- 要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場營銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅動設計的心得。
一、不要使用雙極型功率器件
DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個，所以一些設計師為了降低LED驅動成本而使用雙極型功率器件，這樣會嚴重影響電路的可靠性，因為隨著LED驅動電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會迅速縮小，這樣會導致器件在溫度
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LED MOSFET
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護。DMN2023UCB4的低導通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級封裝則使設計人員能夠利用省下來的空間來提高電池容量。新產品的目標終端市場包括智能手機、平板電腦、照相機、便攜式媒體播放器，以及對其尺寸丶重量和電池壽命都至關重要的同類型消費性產品。
DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ，旨在以最低的導通電阻來減低功耗。此外，其雙N通
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Diodes MOSFET
- 我曾經遇到過節假日有客人上門，必須跑到商店，在關門前挑選幾件物品的情況。我當時就意識到“跑”這個單詞會有多少種意思呢。我聽說單單作為動詞，他就有645個意思，并且還在不斷增加!表面上看起來很簡單的事情實際上會很復雜。想一想，功率MOSFET只有三個引腳(柵極、源極、漏極)。長假過后，當回到辦公室開始設計全新的電源管理熱插拔應用時，我想到看起來簡單的功率MOSFET會有多么復雜，還有就是在為熱插拔應用和功率轉換分別選擇一款MOSFET時會有什么不同。
熱插拔電路使用一個功率
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MOSFET 熱插拔控制器
- 日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。此外，TI面向低電壓電池供電型應用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實現了比同類競爭器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設計，敬請訪問：www.ti.co
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德州儀器 MOSFET CSD16570Q5B
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對1A額定值的40V緊湊型柵極驅動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式電源以及電機驅動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開關時間，有助于盡量降低開關損耗、改善功率密度，以及提升整體轉換效率。
新驅動器作為低功率控制IC的高增益緩沖級，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅動電流
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Diodes 驅動器 MOSFET
- 領先的高性能集成電路和系統解決方案提供商Exar公司，即日宣布發布一款6V至40V的工作電壓范圍，四路輸出可編程通用PMIC-XR77129。其專利性的控制架構，采用17-bit寬PID電壓型輸入前饋方式，非常適合40V輸入電壓范圍。該控制器提供單輸入電壓，四路輸出電壓軌，降壓式控制器內部集成MOSFET門極驅動和雙LDO輸出該產品還可以通過I2C總線實時監測電源狀態，動態控制輸出電壓參數。五個可配置GPIO可以用于狀態指示和時序控制，以加速電源系統設計。
XRP77129使用Exar設計工具P
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MOSFET SMBus LDO
- 第一代半導體材料Si點燃了信息產業發展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產業群，促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。
目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。曾經的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發展的材料極限，難以滿足當今社會發展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環境以及輕便小型
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LED SiC MOSFET
- I.引言
高效率已成為開關電源(SMPS)設計的必需要求。為了達成這一要求，越來越多許多功率半導體研究人員開發了快速開關器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實現低導通電阻，以降低開關損耗和導通損耗。這些快速開關器件容易觸發開關瞬態過沖。這對SMPS設計中電路板布局帶來了困難，并且容易引起了柵極信號振蕩。為了克服開關瞬態過沖，設計人員通常采取的做法是借助緩沖電路提高柵極電阻阻值，以減慢器件開關速度，抑制過沖，但這會造成相對較高的開關損耗。對于采用標準通孔封裝的快速開關器件，總是存在效率與易用性的
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寄生電感 MOSFET
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V額定值的動態OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電信系統、數據中心及服務器不間斷電源的可靠性。新產品旨在全面改善超低導通電阻功率MOSFET，從而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻斷二極管，有效降低工作溫度并加強不間斷電源系統的完整性。
新控制器通過以這種方式驅動MOSFET，同時提升標準12V和24V共軌系統的整體系統效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關斷電壓閾值。器件的電壓少于-
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Diodes MOSFET ZXGD3108N8
- 東芝公司旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統的U-MOS VI-H系列，新系列減少了76%的導通電阻，實現業界頂級的低導通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開關電源的效率。樣品出貨即日起啟動。
注：
·[1]截至2014年11月4日。東芝調查。
·[2]Qoss：輸出電荷。
主要特性
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東芝 MOSFET 低導通電阻
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設計，適合12V輸入DC-DC同步降壓應用，包括先進的電信和網絡通信設備、服務器、顯示適配器、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應用。
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國際整流器 MOSFET DC-DC
- 8寸晶圓代工產能卡位戰提前啟動，法人指出，聯電8寸廠能已被指紋辨識芯片、LCD驅動IC，以及電源管理IC客戶搶購一空，明年將成為8寸晶圓代工大贏家。
過往8寸晶圓廠主要生產LCD驅動IC、電源管理芯片等產品，隨著蘋果新機導入指紋辨識芯片，非蘋陣營明年全面跟進，相關芯片廠也開始卡位8寸晶圓產能，造就市場榮景。
此外，原以6寸生產金屬化合物半導體場效晶體管(MOSFET)也為了提升競爭力，相繼轉入8寸廠生產，讓8寸晶圓廠產能更為吃緊。
包括指紋辨識芯片、LCD驅動IC及電源管理芯片三大半
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聯電 MOSFET LCD
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 輸入同步降壓型開關穩壓器 LT8640。該器件采用獨特的 Silent Switcher® 架構，整合了擴展頻譜調制，即使開關頻率超過 2MHz 時，依然能夠將 EMI / EMC 輻射降低超過 25dB，從而使該器件能夠輕松地滿足汽車 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在開關頻率為 2MHz 時可提供高達 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 輸入電壓范圍使該器件非常適合
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凌力爾特 LT8640 MOSFET
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案，并展示在評估電路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美國國防部制定的標準，規定了地面軍用車輛所用 28V DC 電源的穩態和瞬態電壓特性。當面對 MIL-STD-1275D 中嚴格規定的浪涌、尖峰和紋波波形時，DC2150A 可將輸出電壓限制到安全的 44V。就大多數應用而言，要滿足該標準就是簡單地將 DC2150A 電路放置到容限為 44V
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凌力爾特 DC2150A MOSFET
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