- 按照摩爾定律的說法，2006年初半導體制造業就已經進入了65nm時代。不過，令所有人始料不及的是65nm的普及遠遠非預期的那樣迅猛，在很多領域似乎根本不去考慮65nm制程的問題，比如MCU，再如多媒體解碼芯片。于是，我們看到的結果是本該廣泛應用的65nm制程在全面投產18個月之后的應用領域只局限在少數幾個領域，這其中一向走在消費前沿的CPU和存儲是最火爆的領域，而FPGA則是另一個熱衷于追逐65nm的擁躉。
當90n
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- 5月底，半導體業又一重要事件發生了：意法半導體（ST）、英特爾和Francisco Partners宣布合資創立一家新的獨立半導體公司，組成新公司的原主營業務部門去年創造年收入共計約36億美元。新公司的戰略重點將專注于提供閃存解決方案。
Intel是NOR閃存的數一數二廠商，ST是NOR閃存第三大公司。二虎能夠坐在一個山頭上談如何共贏，恐怕也是迫不得已的事。ST副總裁兼大中國區總經理Bob Krysiak解釋說：“作為閃存或DRAM行業，要想成功，必須量產和大規模的制造能力。過去兩年來，兩家公司
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- 進入2007年，全球半導體市場明顯呈現增長乏力的態勢。與此同時，受產品結構調整、市場競爭加劇的影響，國內電子信息產業也出現增長放緩、效益下滑的情況。在這兩方面因素影響下，中國集成電路產業發展速度也明顯放緩。據統計，1-3月份國內集成電路總產量為85.29億塊，同比增長12.3%。全行業銷售收入總額為271.21億元人民幣，同比增長27.4%，其增幅與2006年四季度相比回落8.7個百分點。 從一季度國內集成電路設計、芯片制造與封裝測試三大行業的發展情況看，均不同程度的受到
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- 立锜科技(RichtekTechnology)針對單節鋰離子和鋰高分子電池應用推出創新設計的充電IC─RT9502。該產品提供了簡單的外部線路架構、整合性的MOSFET、自動選擇ADAPTER和USB雙輸入來源，且充電指示燈號不會因為拿掉電池而產生微亮的錯誤信號，具備簡單的充電電流設定，在簡化了整機電路和軟件設計的同時，更提供高達18V的過電壓保護。 目前便攜式的電子產品已經走向輕薄短小的趨勢，而鋰離子及鋰高分子電池正是符合該趨勢的應用，RT9502正是專門為為鋰離子及鋰高分子電池而
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- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列適用于低壓及中壓電機驅動應用的200V IC，這些應用包括電動工具、低壓伺服驅動系統、電動園藝設備，以及像起重機、高爾夫球車和滑板車的電動車。 IRS200x系列半橋、高側和低側驅動IC系列是為低壓 (24V 、36V 和48V ) 及中壓 (60V 、80V 和100V ) 電機
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- 盛群半導體(Holtek)新推出HT1087泛用型低電壓差電源穩壓IC。該組件500mA電流輸出的規格，可以廣泛應用于各種產品，例如PC/NBcameramodule，PC外圍產品，低電壓MCU，DSP等需求電源轉換的應用。 除了保證輸出電壓誤差在2%以內，HT1087擁有極佳的負載穩定度及線性穩定度。噪聲阻絕度(RippleRejection)可達到60dB。內建的保護功能有過電流及過熱保護，為系統及IC提供必要的保護。 HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
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- Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅動電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅動IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應用。該75VMOSFET驅動器可用于汽車中的高強度放電管，以及各種終端產品中的高壓降壓轉換器、推拉式轉換器、全橋與半橋式轉換器、有源鉗位正向轉換器、電源、電機控制及D類音頻系統。 該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓，可適應9V～13.2V的寬泛電源電壓范圍，能夠以10ns的典型升降時間驅動1,000pF的負載。
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- 沖電氣(OKI)推出內建運算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產品運用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續針對可攜式等用途產品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術，適合于數字及模擬電路。OKI表示，該公司未來將靈活運用這一特長，加強與連接微處理器的數字輸出電路，進而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構成單一芯片的商品陣容；未來
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- 遠翔科技將在2007年第二季推出雙組外推NMOS的DC/DC同步整流IC，將補齊產品系列現階段從5A以上使用的負載規格；這顆編號FP5148的IC采用散熱型低腳數SOP16及QFN-16L小型封裝，IC本身具備較寬的操作電壓范圍，并可由使用者自行調整PWM工作頻率和電源軟激活時間，在保護機制上針對電源異常部分則提供有過電流、短路及欠壓等保護功能，必要時亦可藉由HousekeepingIC直接關閉IC來達成待機或斷電保護狀態。 遠翔科技并于該季另提供有1A-3A負載規格使用外推PMOS雙組差相型I
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- 盛群半導體(Holtek)新推出HT1087泛用型低電壓差電源穩壓IC。該組件500mA電流輸出的規格，可以廣泛應用于各種產品，例如PC/NBcameramodule，PC外圍產品，低電壓MCU，DSP等需求電源轉換的應用。 除了保證輸出電壓誤差在2%以內，HT1087擁有極佳的負載穩定度及線性穩定度。噪聲阻絕度(RippleRejection)可達到60dB。內建的保護功能有過電流及過熱保護，為系統及IC提供必要的保護。 HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
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- 半導體制程微細化趨勢1965年Intel創始人Moore提出“隨著芯片電路復雜度提升，芯片數目必將增加，每一芯片成本將每年減少一半”的規律之后，半導體微細化制程技術日新月異，結構尺寸從微米推向深亞微米，進而邁入納米時代。半導體制程微細化趨勢也改變了產業的成本結構，10年前IC設計產業投入線路設計與掩膜制程的費用，僅占總體成本的13%，半導體生產制造成本約占87%。自2003年進入深亞微米制程后，IC線路設計及掩膜成本便大幅提升到62%。當芯片結構體尺寸小于100納米時，光學光刻技術便面臨技術關鍵：硅晶制程
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- 據日本經濟新聞4月21日報道，東芝最快將在本會計年度開始采用43納米制程生產閃存芯片，以降低生產成本。 東芝為全球第二大閃存芯片制造商，僅次于韓國三星電子。報道指出，由于芯片價格料在2007/08年度挫跌50%，因此該公司急于提高晶片生產效率。 日經新聞稱，使用43納米制程，將可使東芝生產成本降低40%。 報道稱，三星電子計劃今年開始采用50納米制程。
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- 設計技術：面向SoC設計成主流 面向SoC的設計方法將成主流 由于電子整機系統不斷向輕、薄、小的方向發展，集成電路功能也由單一向復雜轉變，并且向系統集成發展的方向已經明確。目前，SoC電路已經能在單一硅芯片上實現信號采集、轉換、存儲、處理和輸入/輸出等功能。由此可見，將數字電路、存儲器、CPU、DSP、射頻電路、模擬電路、傳感器甚至微機電系統(MEMS)等集成在單一芯片上，實現一個完整系統功能的SoC設計將成為未來集成電路設計的主流。未來SoC芯片的設計將以IP復用為基礎，把已優化的子系統甚至系統級模塊納
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- 記者從16日在京舉行的“集成電路設計服務—封裝測試論壇”了解到，北京集成電路設計業規模穩居國內第一。
北京市科委提供的數據顯示，2006年，北京集成電路設計業以近60億元的銷售總額穩居國內第一，遠遠超過其他省市。在最近3年的全國十大集成電路設計企業排行榜上，北京每年均有4家企業入圍。
目前北京的集成電路設計企業已超過100家，龍芯、眾志、星光系列等一批“中國芯”都屬于國家重大創新成果。在北京市科委支持下，北京華大泰思特半導體檢測技術公司和北京自動化測試技術研究所共同承擔的“北京集成電路設
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