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ADS 晶體管 基站功率放大器 仿真 LDMOS
- LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電話技術開發的，蜂窩通信市場的不斷增長保證了LDMOS晶體管的應用，也使得LDMOS的技術不斷成熟，成本不斷降低，因此
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優勢 使用 特點 結構 LDMOS
- 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管，這種產品
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LDMOS 大功率 測試 晶體管
- 飛思卡爾推出RF LDMOS功率管 可在阻抗失配條件下使用,飛思卡爾半導體日前推出一款RF LDMOS功率管，工作頻率為1.8至600 MHz ，最適于在CO2激光器、等離子體發生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界
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LDMOS 飛思卡爾 功率管 阻抗
- TD-SCDMA(時分同步碼分多址接入)是第三代移動通信三大主流標準之一，是我國具有自主知識產權的通信標準，它標志著中國在移動通信領域已經進入世界先進行列，目前，TD-SCDMA的商用化進程正在順利地進行之中[1]。TD-
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功率放大器 射頻 TD-SCDMA LDMOS 基于
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- LDMOS的性能概述 與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6d ...
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LDMOS 性能 制造工藝
- 摘要：本文介紹采用直接檢測LDMOS 漏端電壓來判斷其是否過流的設計方案，給出了電路結構。通過電路分析，并利用BCD 高壓工藝，在cadence 環境下進行電路仿真驗證。結果證明：該方法能夠快速、實時地實現過流保護功能
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是否 方案 判斷 電壓 LDMOS 檢測
- 摘要：文中針對高壓節能應用領域，開發了一種基于超薄外延技術的雙擴散BCD兼容工藝，實現了一種新型D-RESURF結構的700V LDMOS設計。結構中N型外延的厚度減小為4．5mu;m，漂移區長度縮減至70mu;m，使得芯片面積和制
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D-RESURF LDMOS 設計 新型 擴散 超薄 外延 技術 基于
- 飛思卡爾半導體近日推出其下一代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）射頻功率晶體管，以滿足蜂窩發射器降低功耗的...
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LDMOS
- Infineon的LDMOS功放管憑優良的產品質量性能已廣泛應用在移動通信設備中，在國內外不少知名通信設備生產商的設備中Infineon的功放管都占有一定的份額。
其中，Infineon專門為了滿足移動通信市場需求設計了應用頻率范圍為700MHz到2.2GHz的4W、8W、12W寬帶功放管，增益在900MHz為19dB,2.1GHz為16dB，漏極供電為直流28V，線性指標良好，效率高。這三個不同功率等級的功放管封裝結構完全一樣，電路簡單可相互兼容。該類功放管超寬的工作帶寬及同封裝不同功率等級的
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Infineon LDMOS 移動通信
- 英飛凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一，其前身是西門子集團的半導體部門。在中國，英飛凌先進的半導體解決方案已廣泛應用于各個領域，該公司憑借其雄厚的技術實力和全球領先的經驗，與包括中興、華為、方正、握奇等國內領先廠商展開深入合作，為中國電子行業的騰飛做出應有的貢獻。
在LDMOS (橫向擴散金屬氧化物半導體)晶體管方面，英飛凌立足于最先進的LDMOS工藝技術和改善散熱性能的封裝，這家公司可制造門類齊全的RF功
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英飛凌 晶體管 LDMOS
- 恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射頻研發的投資，2010年上半年先后在中國上海以及美國馬塞諸塞州比爾里卡市(近波士頓)開設兩家恩智浦高性能射頻(RF)產品技術中心。中心主要從事射頻/微波集成電路(IC)設計，涉及領域包括國防航空、工業、科學和醫學衛星接收器及寬帶通信中等。其中，于年內第一季度成立的上海恩智浦高性能射頻產品技術中心，特別致力于為大中華區域的客戶提供更及時周到的服務，包括從射頻前端到末級放大器的射頻器件設計開發、技術支持、售后服務等一條龍全方位射頻解
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NXP 射頻 LDMOS
- 我國的3G網絡發展潛力舉世矚目，3G建設中最為關鍵的基站部署也已成為業界關注的核心。以高效功放、多載頻技術、分布式架構、增強型室內覆蓋等為代表的新一代基站創新性技術，將會讓運營商實現高性能、低成本的網絡部署。其中，功放效率問題是所有廠家追求的一個熱點。因為提高功放效率不僅能夠為運營商節省電費、節省電源等配套設施的投資，還能降低整機散熱的要求，增強設備的穩定性。
從成本上看，功率放大器是基站上最昂貴的器件，其成本約占基站總成本的60%，而功放管又是功率放大器上最貴的器件，其成本約占80%。除成本之
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恩智浦 3G基站 LDMOS
ldmos介紹
橫向擴散金屬氧化物半導體
LDMOS
lateral double-diffused metal-oxide semiconductor
LDMOS技術是為900MHz蜂窩電話技術開發的，蜂窩通信市場的不斷增長保證了LDMOS晶體管的應用，也使得LDMOS的技術不斷成熟，成本不斷降低，因此今后在多數情況下它將取代雙極型晶體管技術。 與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高，L [
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