首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
        EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand

        nand 文章 最新資訊

        匯聚中國移動行業生態系統領導廠商 第二屆閃迪年度客戶研討會圓滿舉行

        •   全球領先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司今日宣布,來自移動設備、平板電腦和消費類電子產品行業生態系統的300多位領導廠商本周齊聚中國深圳,參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會。本次活動于8月26日舉行,囊括了中國及世界各地極具影響力的領先移動科技公司(包括幾乎所有領先芯片組供應商的代表),共同探討塑造移動互聯市場的新技術、新應用、新趨勢和閃存技術演進。Future Proof Storage 研討會邀請了移動行業中的十幾位領導者擔任演講嘉賓
        • 關鍵字: 閃迪  智能手機  NAND  

        終端需求多元化帶動NAND Flash市場穩健增長

        •   TrendForce旗下內存儲存事業處DRAMeXchange最新調查顯示,由于智能手機、平板電腦等移動裝置需求穩健增長,固態硬盤在筆記本電腦以及服務器與數據中心的需求增加,而物聯網應用也將逐漸導入NANDFlash,2015年NANDFlash整體產業規模將提升至266億美元,年增長9%。   DRAMeXchange研究協理楊文得表示,2014年NANDFlash需求位增長率為36%,在更多元化的產品開始導入NANDFlash的挹注下,2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
        • 關鍵字: NAND Flash  穿戴性裝置  

        第二季NAND Flash品牌廠商分析與營收排行

        • 今年第二季NANDFlash品牌供貨商營收達76.49億美元,季成長5.6%,隨著智能手機與平板電腦等進入出貨旺季,仍可望提升NANDFlash下半年的市場表現。
        • 關鍵字: Intel  NAND  

        三星、東芝競擴產NAND Flash報價恐跌三成

        •   全球NANDFlash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續大于需求,預估NANDFlash今年底報價將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續至2018年。   市調機構IHSiSuppli最新報告預測,NANDFlash今年底報價將跌至0.49美元每GB,遠低于去年的0.71美元,預估2018年將進一步跌至0.14美元,其間年復合成長率為負的28%。   NANDFlash產出過多是導致價格崩跌的主因,若以1GB等量單位計算,IHSiSuppl估計,2018年NANDFlash產出將自2013年的
        • 關鍵字: 東芝  NAND   

        Spansion全新閃存設備不懼熱力來襲

        •   并非所有的嵌入式應用都“生而平等”。在設計者們繼續尋求途徑改善用戶體驗和性能等方面的過程中,一個必須考慮的重要因素是嵌入式應用的運行環境。從北極地區冰冷刺骨的戶外天線,到美國德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機,嵌入式應用所需支持的環境千差萬別。嵌入式系統及其組件不僅須支持高溫環境下功能運作,還必須保持其交流和直流參數以及其它規格要求。如果在極端溫度范圍內無法滿足所有規格要求,必須做出得失權衡,就必須記錄下這一信息,并在設計過程中進行共享。在汽車、消費、工業、游戲、網絡或通信應用中,
        • 關鍵字: Spansion  NAND  FL1-K  

        Marvell推出最新一代SATA SSD控制器,憑借開創性LDPC技術支持TLC NAND閃存

        •   全球整合式芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達克代碼:MRVL)今日宣布,推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業界領先的產品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯、低密度奇偶校驗(LDPC)技術,使消費類及企業級SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲系統的總體成本,功耗更低,并提供無與倫比的性能。  Marvell公司總裁、聯合創始人
        • 關鍵字: Marvell  控制器  NAND  

        半導體是電子工業發展的基石(下)

        •   科研投資   日本資深專業人士泉谷涉還說:2012年日本國內半導體產值約5萬億日元,占GDP的5%,但它對應用半導體的服務業、硬件業以及通過IT業以提高生產力的下游產業來計算,半導體產生的經濟效益約為100萬億日元 ,兩者之比達到1:20,如此給力,誰不動心?!但是,半導體業又一向被稱為“食金蟲”產業,沒有國家的大力支持,沒有生產設備和科研經費的巨大投入,那是美夢難圓的。   半導體設備投資也是引導世界經濟增長的要素之一,它每年投資計劃的發表還常關聯到生產設備、材料公司的股
        • 關鍵字: 半導體  NAND  IC  201405  

        半導體是電子工業發展的基石(上)

        •   智慧之石  作為電子工業發展基礎的電子器件,已經歷了三個巨大變革時代:1.?電子管時代――1905~1947(42年);2.?晶體管時代――1947~1958(11年);3.?集成電路時代――1958~…(到2014年已有56年)。  電子管的發明拉開了電子時代的序幕,為當時蓬勃發展的無線電報事業提供了核心器件,在它存在的40多年的時間里,推動了收音機、電視機、雷達、計算機的發明和應用。美國是電子工業發展的代表,1920年即開始廣播,也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
        • 關鍵字: NAND  DRAM  PC  201404  

        2013年第四季NAND品牌供應商營收下滑4.5%

        •   全球市場研究機構TrendForce 旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange 表示,在NAND Flash業者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀,導致產出成長高于后續實際需求而讓市況呈現供過于求,以及SK海力士(Hynix)火災影響 NAND 產能調配等因素下,2013年第四季 NAND Flash 品牌供應商營收較第三季下滑4.5%,來到61億6,800萬美元。   2013年全年整體市況與供需產銷較2012年改善不少,因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
        • 關鍵字: NAND  DRAM  

        布局存儲器封測 臺廠競爭卡位

        •   存儲器大廠美光擴大委外封裝合作,東芝新廠可望今年量產。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局,今年存儲器封測競爭卡位,勢必激烈。   展望今年,國際存儲器大廠集中資源開發前端制程,包括動態隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外,封測臺廠考量自身發展,積極與國際大廠洽商合作。   美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(Elpida),提高美光全球DRAM市占率約1倍。   為進一步集成DRAM封測業務,去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
        • 關鍵字: 存儲器  NAND  

        武漢新芯:定位存儲器制造,兩年后或推3D NAND

        • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起獨立經營,是國有制企業。為了區別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等,XMC將立足存儲器制造。近日,武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
        • 關鍵字: XMC  存儲器  NOR  NAND  201401  

        ARM11 S3C6410系列教程之四:NANDflash操作

        • 在本章開始之前,我們先來看下ARM11S3C6410內部結構:
        • 關鍵字: ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  

        武漢新芯:已建成IP體系,欲以存儲器為特色

        • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導體企業,2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區投資,并由東湖高新區管理的全資國有企業,前幾年委托SMIC(中芯國際)經營管理,從2012年底起獨立經營。
        • 關鍵字: XMC  存儲器  NAND  

        東芝推出采用19納米第二代工藝技術的新型嵌入式NAND閃存模塊

        • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC),該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC?[1]標準,旨在應用于智能手機、平板電腦和數字攝像機等廣泛的數字消費品。批量生產將從11月底開始。
        • 關鍵字: 東芝  嵌入式  NAND  

        基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統中的應用

        • 摘要: NAND Flash應用的困難在于管理和需要特殊的系統接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結合I/O口來實現NAND Flash存儲結構的搭建和管理的方法,并介紹底層的驅動程序。
        • 關鍵字: Flash  嵌入式  MCU  存儲器  NAND  寄存器  201312  
        共1140條 40/76 |‹ « 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 » ›|

        nand介紹

        一般快閃記憶體可分為二大規格,一是NAND,一是NOR. 簡單的來說,NAND規格快閃記憶體像硬碟,以儲存數據為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。 NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]

        相關主題

        熱門主題

        V-NAND    NANDFlash    樹莓派    linux   
        關于我們 - 廣告服務 - 企業會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
        Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
        備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473
        主站蜘蛛池模板: 玉门市| 西乡县| 惠水县| 若尔盖县| 潮安县| 昔阳县| 宜都市| 托里县| 邵阳县| 松江区| 会同县| 平塘县| 南木林县| 呼图壁县| 财经| 镇坪县| 永靖县| 霍山县| 福州市| 敦化市| 阿城市| 隆化县| 深水埗区| 江北区| 澄城县| 西充县| 上杭县| 松江区| 天等县| 青田县| 马关县| 莱州市| 陇南市| 讷河市| 汉中市| 盐城市| 吉首市| 柳江县| 高雄市| 奉化市| 丹阳市|