- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結MOSFET。
電視和PC等設備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導致功率晶體管引腳之間產生高壓電弧放電現象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規封裝時，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
- 關鍵字：
意法半導體 MOSFET
- 電的發現是人類歷史的革命，由它產生的動能每天都在源源不斷的釋放，人對電的需求不亞于人類世界的氧氣，如果沒有電，人類的文明還會在黑暗中探索。
然而在電力電子里面，最重要的一個元件就是IGBT。沒有IGBT就不會有高鐵的便捷生活。
一說起IGBT，半導體**的人都以為不就是一個分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣，是國家“02專項”的重點扶持項目，這玩意是現在目前功率電子器件里
- 關鍵字：
IGBT MOSFET
- 一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區附近生活。盡管住在市區上班方便，并能享受城市服務，但他們更愿意搬到郊區，因為那里房子更大，院子更寬敞。同樣，當工程師需要大電流用于負載點(POL)設計時，他們一般會放棄高密度轉換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個更復雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案。控制器，與郊區環境相類似，具有相對的靈活性和經濟性，但會占據更多不動產，更多的電路板空間。
直到最近，電流超過10-15A的應用一般會依賴帶外部MOSF
- 關鍵字：
MOSFET 封裝
- 下面對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。
1，MOS管種類和結構
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開
- 關鍵字：
MOS管 MOSFET
- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)在混動汽車和電動汽車(EV，Electric Vehicles)市場發布了先進的高能效功率半導體器件，同時還公布了新產品AEC-Q101汽車質量認證時間表。
電動汽車和混動汽車通過提高電能利用率來延長續航里程。意法半導體最新的碳化硅(SiC)技術讓車企能夠研制續航里程更長、充電速度更快的電動和混動汽車，使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術的領導者，針對汽車所有主要電氣模塊，意法半導體率先推
- 關鍵字：
意法半導體 MOSFET
- 英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅動IC產品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。 全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅動高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業變頻器、電動汽車充電站、焊接設備及商用和農用車等。優化的
- 關鍵字：
英飛凌 SiC-MOSFET
- 基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前，高壓器件的主要設計平臺是基于平面技術。但高壓下的快速開關會產生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰。從平面向超級結MOSFET過渡的設計工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關速度。本應用指南將比較兩種平臺的特征，以便充分理解和使用超級結技術的優點。
為了理解兩種技術的差異，我
- 關鍵字：
MOSFET 超級結結構
- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設計人員提高計算機、電信網絡、工業、消費電子產品的能效創造新的機會。 全世界的人都在獲取、保存、分享大量的電子書、視頻、相片和音樂文件，數據使用量連續快速增長，運行云計算技術的服務器集群、互聯互通的電信網絡、數據用戶終端設備的耗電量也隨之越來越高，人們對這些設備能耗最小化的需求越來越多
- 關鍵字：
意法半導體 MOSFET
- MOSFET和三極管，在ON 狀態時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢? 三極管ON狀態時工作于飽和區，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。 MOS管在ON狀態時工作于線性區(相當于三極管的飽
- 關鍵字：
MOSFET 三極管
- 本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點。可以說，IGBT是一個非通即斷的開關，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。
- 關鍵字：
IGBT MOSFET
- MOSFET的擊穿有哪幾種? Source、Drain、Gate 場效應管的三極:源級S 漏級D 柵級G (這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿) 先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結構上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。 1) Drain->Source穿通擊穿: 這個主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk
- 關鍵字：
MOS管 MOSFET
- 為了降低能源成本，設備設計人員正在不斷尋找優化功率密度的新方法。通常情況下，電源設計人員通過增大開關頻率來降低功耗和縮小系統尺寸。由于具有諸多優勢如寬輸出調節范圍、窄開關頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開關，LLC 諧振轉換器應用越來越普遍。但是，功率 MOSFET 出現故障一直是LLC 諧振轉換器中存在的一個問題。在本文中，我們將闡述如何避免這些情況下出現MOSFET 故障。
初級 MOSFET 的不良體二極管性能可能導致一些意想不到的系統或器件故障，如在各種異常條件下發生嚴重的直通
- 關鍵字：
諧振轉換器 MOSFET
- 為了提高系統可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發生故障，避免對電子系統造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現，但是在更多情況下，設計人員使用完全自保護的MOSFET功率器件來完成。 圖1顯示了完全自保護MOSFET的一般拓撲結構。這些器件常見的其他特性包括狀態指示、數字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數器件都具備三個電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護。 &n
- 關鍵字：
MOSFET 功率器件
- 功率MOSFET在目前一些大功率電源的產品設計中得到了廣泛的應用，此前本文曾經就幾種常見的MOSFET電路設計類型進行了簡單總結和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器件的另一種應用方式，即有隔離變壓器存在的互補驅動電路，進行簡要分析。 有隔離變壓器的互補驅動電路作為一種比較常見的驅動電路形式，在目前的家電產品設計中應用較多，其典型電路結構如圖1(a)所示。在圖1(a)所給出的電路結構中，V1、V2為互補工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環或磁罐。
- 關鍵字：
MOSFET 驅動電路
- 功率器件MOSFET是目前應用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學習時的重點方向。如果設計得當，MOSFET驅動電路可以幫助工程師快速、高效、節能的完成電路系統的驅動設計，本文在這里將會分享一種比較常見的MOSFET驅動電路設計方案，該方案尤其適用于小功率電路系統的采用。 下圖中，圖1(a)所展示的是一種目前業內比較常用的小功率MOSFET驅動電路，這一電路系統的特點是簡單可靠，且設計成本比較低，尤其適用于不要求隔離的小功率開關設備。圖1(b)所示驅動電路開關速度很快，驅動能力強，為防
- 關鍵字：
MOSFET 驅動電路
mosfet-driver介紹
您好，目前還沒有人創建詞條mosfet-driver!
歡迎您創建該詞條，闡述對mosfet-driver的理解，并與今后在此搜索mosfet-driver的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
