nand flash 文章進入nand flash技術(shù)社區(qū)

基于EDMA的TMS320C6713片外Flash自舉引導

著重描述了引導引腳以及相關(guān)寄存器的設(shè)置，分析了采用EDMA傳輸方式將代碼從Flash復制到DSP的過程，并對引導程序給出基于匯編語言的代碼實現(xiàn)。
關(guān)鍵字： Flash 引導片外 TMS320C6713 EDMA 基于

NAND閃存價格反彈帶動八月芯片銷售增長

根據(jù)半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SIA報告，2007年8月全球芯片銷售三月平均值達到215.2億美元，比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷售增長超過分析師預測，比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長4.5%。 SIA表示，增長歸因于NAND閃存供應減少導致平均銷售價格反彈。8月份NAND閃存銷售價格比7月增長19%，與2006年8月相比增長48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節(jié)性增長帶來全球半導體銷售連續(xù)健
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND 閃存芯片 MCU和嵌入式微處理器

單片機的FLASH引導裝載系統(tǒng)設(shè)計

前言DSP系統(tǒng)的引導裝載是指在系統(tǒng)加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320C
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 FLASH 裝載系統(tǒng) DSP 單板計算機

NAND閃存價格走好東芝晶圓廠產(chǎn)能滿載利潤大漲

Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。事實上，東芝公司的業(yè)務表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認為供需形勢處于有利狀況，由于晶圓廠產(chǎn)能利用率達到100%，公司不得不回絕了25%的訂單。” 還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價下降70%，東芝曾經(jīng)預計2007年更進一步下滑50%，但是到目前為止，價格還高于預計之上。” 價格已經(jīng)觸底
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND 閃存東芝嵌入式

C8051F的超大容量Flash存儲器擴展

　　摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，當前被廣泛應用于U盤、MP3和數(shù)碼相機的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應用系統(tǒng)給予驗證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。關(guān)鍵詞：NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲 C8051F 引言　　大容量數(shù)據(jù)存儲是單片機應用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
關(guān)鍵字： NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲 C8051F MCU和嵌入式微處理器

TMS320C6713的FLASH引導裝載系統(tǒng)設(shè)計

前言 DSP系統(tǒng)的引導裝載是指在系統(tǒng)加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 TMS320C6713 FLASH 中間件軟件庫

NAND閃存合同價格自六月以來首次下跌

九月，NAND閃存芯片合約價格自六月以來首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫存增加壓力。　　根據(jù)內(nèi)存市場研究機構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價格則相對穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價格有所回升。　　據(jù)臺灣內(nèi)存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業(yè)內(nèi)，使得激烈價格上升。需求被昂貴的價格壓抑，反映在現(xiàn)貨市場價格疲弱。　　雖然許多內(nèi)存庫存商8月期間已經(jīng)減少其采購，最新的報價仍然加
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND 閃存嵌入式

三星等涉嫌操控NAND閃存價格被起訴

據(jù)國外媒體報道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價格而遇到集體訴訟。　　據(jù)悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導體、美光（Micron）科技、美光半導體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司；　　Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導體、三星電子、意法半導體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
關(guān)鍵字：消費電子三星 NAND 閃存消費電子

51內(nèi)核8位單片機MAX7651的開發(fā)環(huán)境

　　摘要：介紹一種基于四時鐘周期、高速8051內(nèi)核的混合信號8位單片機MAX7651。探討在開發(fā)基于MAX7651的應用系統(tǒng)時所面臨的問題，并推薦相應的解決方案。關(guān)鍵詞：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期　　在全球8位單片機領(lǐng)域，英特爾（Intel）生產(chǎn)的MCS-51系列是毋庸質(zhì)疑的領(lǐng)導者。借助英特爾廣泛的授權(quán)行為，基于8051內(nèi)核的8位單片機兼容產(chǎn)品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
關(guān)鍵字： MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期 MCU和嵌入式微處理器

基于NOR FLASH存儲器的嵌入式文件系統(tǒng)的設(shè)計

本文中，我們將以嵌入式操作系統(tǒng)WINCE為背景，來討論嵌入式手持移動終端中文件系統(tǒng)的實現(xiàn)。
關(guān)鍵字： FLASH NOR 存儲器嵌入式文件系統(tǒng)

AVR單片機的RC5和RC6算法比較與改進

　　摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機功能強大，在無線數(shù)據(jù)傳輸應用方面很有優(yōu)勢。本文基于Atmega128高速嵌入式單片機，實現(xiàn)RC5和RC6加密及解密算法，并對算法進行匯編語言的優(yōu)化及改進。根據(jù)實驗結(jié)果。對兩種算法的優(yōu)熱點進行比較和分析。關(guān)鍵詞：Atmega128 RC5 RC6 分組密碼混合密鑰 Flash 引言　　在無線局域網(wǎng)中，傳輸?shù)慕橘|(zhì)主要是無線電波和紅外線，任何具有接收能力的竅聽者都有可能攔截無線信道中的數(shù)據(jù)，掌握
關(guān)鍵字： Atmega128 RC5 RC6 分組密碼混合密鑰 Flash MCU和嵌入式微處理器

基于FPGA的NAND FLASH控制器

1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤、MP3播放器、數(shù)碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復雜，對時序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來很大的難度，于是就要求有一個控制器，使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 FPGA NAND FLASH 嵌入式

三星產(chǎn)能轉(zhuǎn)向NAND閃存公司市場份額猛增

iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達到14億美元，比第1季度的12億美元增長18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉(zhuǎn)向NAND閃存，該公司的NAND市場份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個百分點。 iSuppli內(nèi)存/存儲系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現(xiàn)強勁主要是按容量計算增長11%，出貨量增加歸功于擴大蘋果iPhone和iPod等消
關(guān)鍵字：消費電子三星 NAND 閃存消費電子

一種新型單片機MSC1210及其應用

　　摘要：主要介紹內(nèi)核兼容8051的MSC1210單片機結(jié)構(gòu)特點，其高性能ADC、片內(nèi)存儲器以及Flash編程應用等功能。關(guān)鍵詞：MSC1210 ADC PGA Flash 實際應用系統(tǒng)往往需要進行高精度的測量，同時還必須進行實時快速控制，提高其開發(fā)效率。為此人們常采用高精度A/D芯片加帶ISP開發(fā)功能的單片機系統(tǒng)來實現(xiàn)。德州儀器（TI）的MSC1210單片機解決了上述問題。它集成了一個增強型8051內(nèi)核、高達33 MHz
關(guān)鍵字： MSC1210 ADC PGA Flash MCU和嵌入式微處理器

PISMO顧問委員會發(fā)布新2.0多媒體標準

致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿足手機和消費產(chǎn)品中存儲豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
關(guān)鍵字： PISMO NOR NAND 閃存

共1476條 93/99 |‹ « 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 »

nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]