- 大陸發展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開，初步分工將由長江存儲負責3D NAND及DRAM生產，武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長江存儲將興建首座12吋廠，最快2017年底生產自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術約2個世代，然大陸終于將全面進軍NAND Flash領域。
盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代，但在存儲器技術改朝換代之際，大
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存儲器 NAND
- 摘要在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據，由于成本原因，某些單片機在芯片內部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備E
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MSP430G 單片機 Flash
- FLASH 和EEPROM的最大區別是FLASH按扇區操作，EEPROM則按字節操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。當然用FLASH做數據存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構，現在已基本上停產了。
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單片機 flash eeprom
- 首先需要了解NAND FLASH的結構。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個扇區(sector)組成1個頁(page)，64個頁(page)組成1個塊(block)，4096個塊(block)構成整個Flash存儲器;由于每個扇區
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Flash NAND 扇區管理
- 全球硬盤機大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車三星電子，搶先生產64層3D NAND Flash。不過外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會擴產淹沒市場，重創NAND價格。
巴倫(Barronˋs)11日報道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計劃搶在三星之前，生產64層3D NAND flash，此舉可能導致三星擴產還擊。報告稱，當前三星在業界握有主導權，將密切關注WD/閃迪(WD去年收購了
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西數 NAND
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange)最新調查顯示，在智能手機及各種固態硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態硬盤的價格也呈現上漲，預期第四季NAND Flash業者營收及利潤將較第三季更為出色。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPhone 7的銷售
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NAND 服務器
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，在智能手機及各種固態硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態硬盤的價格也呈現上漲，預期第四季NAND Flash業者營收及利潤將較第三季更為出色。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPh
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TrendForce NAND
- 未來半導體進入五大轉折，包括邏輯芯片制程技術推進到10/7納米;存儲器推進到3D NAND Flash;因應芯片愈來愈小，制圖成型依賴愈來愈高;移動設備導入OLED比重會愈來愈高以及大陸積極扶植半導體產業。
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NAND AR
- JEDEC標準(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數表的結構、功能和作用，并給出其在系統設計中的具體應用。
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JEDEC Flash JESD
- 半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據，且近年來壟斷程度逐步加劇。
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存儲器 NAND
- TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動加載的設計,摘要 為實現數字信號處理器的加栽，介紹了TMS320C6455的各種加載模式，尤其是對外部ROM的引導方式，以及一種無需數據轉換即可通過數據加載將用戶程序寫入Flash的方法。以TMS320C6455為例，同時結合LED燈閃爍實例驗證
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DSP 加栽模式 二次加載 Flash
- 據外媒報道，東芝今天將截至9月份的上半財年營業利潤預期上調一倍以上至700億日元(約合6.95億美元)，此前預期為300億日元。
受此消息推動，東芝股價在周三快速上漲，創下自去年10月以來的最高點。這是東芝第二次上調營業利潤預期，該公司在今年5月份最初預計上半財年將營業虧損200億日元。
智能機存儲芯片的強勁需求推動東芝上調營業利潤預期。另外，比東芝保守預期更為疲軟的日元匯率也發揮了推動作用。
芯片需求的增長源于中國智能機出貨量的強勁表現。盡管全球智能機市場表現乏力，但是中國智能機出
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東芝 NAND
- 先前，因為受到連續7年作假帳風波，因而導致公司商譽嚴重受損，并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba)，28日宣布上調2016年上半年度的獲利預測，預估將上調至850億日元的水準，較原本預估的700億日元調高21.43%，每股EPS也將達到20.08日元，等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。
東芝于28日發出的消息表示，由于受惠于智能手機對于NAND閃存的提升，尤其在中國市場，在手機制造商不斷提升產品的儲存能力，所以需要性能越來越好的NAND閃存產品，導致相關價格的不斷上揚，如此以進一
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東芝 NAND
- 日媒稱，日本半導體制造裝置協會日前宣布8月份半導體制造設備的訂貨金額(3個月移動平均值，速報值)為1348億日元(約合人民幣90億元)，同比增長30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來時隔29個月增長率首次超過30%。中國半導體制造商興起、半導體的微細化、立體化這三大變化為整個產業帶來了活力。另一方面，半導體設備制造商之間的優勝劣汰也有可能變得更加明顯。
據外媒報道，“采購設備的時間提前了”，東電電子社長河合利樹無法掩飾他對半導體制造商們強烈設備投資欲的驚訝。
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半導體 NAND
- 據韓聯社9月19日報道，韓國市場調研機構IHS和半導體業界19日消息，三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二，銷售額占有率為11.3%，與英特爾的差距縮小到3.4個百分點。
今年第二季度三星電子銷售額達94.52億美元，排名第一的美國英特爾半導體銷售額達122.72億美元，市場份額為14.7%。
三星與英特爾的市場份額差距在2012年達5.3個百分點，2013年為4.2個百分點，2014年3.4個百分點，2015年為3.2個百分點。雖然，今年第一季度差距拉大到4個百分點以上，但
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