- 功耗敏感應用的設計人員如今面對前所未有嚴格的系統總體功耗限制、規范和標準。與此同時，這類應用所要求的功...
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FPGA 低功耗 Flash
- 恒憶半導體(Numonyx)、群聯電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發協議，三方將按照JEDEC新發布的JEDEC eMMC™ 4.4產業標準，為下一代managed-NAND解決方案開發閃存控制器。 預計此項合作將加快當前業內最先進的eMMC標準的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲需求，提高無線設備和嵌入式應用的整個系統級性能。
根據這項協議，恒憶、群聯電子和海力士將利用各自的技術，開發能夠支持各種NAND閃存
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Numonyx NAND 閃存控制器
- 《華爾街日報》撰文稱，從上周末三星和海力士發布的財報可以看出，內存芯片行業似乎已經觸底，這對整個半導體行業來說是一個積極的信號。
雖然內存芯片行業收入只占全球半導體行業2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業中的日用商品，很難與其他芯片部門區分開來，因此是芯片行業整體表現的主要指標。內存行業下滑開始于2007年初，隨后芯片行業在2008年就開始了全面衰退。
上周五，兩家全球最大的內存芯片商三星電子和海力士都在發布第一季度報告時稱，與芯片有關的虧損低于上年同期。
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海力士 NAND 內存
- 在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼
在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
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NAND 存儲芯片
- TDK公司日前宣布開發出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開始銷售。
TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產品支持2KB/頁和4KB/頁結構的SLC(單層單元)內存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽設
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TDK NAND
- 在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產品市場將在今年剩余時間內增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。
圖4所示為iSuppli公
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iSuppli NAND DRAM
- 瑞薩科技公司（以下簡稱“瑞薩”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器微控制器（Flash微控制器）。這個系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成員，它為AC伺服、FA（工廠自動化）設備、樓宇自動化（空調和電力監控設備）和各種通信設備等工業應用實現了200 MHz操作和大量內置式外設及通信功能。SH7216系列包含12個產品群的36款器件，其片上存儲器容量和封裝類型各有不同。
這些產品的主要特性如下：
(1) 達到
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瑞薩 RISC 32MCU Flash SuperH
- 針對NAND閃存產業，研究機構集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。
集邦科技根據各NAND Flash供貨商目前的制程技術、產能、營運狀況分析指出，三星因擁有較大產能，同時制程持續轉往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯盟的產能利用率略降，但制程技術也將轉往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。
集邦科技表示，市場占有率第三和第
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海力士 NAND 晶圓
- 以提供多種基于Flash和反熔絲技術的低功耗、高可靠性單芯片FPGA而著稱的Actel公司，在全球經濟出現下滑的2008...
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FPGA Flash LCD
- 4月15日消息 據韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單，要求供應7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發蘋果可能推出新一代iPhone的聯想
韓國時報指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應2000萬顆。”
部分分析師認為，蘋果這次大規模訂單，將刺激韓國芯片廠商業績，同時，也有助于全球芯片產業早日復蘇。
分析師還指出，N
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三星 NAND 芯片
- IBM的技術專家Geoff Burr曾說過，如果數據中心的占地空間象足球場那么大，而且還要配備自己的發電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而，如果首席信息官們現在不定好計劃將他們的數據中心遷移到固態技術平臺的話，那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。
這并非危言聳聽，過去的解決方案現在已經顯露出存儲性能和容量不足的現象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業只需在數據中心添加更多的傳統硬盤就可以了，而且那樣做也很方便。現在，Geoff Burr在2008年發表的一
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IBM NAND 固態存儲
- 美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術的ZETA?清洗系統擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估。客戶
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FSI NAND 存儲器
- 全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術的ZETA清洗系統擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估。客戶對制造過程中無灰化光刻膠剝離法、實現用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
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FSI 半導體 NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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