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High-NA EUV光刻機入場，究竟有多強？
- 光刻機一直是半導體領域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩定可靠的性能為半導體產業的發展奠定了堅實基礎；再到后來的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網顯示，其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數值孔徑光刻系統。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發，將于 2024 年安裝在 A
- 關鍵字： High-NA EUV
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術
- 3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術，運行效率得以提升。根據IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實現 195 片晶圓的每小時吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術 High-NA（高數值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關鍵字： ASM NXE:3800E EUV 光刻機 High-NA
英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經接收市場首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節點。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術，以確保產品競爭力。Hig
- 關鍵字： 英特爾 High-NA EUV 臺積電
拆解報告：HYPER JUICE 100W 3C1A氮化鎵快充充電器HJ417
- 海外知名充電配件品牌HYPER JUICE近期在indiegogo上眾籌了一款全新的100W快充充電器。這款產品基于納微GaNFast氮化鎵功率芯片，采用堆疊設計思路，不僅支持自帶可折疊的插腳，而且還集成了一個AC插口，在使用時，不會占用兩孔插座，并支持最多16款充電器堆疊使用。 回到充電本身也是頗有亮點，配備了3C1A四個輸出接口，可同時滿足四臺電子設備的充電需求；在單口輸出時，C口支持盲插輸出100W。同時借助氮化鎵技術的優勢，實現了小巧的外形尺寸，出門攜帶比較方便。 關于這款產品的性能，充電
- 關鍵字： HYPER JUICE 氮化鎵 充電器
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