在開關電源電路設計當中，電流的轉換分為很多種。其中直流轉換是較常見的一種設計。通常稱為DC-DC轉換，是指將一個電壓值轉化為另一個電壓值電能的裝置。直流轉換設計在開關電源當中非常常見，也是新手接觸比較多一種電路設計，本篇文章將為大家介紹這種電路當中非同步與同步的區別。
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DC-DC MOS 同步 開關電源 非同步
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。
下面是我對MOS及MOS驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路。
MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，
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MOS MOS驅動電路
半導體行業的重組還在繼續。恩智浦半導體(NXP Semiconductors)將把經營分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導體等產品的標準產品業務部門出售給中國的投資公司(英文發布資料)。
標準產品業務部門2015年財年的銷售額為12億美元，約占恩智浦總銷售額(61億美元)的2成。該部門約有員工1.1萬名，約為恩智浦總員工數量(4.5萬)的2.5成。
出售金額約為27.5億美元，購買方是北京建廣資產管理有限公司(簡稱“建廣資產”)與Wise Road Capital兩家
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恩智浦 MOS
MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高?！ §o電放電形成
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MOS 擊穿
前段時間開發了一個產品，由單片機控制對負載供電，滿負載時基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調整工作電流。我們知道MOS管導通時內阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件?！ ‰m然MOS管導通內阻非常小，但所流過的電流也有最大限制，如果電流過大，比如外接負載短路，同樣會被燒毀。短路都是非正常工
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防短路 MOS
我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應管就陌生一點，但是，由于場效應管有其獨特的優點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管的種類很多，根據結構不同分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管;絕緣柵型場效應管又稱為金屬氧化物導體場效應管，或簡稱MOS場效應管. 1、如何防止絕緣柵型場效應管擊穿 由于絕緣柵場效應管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優點，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時，在柵極感應出來的
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場效應晶體管 MOS
當我們還是學生的時候，不論從做題還是原理分析上,通常會重點學習NPN和PNP三極管的特性：靜態工作特性計算、動態信號分析等等。對于MOS管，老師一般都會草草帶過，沒有那么深入的分析和了解，一般都會說MOS管和三極管的不同就是一個是電壓控制，一個是電流控制，一個Ri大，一個Ri小等等。除了這些明顯的特性，下文就從工作實戰的角度進行MOS場效應管的分析?！ ∈紫任覀儊砜聪陆洺Ｊ褂玫脑鰪娦蚼os場效應管：N溝道和P溝道mos場效應管。 在消費類電子設計中由于對功耗要求比較嚴格，通常使用N溝道和P溝道MOS
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MOS 場效應管
所有MOS集成電路(包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網絡進行保護，雖然如此，器件內的保護網絡還不足以免除對器件的靜電損害(ESD)，實驗指出，在高電壓放電時器件會失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴重程度靜電損害有多種形式，最嚴重的也是最容易發生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與
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MOS 集成電路
簡介： 今天一個剛剛入行的朋友找到我說，他的老板給了他一個MOS管讓他測管子的fmax,幫他測完之后，他還問到怎么才能加大這個fmax~~想到自己也曾千辛萬苦的琢磨這個參數，就寫個短短的文章說一下fmax到底是什么和哪些參數有關。
這兩個頻率都是晶體管的重要參數，無論BJT還是MOS，也決定了將來電路能工作到的最大頻率(當然這個最大頻率是絕對不可能到fmax和ft的)。這兩個頻率其實離得不遠，那他們有什么差別呢：ft是用電流增益來定義的，fmax是用最大功率增益來定義的，千萬別弄混了哦。下圖是一
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MOS fmax
國外知名維修網站iFixit今天對iPad Mini 4進行了拆解，確認該平板比前代裝備了更小的電池容量。正如此前科技評測網站Ars Technica對其進行的GeekBench 3測試結果，通過物理拆解確認iPad Mini 4裝備2GB的內存和時鐘頻率為1.5GHz的 A8處理器，這意味著該平板要比iPhone 6s/6s Plus(1.4GHz的A8處理器)性能更卓越，要比前代iPad mini 2/3所搭載的1.3GHz A7處理器有著明顯的性能提升。
iFi
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iPad Mini 4
簡介：注釋：靜電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個概念，不要混淆在一起。
前段時間開發了一個產品，由單片機控制對負載供電，滿負載時基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調整工作電流。我們知道MOS管導通時內阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件。
雖然MOS管導通內阻非常小，但所流過的電
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靜電損壞 MOS
歐盟EUP環保指令你知道嗎?你知道此指令對靜態能耗有什么要求嗎?我們產品上需要怎樣應對呢?下面給你解決此問題的電源供電方案。
2009年1月6日，歐盟電子類產品待/關機模式之EuP能耗指令執行措施已正式生效，其生態化設計要求與去年7月經歐盟生態化設計管理委員會批準的工作草案相同。廠商需在2010年1月6日前達到第一階段的要求，2013年1月6日達到第二階段要求。
圖1 Eup圖標
我們來了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求，
1、產品在關機或待機
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MOS AC-DC
去年光棍節，全球最小的Mini PC“光棍一號”橫空而出，絕佳的創意、強悍的性能再加上迷你的尺寸，讓這款產品在登錄京東眾籌之后獲得了巨大成功。早幾天，該產品團隊帶來了光棍一號第二代“光棍一號T02”再度來襲，據設計方MeegoPad團隊透露，該產品從性能、散熱、接口方面都做了巨大升級。我們拿到了一個樣機，重度拆解，透視其真相。
在拆解之前，我們先了解一下T02的具體參數：
下面是我們收到的產品包裝盒外觀：
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Mini PC
【前言】在高端MOS的柵極驅動電路中，自舉電路因技術簡單、成本低廉得到了廣泛的應用。然而在實際應用中，MOS常莫名其妙的失效，有時還伴隨著驅動IC的損壞。如何破?一個合適的電阻就可搞定問題。
【問題分析】
上圖為典型的半橋自舉驅動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進行續流，導致VS端產生負壓，且負壓的大小與寄生電感與成正比關系。該負壓會把驅動的電位拉到負電位，導致驅動電路異常，還可能讓自舉電容過充電
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MOS SCR
導讀：想必大家對USB都不陌生吧，那么Mini USB是什么呢?Mini USB的接口又是什么樣的呢?本文將會為您解答~~
一、Mini USB接口定義- -簡介
USB(Universal Serial Bus)，譯為通用串行總線，用于電腦與數碼設備間的數據傳輸。考慮到體積因素，USB設計了數種接口，目前廣泛使用的有三種，即標準USB、Mini USB和Micro USB。本文將為您詳細介紹Mini USB接口。
Mini USB，即迷你USB，是一種USB接口標準，與USB的功能和技
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Mini USB Micro USB Mini USB接口定義
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