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東芝發(fā)布業(yè)內(nèi)最大容量嵌入式NAND閃存模組
- 東芝公司本周一發(fā)布了據(jù)稱為業(yè)內(nèi)最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內(nèi)建專用的控制器，并內(nèi)含16個采用32nm制程技術(shù)制作的32Gbit存儲密度的閃存芯片，這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。 這款內(nèi)存模組產(chǎn)品裝備在便攜設(shè)備如iPod/智能手機等之上后，手機的存儲容量將實現(xiàn)倍增。比如采用單閃存模組設(shè)計的iPhone的容量可由原來的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設(shè)計的iPod touch的最大容量則可達到128GB。 東芝本月將開始對外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
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臺美日DRAM廠連手 抗韓策略發(fā)酵
- 兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出，繼三星預(yù)計投入30億美元擴產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實際上全球4大DRAM陣營板塊運動，仍按照臺美日廠連手抗韓局勢發(fā)展。 隨著三星和海力士都擴增2010年資本支出，隱約釋出對
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張忠謀：臺灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)
- 臺積電董事長張忠謀日前表示，臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經(jīng)濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢，相對地新臺幣波
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12月上旬合約價DRAM持平 Flash下跌
- 12月上旬的存儲器合約價格中，DRAM合約價意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應(yīng)市場需求不佳，16Gb芯片價格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價格貼近現(xiàn)貨價格水平，下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位，以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。 近期DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)反彈，1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個市場的交易量是相當有限，反倒是原本各界預(yù)期12月上旬
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張忠謀：臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)
- 12月9日消息，臺積電董事長張忠謀昨日表示，臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經(jīng)濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢
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三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能 目標直指臺積電
- 據(jù)報道，為了更加快速的追趕臺積電，三星計劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達到臺積電的規(guī)模。 根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計，去年全球芯片代工市場的產(chǎn)值為190億美元，而臺積電獨自占據(jù)了其中的100億美元。 三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場處于領(lǐng)先地位，但是他們在代工市場的收入?yún)s只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示，三星已經(jīng)決定擴大其代工產(chǎn)能，目標直指臺積電。 三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專門用于代工業(yè)務(wù)。三星一直強調(diào)
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三星開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
- 三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設(shè)備。 另外一款
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三星宣布開始量產(chǎn)兩種30nm制程NAND閃存芯片
- 三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設(shè)備。 另外一款三
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NAND記憶卡需求轉(zhuǎn)強 封測產(chǎn)能缺到明年初
- 據(jù)悉，包括三星、LG、諾基亞等手機大廠第四季將上市銷售的手機，已將MicroSD等NAND記憶卡列為標準內(nèi)建配備，加上消費者擴充手機記憶卡的需求也明顯轉(zhuǎn)強，帶動第四季記憶卡銷售量大增。力成董事長蔡篤恭表示，MicroSD記憶卡封測產(chǎn)能吃緊現(xiàn)象將延續(xù)到明年1、2月。 NAND晶片大廠三星下半年開始跨足記憶卡市場，并與創(chuàng)見合作銷售，新帝(SanDisk)也傳出介入貼牌白卡市場，只是手機用小型記憶卡需采用較先進的基板打線封裝(COB)制程，但兩家大廠自有封測廠產(chǎn)能已多年未曾擴充，因此8、9月后已大量將
- 關(guān)鍵字： SanDisk NAND 封測
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