據路透社援引俄羅斯當地報紙的一則報道稱，俄羅斯一家名為Sistema的公司最近呼吁俄羅斯當局禁止其對手廠商生產的同類IC芯片產品進口到俄羅斯市場。Sistema目前與意法半導體公司有合作關系，雙方正在合作生產90nm制程的電視，GPS,手機，電子護照等產品用的IC芯片。這家公司的國企背景深厚，著名的俄羅斯國有半導體企業俄羅斯納米技術集團(Rusnano)便是這家公司的大后臺之一，目前Rusnano正在全力支持在俄羅斯國內架設一條90nm制程CMOS產線的項目。據《俄羅斯日報》報道，俄羅斯總理普京9月2
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IC芯片 90nm CMOS
O 引言 電路中的功率消耗源主要有以下幾種：由邏輯轉換引起的邏輯門對負載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗，并且每引進一次新的制造技術會導致漏
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CMOS 單相 乘法器 能量 能量回收
佳能今天展示了全球最高像素值的CMOS傳感器：1.2億像素的APS-H尺寸產品，它比目前旗艦單反EOS 1D Mark IV的影像傳感器還大7.5倍，可拍攝全幅13280x9184圖像，并可實現9.5FPS的連拍和1080p視頻的錄制(僅需要用到1/60的有效像素)。這款變態級別的傳感器目前似乎還沒有應用到任何產品的計劃，之前，佳能在2007年展示了5000萬像素的傳感器樣本。
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佳能 CMOS 傳感器
CMOS數字集成電路具有輸入阻抗高、低功耗、電源電壓范圍廣以及輸出電壓擺帳大等優點。除了在數字化裝置中廣泛應用外，亦可用于線性電路，發揮它低功耗的特點。
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CMOS 門電路 放大電路圖 微功耗
日前，瑞典皇家科學院宣布，博伊爾和史密斯因發明了CCD圖像傳感器而與高錕分享了2009年的諾貝爾物理學獎。CCD圖像傳感器如今已經大規模應用于數碼相機、手機、攝像機、掃描儀、工業領域以及醫學設備中，年出貨量在億顆以上。不過，隨著照相手機市場的大規模增長，八十年代開始出現的CMOS圖像傳感器的出貨量在2004年超越了CCD，并開始逐步蠶食數碼相機等CCD傳統應用市場。
圖像傳感器領域的這一變化只是傳感器技術變化的一個縮影。傳感器技術的最大特點就是不斷引入多學科的新技術發展新功能，現在，隨著電子、M
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傳感器 CMOS
摘要：此振蕩器專門針對恒壓恒流(CV-CC)控制、頻率抖動(Frequency Shuffling)技術。采用電流模脈寬調制控制方案的電池充電芯片設計，鋸齒波信號的線性度較好，當負載電路減小時，自動進入Burst Mode狀態提高系統的效
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控制器 振蕩器 電路 DC AC CMOS 綠色 模式 一種
摩爾定律在自1965年發明以來的45年中，一直引領著世界半導體產業向實現更低的成本、更大的市場、更高的經濟效益前進。然而，隨著半導體技術逐漸逼近硅工藝尺寸極限，摩爾定律原導出的“IC的集成度約每隔18個月翻一倍，而性能也將提升一倍”的規律將不再適用。為此，國際半導體技術路線圖組織(ITRS)在2005年的技術路線圖中，即提出了“后摩爾定律”的概念。近年的技術路線圖更清晰地展現了這種摩爾定律與“后摩爾定律”相結合的發展趨勢，并認為&
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摩爾定律 MEMS CMOS
賽普拉斯公司日前宣布，推出一款用于高端機器視覺市場的高敏感度、高速CMOS圖像傳感器。全新的250萬像素VITA25K傳感器擁有市場上單器件最大的數據吞吐能力，并帶有流水線和觸發式全域快門。該傳感器具有32個10-bit數字低壓差分信號(LVDS)輸出，可以允許圖像數據通過標準的工業協議進行低功耗、低噪聲傳輸。每個通道以620Mbps的速率運行，從而實現53幀每秒(fps)的無畸變高幀頻和快速讀出。VITA25K是高端機器視覺應用的理想選擇，適用于檢驗機、生物檢測(如下一代掌紋讀取儀)以及智能交通系統
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Cypress 圖像傳感器 CMOS
瑞薩電子開發出了一種新型SRAM電路技術，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現合適的工作裕度。以上內容是在半導體電路技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產品，該公司試制出了bit密度達到業界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實現40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
在So
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瑞薩電子 SRAM CMOS
全球領先的芯片制造協會SEMATECH和先進無線芯片供應商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協議，共同推進CMOS技術進一步發展。Qualcomm是第一家進入SEMATECH的芯片設計公司，Qualcomm將深入參與和SEMATECH的研發項目，共同探索延續摩爾定律的新技術。
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Qualcomm CMOS 芯片設計
本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產生0.7mW 功耗，84.2dB 的開環增益，62°的相位裕度，高達138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍
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CMOS 0.5 um 電流反饋
用來計算TTL集電極開路輸出電路靜態功耗的公式如下：其中：VT=上拉電阻的有效端接電壓
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CMOS TTL 集電極開路 功耗
引言
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CMOS 高線性度 調幅 電路技術
CMOS雙向開關也稱CMOS傳輸門。CMOS雙向開關在模擬電路和數字電路應用非常廣泛。集成電路CMOS雙向開關產品有CC4066/4051/4052/4053等，性能優良，使用方便且成本低。每個開關只有一個控制端和兩互為輸入/輸出信號端，
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CMOS 開關 工作原理
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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PA 砷化鎵 CMOS 單芯片手機 SiCMOS
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