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        ASML:數值孔徑0.75超高NA EUV光刻設備2030年登場

        • 據日本媒體報導,光刻機設備龍頭阿斯麥(ASML)執行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時imec年度盛會ITF World 2023表示,半導體產業需要2030年開發數值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術,滿足半導體發展。Christophe Fouquet表示,自2010年以來EUV技術越來越成熟,半導體制程微縮至2020年前后三年,以超過50%幅度前進,不過速度可能會在2030年放緩。故ASML計劃年底前發表首臺商用High-NA(NA=0.55)EUV微影曝光設備(原型制作),
        • 關鍵字: ASML  NA  EUV  光刻設備  

        搭載恩智浦S32G3的廣汽埃安Hyper GT亮相2023上海車展

        • 日前,廣汽埃安全新高端純電豪華品牌系列車型Hyper GT在2023上海車展正式亮相。仿佛穿越未來世界而來,Hyper GT擁有的不僅是科幻旋翼的炫酷金屬外觀,更具有智能硬核內在:新車基于廣汽AEP 3.0平臺打造,采用全新一代星靈電子電氣架構,更值得一提的是,Hyper GT也是全球首款采用恩智浦最新一代S32G3汽車處理器作為其中央計算單元處理器的車型。 廣汽埃安Hyper GT亮相2023上海車展(圖片來源:廣汽埃安) 星靈架構是廣汽推出的全新一代 “車云一體化集中計算式電子電氣
        • 關鍵字: 恩智浦  S32G3  廣汽埃安  Hyper GT  2023上海車展  

        拆解報告:HYPER JUICE 100W 3C1A氮化鎵快充充電器HJ417

        •   海外知名充電配件品牌HYPER JUICE近期在indiegogo上眾籌了一款全新的100W快充充電器。這款產品基于納微GaNFast氮化鎵功率芯片,采用堆疊設計思路,不僅支持自帶可折疊的插腳,而且還集成了一個AC插口,在使用時,不會占用兩孔插座,并支持最多16款充電器堆疊使用。  回到充電本身也是頗有亮點,配備了3C1A四個輸出接口,可同時滿足四臺電子設備的充電需求;在單口輸出時,C口支持盲插輸出100W。同時借助氮化鎵技術的優勢,實現了小巧的外形尺寸,出門攜帶比較方便。  關于這款產品的性能,充電
        • 關鍵字: HYPER JUICE  氮化鎵  充電器  

        可穿戴與IoT用DC/DC:如何實現納安級消耗電流?  

        • 可穿戴等市場發展快。DC/DC轉換器成為影響這些產品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA,通過電路、布局和工藝實現。
        • 關鍵字: 可穿戴  DC/DC  降壓型  輕載  nA  201804  

        基于Hyper-V虛擬化技術實現故障轉移

        • 航空氣象要素對飛行安全的影響越來越大,氣象探測設備的重要性也越來越高。成陽國際機場配備了風廓線雷達,能夠為航空飛行提供機場上空的風速風向和溫度。基于保障風廓線雷達正常運行的目的,通過Hyper-V虛擬化技術和故障轉移集群的方法,結合人為干預設備的試驗,實現了風廓線雷達系統的故障轉移功能,平均故障修復時間提高了95%。
        • 關鍵字: 故障轉移集群  Hyper-V  風廓線雷達  平均故障修復時間  

        電流-頻率轉換電路--1NA~100UA轉0.1HZ~10KHZ

        • IIN/C1(V/S),1UA電流為10的負6次方/800*10的負12次方=1.25*10的6次方V/S,穿越-5.6~+5.6V的時間林約是9MS,頻率為111HZ。實際上必須加上上升時間,所以振蕩頻率大約為100HZ。 因為C1的微調很困難,所以允許A2的正
        • 關鍵字: 100  0.1  KHZ  NA    

        尼康NA超過1的液浸設備半導體商正式采用

        •  尼康日前正式宣布,2006年1月已向大型半導體廠商供應用于55nm工藝(hp55)芯片制造、開口數(NA)為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應NA超過1的液浸ArF曝光設備。    這家大型半導體廠商的名字,尼康沒有公布,估計是過去在技術方面與之開展合作的東芝。    作為全折射型液浸曝光設備,NSR-S609B具有全球最大的NA,配合偏光照明技術,能夠實現很高的分辨率。對于液浸產生的缺陷和重合不穩定性的問題,據稱利用名為“Local-fill(局部
        • 關鍵字: NA  尼康  嵌入式系統  
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