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        nand flash 文章 最新資訊

        適宜于嵌入式多媒體應(yīng)用的Flash文件系統(tǒng)

        • 隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)越來越多地在控制類、消費(fèi)類、通訊類等電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用,并且隨著數(shù)字信號處理與人機(jī)交互界面等相關(guān)技術(shù)的不斷成熟,嵌入式多媒體應(yīng)用數(shù)量也逐漸上升。多媒體業(yè)務(wù)的數(shù)據(jù)量大,數(shù)據(jù)內(nèi)容復(fù)雜,在多媒體應(yīng)用中數(shù)據(jù)的存儲與管理是不容回避的問題。FLASH存儲器因制造成本低廉、存儲容量大、數(shù)據(jù)非易失、無機(jī)械故障,在目前的嵌入式系統(tǒng)中被廣泛用作外存儲器件。然而Flash存儲器卻是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件,應(yīng)用中可能會出現(xiàn)壞損數(shù)據(jù)單元,這又給應(yīng)用Flash存儲器的嵌入式系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲管理增
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        Flash 編程器的FPGA實(shí)現(xiàn)

        • 1 引言 閃速存儲器(FLASH Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性,可將其作為具有一定靈活性的只讀存儲器(ROM)使用。 現(xiàn)在的數(shù)字電路應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,經(jīng)常遇到大容量的數(shù)據(jù)存儲問題。Flash由于容量大、存儲速度快、體積小、功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn),而成為應(yīng)用系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲器件的首選。由于在研制實(shí)時(shí)信號處理系統(tǒng)時(shí),需要一塊大容量的Flash來存儲坐標(biāo)變換的數(shù)據(jù)作查找表,因此
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        外掛Flash的引導(dǎo)裝載設(shè)計(jì)

        • 本文所敘述的引導(dǎo)方法在四通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中得到了有效的驗(yàn)證,并且整個(gè)過程操作起來非常方便快捷。
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        基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

        • 1 引言 FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區(qū)別,使用FLASH時(shí)必須根據(jù)其自身特性,對存儲系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì),以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。 2 FLASH的特點(diǎn)FLASH是一種非易失性存儲器NVM(Non-Volatile Memory),根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NOR FLASH和NAND FLASH兩種。但不管哪一
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        分頁燒寫Flash的多頁程序并行自舉方法

        • 以TMS320VC5410為例,介紹對Am29LV200B Flash存儲器進(jìn)行程序分頁燒寫以及上電后多頁用戶程序并行自舉的方法。
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        Micron35億美金押寶NAND閃存

        •    美國半導(dǎo)體廠商Micron美光表示,他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務(wù)上投入35億美金的巨資,以擴(kuò)充生產(chǎn)NAND閃存的設(shè)備之用。     產(chǎn)業(yè)分析師認(rèn)為,美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存,一方面在于看好NAND閃存在計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品上的應(yīng)用前景,另外,美光也希望借此在和三星電子、東芝等競爭對手的NAND大戰(zhàn)當(dāng)中保持優(yōu)勢地位。    美光之前和Intel合資成立IM Flash公司,目前的主營業(yè)務(wù)就是NAND閃存。
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        SanDisk擬降NAND價(jià)格 將再引業(yè)界地震

        •       據(jù)臺灣SanDisk公司內(nèi)部人士透露,公司將在本周將其NAND閃存的價(jià)格降低10%到15%。    知情人士稱,SanDisk公司此次對其NAND閃存制成品的價(jià)格調(diào)整將在全球范圍內(nèi)同時(shí)展開,而不是針對某一地區(qū)市場進(jìn)行。這將是SanDisk公司在今年進(jìn)行的第四次產(chǎn)品降價(jià),業(yè)內(nèi)觀察員指出,每次SanDisk公司對產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行調(diào)整都會對整個(gè)業(yè)界的價(jià)格體系造成一定影響。    業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),Sandisk公司即將進(jìn)行的產(chǎn)品價(jià)格調(diào)整可能會在業(yè)內(nèi)
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        大容量串行e-Flash的FPGA配置方案

        • 為配合某電力測量儀表的開發(fā),對Xilinx公司的SpartanII系列FPGA的配置方案進(jìn)行了探索。該方案采用大容量串行e-Flash存儲器MM36SBO10存放FPGA配置文件,MCU讀取該配置文件并在被動串行模式下完成對XC2S30 的在線配置。該方案具有接口簡單、成本低廉、便于移植的優(yōu)點(diǎn)。
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        ST NAND閃存數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)造世界記錄

        • 單片多級單元NAND閃存內(nèi)嵌功能強(qiáng)大的5位糾錯(cuò)機(jī)制降低下傳時(shí)間50% 意法半導(dǎo)體公布了數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)世界記錄的4Gigabit NAND閃存的技術(shù)細(xì)節(jié),ST新閃存芯片的數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)36MB/s, 比今天市場上的最好成績還高大約50%。  新芯片內(nèi)嵌一個(gè)功能強(qiáng)大的糾錯(cuò)處理器,每頁可以改正最多五個(gè)錯(cuò)誤,為高度可靠性和高速數(shù)據(jù)傳輸提供了保證,同時(shí)還簡化了存儲系統(tǒng)的設(shè)計(jì),在舊金山國際固態(tài)電路大會(ISSCC) 上,意法半導(dǎo)體和韓國現(xiàn)代海力士(Hynix)的研究人員
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        蘋果iPod降價(jià)舉動波及亞洲NAND制造商

        •    受蘋果電腦公司調(diào)降其數(shù)字音樂播放器價(jià)格影響,三星電子和其它亞洲存儲芯片制造商的股票價(jià)格出現(xiàn)不同程度的下滑。   很明顯,蘋果的降價(jià)舉動引發(fā)人們擔(dān)心字音樂播放器里應(yīng)用的芯片價(jià)格可能會大幅下降。   在其數(shù)字音樂播放器里采用NAND芯片的蘋果公司周二調(diào)降了其最廉價(jià)機(jī)型iPod Shuffle的價(jià)格,并推出了中端iPod Nano的一個(gè)容量較小的版本。   據(jù)分析家稱,受淡季需求降低影響,NAND芯片價(jià)格最近急劇回落,蘋果的舉動反應(yīng)了這一趨勢,同時(shí)也加劇了投資者對芯片制造商的
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        三星與索尼就長期供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判

        •   三星電子近日證實(shí),正在就供應(yīng)NAND閃存問題與索尼談判。三星發(fā)言人表示:“我們正在與包括索尼在內(nèi)的一些大公司就供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判,但是目前還沒有確定任何細(xì)節(jié)。”         索尼希望獲得8G以上的NAND閃存,預(yù)計(jì)訂單將占到三星明年NAND總產(chǎn)量的五分之一以上。據(jù)稱雙方預(yù)計(jì)將在明年上半年簽約。蘋果電腦11月與三星簽署了五億美元的長期協(xié)議,在2010年以前將一直從三星進(jìn)貨.
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        NAND新應(yīng)用層出不窮價(jià)格不斷降低

        •      隨著NAND閃存成本每年下跌40%,對NAND的新應(yīng)用尤其是計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用層出不窮。         今年晚些時(shí)候,將有帶閃存的硬盤與微軟的新操作系統(tǒng)Vista同時(shí)出售。             “理論上,硬盤不必一直運(yùn)行,”三星(歐洲)公司高級存儲器部門經(jīng)理
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        DDR2價(jià)格醞釀反彈2GbNAND閃存上揚(yáng)

        • 根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,由于DRAM廠商面臨過低的DRAM價(jià)格不愿放貨,導(dǎo)致帶動UTT(未經(jīng)完整測試)產(chǎn)品的價(jià)格反彈。 適逢香港12月24日至12月27日的圣誕節(jié)假期,市場上買家也較為謹(jǐn)慎的掌控手中的庫存,部分系統(tǒng)整合商以及OEM廠也不愿意在年底前買貨增加庫存,使得上周現(xiàn)貨市場方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
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        Flash需求旺 模塊廠芯片設(shè)計(jì)公司關(guān)系親密

        •     近年來NAND型Flash應(yīng)用需求發(fā)燒,從隨身碟、記憶卡、MP3,直到最近手機(jī)上使用的小型記憶卡,應(yīng)用范圍不斷延伸,內(nèi)存模塊廠莫不全力搶攻NAND型Flash應(yīng)用產(chǎn)品市場的市場占有率,因此各家模塊廠和NAND型Flash控制芯片設(shè)計(jì)公司的關(guān)系可謂是越來越緊密,其中更不乏模塊廠自掏腰包來投資NAND型Flash設(shè)計(jì)公司。   隨著儲存應(yīng)用熱潮蔓延,不論是讀卡機(jī)、隨身碟或是小型記憶卡等,近幾年增長道驚人,過去消費(fèi)性電子產(chǎn)品市場對隨身碟的需求是從無到有、再到蓬勃發(fā)
        • 關(guān)鍵字: Flash  模塊  
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        nand flash介紹

         Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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