋文琪夫婿徐善可擔任董事長。
一般講到云端儲存商機，第一個聯想到固態硬碟(SSD)，這是NAND Flash大廠如三星電子(Samsung Elec
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SSD NAND
- 根據德意志銀行(Deutsche Bank)的分析報告， 2015年第二季全球市場對半導體元件的需求持續疲弱，主因是部分亞洲PC組裝業者表示，部分零組件的采購量與 2014年同季相較，減少了15~20%;不過在近五年拜訪了近30家臺灣、韓國與日本業者的該銀行分析師指出：“iPhone供應鏈與汽車市場仍然是表現亮眼。”
德意志銀行的報告也顯示，平板電腦、電視以及許多Android手機的晶片需求亦呈現衰弱，該銀行對整體晶片產業領域發展的評等為中性。“在中國智慧型手
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PC NAND
- 在三星(Samsung)、美光(Micron)、SK Hynix及東芝(Toshiba)等快閃記憶體大廠力拱下，消費性固態硬碟(SDD)及用戶端(Client)SSD產品預計將自今年下半年開始加速采用更高性價比的3D NAND方案，并可望在2016年完全進入3D世代;而企業與資料中心應用由于對SSD可靠度要求等級較高，預估將自2016下半年后才會轉換至3D NAND規格。
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NAND SSD
- 在設計和推廣固態存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)今日宣布旗下SM2256 SATA(6Gb/s)客戶端SSD控制器現支持Micron(鎂光)新推出的16nm 128Gb TLC NAND 閃存，有助實現優異的性能和無可比擬的可靠性，成就新一代高性價比的TLC SSD產品。
SM2256是世界上首款支持Micron 16nm TLC NAND的SSD控制器，同時也是市場上性能最佳、成本最優
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NAND SM2256
- 固態硬碟(SSD)規格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態硬碟開發商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價格優勢的新產品。
固態硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協助SSD廠商開發
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NAND SSD
- 固態硬碟(SSD)規格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態硬碟開發商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價格優勢的新產品。
固態硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協助SSD廠商開發
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NAND SSD
- 近期固態硬盤大降價，刺激了SSD晶元代工市場。
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SSD NAND
- TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新調查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及 2015年度蘋果(Apple)新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季擺脫供過于求，轉為供需較為平衡的格局。
從供給面來觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續宣布3D-NAND Flash的量產時程，但嵌入式產品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預估2015年3D-NAND Flash的產出比
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TrendForce NAND
- TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新調查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季將擺脫供過于求，轉為供需較為平衡的格局。
從供給面觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續宣布3D -NAND Flash的量產時程，但嵌入式產品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預估，2015年3D-NAND Flash的產出比重將僅
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TrendForce NAND Flash
- 在存儲器芯片市場上，垂直堆疊結構的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大，全球企業間的競爭也將漸趨激烈。
據韓國MT News報導，2016年前3D V-NAND市場規模預估將擴大10倍，而除目前獨占市場的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導體廠加速生產V-NAND。三星獨大V-NAND市場，為拉大與后起業者的差距，生產產品將從目前的32層堆疊結構，增加到48層。
外電引用市調機構IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術分類，V-N
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三星 V-NAND
- 固態硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協助SSD廠商開發價格媲美傳統硬碟的產品，驅動SSD在筆電、工控、企業端及消費性儲存市場出貨量翻揚。
慧榮科技產品企畫處副總經理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上，主要因素在于SSD開發商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
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3D NAND SSD
- 在經歷多次市場價格的大起大落后，全球存儲器芯片產業終于在近年來邁向整合，使得定價漸趨穩定。不過，近來存儲器大廠新帝(SanDisk)接連2季下修預測數據，并歸因于快閃存儲器的價格下滑，引發外界質疑新興的穩定機制是否為曇花一現的假象，又或現狀僅是個別公司所遭遇的瓶頸。
據Barron's Asia報導指出，眼下雖然存儲器芯片價格有所衰退，但許多專家仍對整體產業抱持樂觀態度，認為與2014年積弱不振的表現相比，快閃存儲器的市場供需平衡現已漸入佳境，多數問題的發生恐是因公司而異，并非普遍的業界趨勢。
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存儲器 3D NAND
- 固態硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協助SSD廠商開發價格媲美傳統硬碟的產品，驅動SSD在筆電、工控、企業端及消費性儲存市場出貨量翻揚。
慧榮科技產品企畫處副總經理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上，主要因素在于SSD開發商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
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3D NAND SSD
- 2014年NAND flash銷售數據出爐，IHS報告稱，前四大業者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產品出包遭蘋果召回，市占和業績雙雙下滑。
BusinessKorea報導，IHS 13日報告稱，三星電子穩居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
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三星 NAND flash
- 近年來，固態硬盤似乎已經成為了計算機的標配。而隨著SSD的普及，人們對于速度和容量的渴求也在迅速膨脹。為了能夠在單顆閃存芯片上塞下更大的存儲空間，制造商們正在想著3D NAND技術前進。與傳統的平面式(2D)設計相比，垂直(3D)堆疊能夠帶來更顯著的容量提升。但是最近，一家名為Stifel的市場研究公司卻發現：為了實現這一點，制造商們正在砸下大筆投資，而這種成本壓力卻無法在多年的生產和銷售后減退多少。
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影響利潤的一個主要原因是，3D NAND芯片的生產，比以往要復雜得
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3D NAND SSD
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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