飛思卡爾推出RF LDMOS功率管 可在阻抗失配條件下使

飛思卡爾半導體日前推出一款RF LDMOS功率管，工作頻率為1.8至600 MHz ，最適于在CO2激光器、等離子體發生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負載中提供 300 W CW的全額定輸出功率。

當射頻功率管生成的最大功率到達天線時，所有固態射頻功率放大器的運行最有效。在理想條件下，這會產生1:1的VSWR，生成的全部額定功率都通過傳輸線到達負載，沒有任何額定功率反射回放大器。大部分應用的VSWR水平很少超過2.5:1，而大部分RF功率管無論其采取什么技術，都可以處理5:1或10:1的VSWR。

但是，RF功率放大器用來點燃CO2 激光器和離子發生器或在MRI系統里生成電磁場，都會短暫出現生成的額定功率幾乎全部被反射回放大器的情況。這些異常情況給大部分RF功率管帶來了難題。

飛思卡爾新推出的MRFE6VP6300H產品主要針對這類應用，能夠將300W滿CW輸出功率生成高達 65:1的VSWR。它是這個性能級別里唯一商用的50 V LDMOS晶體管產品。

飛思卡爾副總裁兼RF部門總經理 Gavin Woods表示，“這一重要技術成果又一次顯示了飛思卡爾在RF功率市場始終保持行業第一的記錄。有了這款新晶體管，CO2激光器、等離子體發生器、磁共振成像掃描儀和其他工業設備的制造商可以獲得前所未有的穩定性和射頻功率性能。”

MRFE6VP6300H可用于推拉式或單端配置，并放置在緊湊型NI780 - 4陶瓷封裝中。頻率為130兆赫時，該設備生成300W的CW輸出功率，增益為25分貝，效率達80%。該MRFE6VP6300H還包含創新的靜電放電（ESD）保護技術，這不僅使它成為第三類功率器件，還支持大的柵源電壓范圍（-6V至+10 V），因而在高效模式（如C類）下運行時能提高性能。

定價和供貨情況

MRFE6VP6300H現已推出樣品，計劃將于2010年第四季度全面投產。它的參考設計及其他支持工具現已上市。如需了解樣品和定價信息，請與飛思卡爾半導體、飛思卡爾本地銷售辦事處或授權分銷商聯系。有關MRFE6VP6300H的更多信息，請訪問：www.freescale.com

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飛思卡爾半導體是全球領先的半導體公司，為汽車、消費、工業、網絡市場設計并制造嵌入式半導體產品。這家私營企業總部位于德州奧斯汀，在全球擁有設計、研發、制造和銷售機構。如需了解其它信息，請訪問www.freescale.com.

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