nand 文章進入nand技術社區

中國必須建設自主存儲，為什么？

在即將到來的物聯網的世界里，NAND的應用會非常廣泛，作用也會愈發重要，出現的各種裝置和新興應用都會用到NAND。
關鍵字： NAND 長江存儲

東芝是大股東的群聯董事長：東芝芯片會賣給日資

　　東芝半導體事業各路人馬搶親，包括鴻海集團等展現高度意愿，東芝是群聯大股東，對于東芝內存出售案，但長期和東芝半導體合作的群聯董事長潘健成分析，東芝不可能被單一企業或公司買下。他推斷最后結果，將會由日本境內私募基金或現有股東拿下，仍會維持原有東芝控制權，再讓部分策略合作伙伴持有少數股權入股。　　潘健成強調，東芝半導體和早期的爾必達破產不一樣，東芝半導體是東芝最賺錢的事業體，而且東芝的儲存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術，引發東芝財務危機的是核電事業，因此切割半導體事業獨立新公司
關鍵字：東芝 NAND

傳三星今年資本支出較去年增長85.6%達219.5億美元

　　三星登上全球半導體龍頭，不惜砸重金投入研發，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。　　新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發布報告預測，三星今年半導體資本支出將擴增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。　　存儲器目前供不應求，也是三星今年布局的重點，預料將占據資本支出的一半左右。據新韓分析師預測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
關鍵字：三星 NAND

3D NAND延續摩爾定律電容耦合效應及可靠度仍為技術關鍵

　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領域延伸的一項重要技術。　　3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
關鍵字：摩爾定律 3D NAND

日美“卡脖子” 國產大存儲崛起能否取得成功？

　　小時候并不知道為什么唐僧要取經,取的什么經?后來知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡單說就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個筋斗,快快取來就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒有好生之德嗎?還要設置各種妖怪來搗亂,豈不是折騰人嗎? 　　上天當然會有好生之德,這沒有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂,所謂天機不可泄漏,九九八十一難其實就是真經的一部分,對嗎? 　　其實現實生活也是如此。　　前不久,美國
關鍵字：晶圓 NAND

2019量產64層NAND閃存紫光絕不讓員工竊取前公司機密

　　國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內市場份額)，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產閃存有更好的發展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。　　近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對于目前行業的現狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大家的最大
關鍵字：紫光 NAND

紫光2019年要量產64層NAND閃存打破韓企壟斷

　　國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內市場份額)，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產閃存有更好的發展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。　　近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。　　對于目前行業的現狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大
關鍵字：紫光 NAND

韓國3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場

　　市場調查機構DRAMeXchange近日發布的調查結果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。　　閃存是指在斷電情況下仍能存儲數據的半導體，主要用于智能手機等移動終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產3D NAND將陸續上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業于今年二季度起量產64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
關鍵字： NAND SK海力士

新世代內存陸續小量產商品化指日可待

　　內存是半導體的主力產品之一，目前主要由動態隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產品。不過，由于DRAM必須持續上電才能保存數據，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數相對有限的先天限制，因此內存業者一直試圖發展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發特性　　根據研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續進入小量生產階段。不過
關鍵字：內存 NAND

全球3D NAND大軍技術對決下半年產出可望大增

　　2017年將是3D NAND Flash應用市場快速崛起的關鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續推出具競爭力的64層3D NAND Flash加入競局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術以求突圍，由于新舊技術轉換，良率仍不穩定，加上固態硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場大缺貨，業者預期2017年下半產出可望大增，全面開啟3D NAND Flash時代。　　三星在2
關鍵字：三星 NAND

機構:DRAM與NAND FLASH價格下半年將下降

　　Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。　　Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節的成本也出現了驚人上漲。不過，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。其原因在于中國廠商大量投入生產的結果，在產能陸續開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現下跌的情況。　　Gart
關鍵字： DRAM NAND

SAM4E單片機之旅——16、NAND Flash讀寫

　　這次大概介紹了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法。　　一、接線　　這個開發板搭載了一個256 MB，8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引腳接線如下：　　　　偷個懶，直接上引腳復用的圖。其中PC14表明該NAND FLASH需要作為SMC的外設0使用。通過使用NANDOE和NANDWE引腳說明需要使用芯片的NAND Flash控制邏輯。另外，PC18復用為輸入
關鍵字： SAM4E NAND

手機實現512GB容量不是夢：72層3D NAND閃存問世

　　隨著APP體積不斷擴大，以及照片、視頻等文件逐漸累積，消費者再難回到被16GB ROM支配的時代。就連吝嗇的蘋果也將iPhone存儲容量翻番，最高達到了256GB。大容量閃存能夠提高數據并行處理的效率，但是256GB就夠了嗎?　　　　日前，海力士(SK Hynix)推出業界首款72層堆疊的3D NAND閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB)，閃存芯片封裝后的最高容量將達到512GB。　　
關鍵字：海力士 NAND

技術更新失敗加產能不足內存價格持續上漲

從去年年中開始，以固態硬盤為代表的，包括固態硬盤、內存條、優盤甚至閃存卡在內的幾乎全部閃存產品，開始緩慢漲價。
關鍵字：內存 NAND

買家眾多東芝存儲業務將花落誰家？

東芝已經處于資不抵債的邊緣，被迫出售優質大額資產來改善其財務狀況，究竟東芝存儲業務花落誰家，雖然在近期就可以揭曉。
關鍵字：東芝 NAND

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]