2月3日下午消息，三星將于2月12日舉行新品發布會，除了Galaxy S20系列手機和Galaxy Z Flip折疊屏手機外，還將推出新款智能揚聲器Galaxy Home Mini。早在2018年，三星就有一款AI音箱跟隨自家的Galaxy Note 9一起發布，它是Galaxy Home，不過一直都沒有向市場推出。從目前來看，這款更小版本的AI音箱就是Galaxy Home Mini。根據曝光的信息來看，三星Galaxy Home Mini配備了三星的AI平臺Bixby和Haman的AKG的5W揚聲器。
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Galaxy Home Mini、智能揚聲器
Micro LED有望2021年進軍OLED小尺寸領地? ? ? ?新形態的Micro LED顯示器不只亮度與對比效果超越OLED，又具備反應迅速、低功耗與高可靠度特性，若成功商業化量產上市，前景可謂一片亮麗。據集邦咨詢預估，2023年Micro LED市場產值將達42億美元。然而，現階段Micro LED顯示器的最大的挑戰仍在如何降低成本。包括從生產設備的改良、檢測方式的革新以及巨量轉移的開發等。由于短期內降低成本的困難度仍大，因此多數廠商選擇投入利基型的超大尺寸
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LED Micro Mini
林偉瀚，楊梅慧（康佳集團股份有限公司, 廣東 深圳 518053） 摘要：液晶面板LCD顯示因技術成熟、性價比高目前仍占顯示行業主導地位。Micro-LED由于其優秀顯示特性已經成為目前技術的熱點，Mini-LED則是其過渡產品。對比了LCD、OLED、Mini-LED和Micro-LED顯示特性。Micro-LED在亮度、色彩、大尺寸可變性等方面性能優異。而Mini-LED結合8K及QD技術將達到OLED畫質，并且可靠性和成本占優勢。 關鍵詞：Mini-LED顯示；Micro-LED顯示；LCD
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Mini-LED顯示 Micro-LED顯示 LCD OLED 201907
一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間，有結電容存在。這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單......
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MOS MOSFET
發光二極管就是俗稱的LED，由于較容易入門且普及率高，很多新手在進行入門學習時經常會選擇發光二極管來入手。本文將對發光二極管與MOS之間的特定關系
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發光二極管 MOS 電流
在大功率電源當中，MOS器件的消耗至關重要。其很有可能關系到電源的整體效率。在之前的文章中，小編為大家介紹了一些功率耗散的方法，在本文中，小編將
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同步整流器 MOS 功率
據業內人士透露，三星電子幾乎訂購了中國LED外延片和芯片制造商三安光電位于廈門的Mini LED產能，以確保其將在2018年第三季度推出的大尺寸高端液晶電視背光芯片供應。
消息人士稱，三星已經為此次芯片供應預付了1683萬美元。
中國LED芯片制造商華燦光電和廈門乾照光電也已開始了MicroLED和Mini LED技術的研發，而中國的LED封裝服務提供商佛山國星光電則于2018年3月初設立了MicroLED和Mini LED研究中心，以便在2020年能夠封裝0.5-1.0mm的Mini
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三安光電 Mini LED
根據TrendForce光電研究最新“新型顯示技術成本”報告，由于Mini LED作為LCD背光的架構與現行LCD顯示器的LED背光架構相仿，在設計上并無太大改變，因此也被廠商寄予厚望，希望其可成為Micro LED量產前的過渡產品。但不論是手機或電視等消費性電子產品，Mini LED勢必將直接面對來自OLED的競爭，短期而言，大尺寸電視及高階IT產品是Mini LED有機會與OLED一較高下的應用領域。
以電視來看，WitsView指出，由于OLED的印刷上色技術尚未成
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Mini LED OLED
全球智能系統產業的領導廠商研華科技今天發布新型工業級無風扇超薄Mini-ITX主板AIMB-217。該產品搭載最新Intel? Pentium?、Celeron?和Atom? N4200/N3350/x7-E3950處理器(ATOM第六代Apollo Lake)，相較于上一代產品而言CPU性能和顯示性能分別實現了30%和45%的顯著提升。同時，AIMB-217還捆綁研華專屬WISE-PaaS/RMM軟件套件，可實現遠程設備管理。 AIMB-217的顯示性能已提升
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研華 Mini-ITX
如何設計防反接保護電路？-利用MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
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mos
揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當今的開關電源設備中，MOS管的特性、寄生參數和散熱條件都會對MOS管的工作性能產生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關鍵參數對電源設計工程師至關重要。
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MOS 電源
隨著集成電路工藝制程技術的不斷發展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰。
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MOS FinFET
作為工作于開關狀態的能量轉換裝置，開關電源的電壓、電流變化率很高，產生的干擾強度較大；干擾源主要集中在功率開關期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數字電路干擾源的位置較為清楚；開關頻率不高（從幾十千赫和數兆赫茲），主要的干擾形式是傳導干擾和近場干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
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EMI 開關電源 MOS
如同摩爾定律所述，數十年來，芯片的密度和速度正呈指數級成長。眾所周知，這種高速成長的趨勢總有一天會結束，只是不知道當這一刻來臨時，芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術的發展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規模集成電路(VLSI)中常見的多種效應變得原來越重要且難以控制，天線效應便是其中之一。
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IC設計 天線 天線效應 充電損害 MOS
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