士蘭微擬同意在子公司士蘭集成內組建多芯片高壓功率模塊制造生產線，計劃從2010年起在未來的2--3年內安排投資13,500萬元，其中2010年投資2,500萬元。
士蘭微7月29日發布公告稱，公司第四屆董事會第九次會議審議通過《關于控股子公司組建功率模塊生產線項目的議案》。
多芯片高壓功率模塊組件因其具有較高的功率密度和可靠性、較高的集成度、安裝使用便捷等優點，而越來越受到市場的關注，應用的領域也越來越廣。目前采用芯片設計與制造一體化運行的士蘭微電子，通過芯片設計、器件結構開發、工藝開發等
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士蘭微 IGBT 芯片設計
Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應用包括自動驅動系統的頻率變換器,光伏電壓系統的中央逆變器,汽車柴油發動機驅動器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文介紹EconoDUAL 3模塊主要特性,典型應用電路以及EconoDUAL?3模塊驅動板主要特性,評估板電路,以及IGBT各種驅動電路和驅動板材料清單(BOM).
The new EconoDUAL 3 module with the designation FF600
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Infineon EconoDUAL3 汽車驅動 IGBT
【 導讀：在新能源領域的大多數功率變換裝置中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是最為重要的器件，與歐洲、日本和美國相比，中國在該領域還相對落后，盡管國內也有一些企業和科研機構在進行研發，但產業化進程緩慢，技術上也落后于國外?！?
今年6月，功率半導體業界的盛會“PCIMChina2010”在上海光大會展中心舉行，國內外知名功率半導體廠商向與會觀眾展示了各自推出的新產品和眾多高能效解決方案。記者觀察到，功率半導體在新能源領域的應用成為本屆展會的熱點，而中國功率器件產業的未來發展
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功率半導體 IGBT
·隨著IGBT升級換代，變頻器性能不斷提高，體積不斷減小。
·三菱電機在功率半導體領域的一個很大的優勢就是貼近系統用戶。
日本從上世紀80年代開始使用工業用的變頻器，還有家庭用的變頻空調，在市場上變頻技術得到了很快的發展。最初變頻器都用晶閘管，但是后來出現了用在變頻器上的IGBT。通過使用IGBT，功率損耗大幅降低。同時，經過25年的發展，出現了各種各樣的研究開發成果，目前三菱電機的IGBT芯片已經發展到第6代?？梢耘e一個直觀的例子來說明IGBT的發展水平：如果
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IGBT 變頻器
摘要：分別針對矩陣變換器的整流級和逆變級IGBT的過流現象進行了討論，提出了一種新的集中式過流保護電路的設計方式。該方式可確保IGBT在短路情況下及時被關斷，從而安全穩定地運行。試驗結果表明：新的集中式過流保
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保護 電路設計 集中式 IGBT 矩陣 變換器 基于
功率半導體下游需求旺盛，發展前景看好。隨著全球經濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業收入為2833億美元，增長率達到23.2%.
MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業控制、網絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。
IGBT:節能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
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MOSFET IGBT 功率半導體
本文介紹了集成續流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。IGBT技術進步主要體現在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終
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IGBT 軟開關 損耗
功率半導體下游需求旺盛，發展前景看好。隨著全球經濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業收入為 2833億美元，增長率達到23.2%。
MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%，MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業控制、網絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。
IGBT:節能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率
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MOSFET IGBT
近日，中國南車在英國林肯丹尼克斯公司成立了半導體研發中心，并舉行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片線開通儀式，為實現功率半導體器件世界第一的戰略目標奠定了更加堅實的基礎。
中國南車2008年10月成功收購了丹尼克斯半導體公司，獲得了戰略性資源，與中國南車現有功率半導體產業形成優勢互補。為尋求更大發展，南車確立了功率半導體器件世界第一的戰略目標，于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融資，進一步加大對功率半導體產業的投資，著力提升六英寸IGBT芯片的生產能力;同時建立世界水平的功率半導體研發中心，
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軌道交通 IGBT
針對汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強IGBT的功率循環和溫度循環特性，并增加IGBT結構強度，大大提高了IGBT的壽命預期。
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IGBT 汽車級 混合動力車 中的設計
英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產品系列。該系列經過優化，適用于高頻和硬開關應用，在降低開關損耗、實現出類拔萃的效率方面，樹立了行業新標桿，并可滿足開關頻率高達100 kHz的應用需求。
近年來，各種產品對分立式IGBT的需求促使設計者尋求具備優化特性的IGBT，比如開關和通態損耗優化，以期充分發揮產品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機、太陽能逆變器、開關電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應用，幫助最大
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英飛凌 IGBT UPS
英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出了專為實現最高功率密度和可靠性而設計的新款IGBT模塊：采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊，和EconoDUAL系列的最新旗艦產品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。
英飛凌公司副總裁兼工業電源部總經理Martin Hierholzer指出：“通過推出這兩款新產品，英飛凌再次鞏固了其在提供具備最高功率密
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英飛凌 IGBT PrimePACK
英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務協議，針對全球工業運動控制與驅動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發的這種革命性封裝概念，兩大領導廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產品。
根據協議規定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創造者
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英飛凌 IGBT
英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出創新的IGBT內部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優化IGBT模塊內部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術，英飛凌可滿足具備更高功率循環的新興應用的需求，并為提高功率密度和實現更高工作結溫鋪平道路。
英飛凌副總裁兼工業電源部總經理Martin Hierholzer指出：“通過推出全新的.XT技術，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設計和制造領域的技術
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英飛凌 IGBT 封裝
英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務協議，針對全球工業運動控制與驅動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發的這種革命性封裝概念，兩大領導廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產品。
根據協議規定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創造者
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英飛凌 IGBT SmartPACK SmartPIM
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