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        high-na euv 文章 最新資訊

        EUV微影技術準備好了嗎?

        •   又到了超紫外光(EUV)微影技術的關鍵時刻了。縱觀整個半導體發展藍圖,研究人員在日前舉辦的IMEC技術論壇(ITF)上針對EUV微影提出了各種大大小小即將出現的挑戰。   到了下一代的10nm節點,降低每電晶體成本將會變得十分棘手。更具挑戰性的是在7nm節點時導入EUV微影。更進一步來看,當擴展到超越5nm節點時可能就需要一種全新的晶片技術了。   目前最迫在眉睫的是中期挑戰。如果長久以來一直延遲的EUV微影系統未能在2017年早期就緒的話,7nm制程將會成為一個昂貴的半節點。   不過,研究人
        • 關鍵字: EUV  SanDisk  

        臺積電采購EUV 2018年或邁入7納米時代

        • 按照現在量產產品工藝進展的速度,幾乎可以預見的是,2018年上7納米的愿望很美好,但是實際情況卻困難重重,幾乎是不太可能的事,即便在技術上能實現,在商業上來看也不能算是理性的選擇。
        • 關鍵字: 臺積電  7納米  EUV  

        2016年EUV降臨 半導體格局生變

        •  ASML公司第3代極紫外光(EUV)設備已出貨6臺。這預示著預示了全球兩家頂級大廠未來采用EUV光刻技術,在10nm的量產關鍵技術選項中幾乎同步,或者說臺積電在10nm時順利趕上業界龍頭英特爾。
        • 關鍵字: 半導體  EUV  

        EUV將在7納米節點發威?

        •   核心提示:荷蘭半導體設備大廠 ASML 現在勉為其難地承認了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況:大多數半導體廠商仍將采用傳統浸潤式微影技術來生產10奈米制程晶片,而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術;不過這恐怕將使得10奈米節點因為無法壓低每電晶體成本,而成為不受歡迎的制程。   荷蘭半導體設備大廠 ASML 現在勉為其難地承認了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況:大多數半導體廠商仍將采用傳統浸潤式微影技術來生產10奈米制程晶片,而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術;不過這恐怕將使得
        • 關鍵字: EUV  7納米  

        KLA-Tencor推出Teron? SL650 光罩檢測系統

        •   KLA-Tencor 公司(納斯達克股票代碼:KLAC)宣布推出 Teron? SL650,該產品是專為集成電路晶圓廠提供的一種新型光罩質量控制解決方案,支持 20nm 及更小設計節點。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學技術,提供必要的靈敏度和靈活性,以評估新光罩的質量,監控光罩退化,并檢測影響成品率的光罩缺陷,例如在有圖案區和無圖案區的晶體增長或污染。此外,Teron SL650 擁有業界領先的產能,可支持更快的生產周期,以滿足檢驗
        • 關鍵字: KLA-Tencor  SL650  EUV  

        EUV遭受新挫折 半導體10nm工藝步伐蹉跎

        • 當半導體工藝發展到10nm水平時,傳統的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰,所有經典物理的規律在量子水平下都有可能失效,必須在硅材料之外尋找一種新的、實用的思路來進一步延續集成電路的發展。
        • 關鍵字: EUV  10nm  

        EUV光刻技術或助力芯片突破摩爾定律

        •   據美國科技博客Business Insider報道,在近50年的科技發展中,技術變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質疑聲中,英特爾堅定不移地延續著摩爾定律的魔力。   摩爾定律是由英特爾聯合創始人GordonMoore提出,內容為:當價格不變時,集成電路上可容納的晶體管數目,約每隔18個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。換言之,每一美元所能買到的電腦性能,將每隔18個月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術進步的速度。   在幾十年來,芯片技術得以快速變革和發展,變得更加強大,節省了更
        • 關鍵字: EUV  摩爾定律  

        ASML提升新EUV機臺技術生產效率

        •   微影設備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術的生產效率,在2012年購并光源供應商Cymer后,大幅提升光源效率,從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦,2012年提升至20瓦,目前已達55瓦,每小時晶圓產出片數為43片,預計2013年底前,可達到80瓦的目標,2015年達250瓦、每小時產出125片。   半導體生產進入10納米后,雖然可采用多重浸潤式曝光方式,但在一片晶圓上要進行多次的微影制程曝光,將導致生產流程拉長,成本會大幅墊高,半導體大廠為
        • 關鍵字: ASML  EUV  

        ASML:量產型EUV機臺2015年就位

        •   極紫外光(EUV)微影技術將于2015年突破量產瓶頸。傳統浸潤式微影技術在半導體制程邁入1x奈米節點后將面臨物理極限,遂使EUV成為產業明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠,合力改良EUV光源功率與晶圓產出速度,預計2015年可發布首款量產型EUV機臺。   ASML亞太區技術行銷協理鄭國偉提到,ASML雖也同步投入E-Beam基礎研究,但目前對相關設備的開發計劃仍抱持觀望態度。   ASML亞太區技術行銷協理鄭國偉表示,ASML于2012年
        • 關鍵字: ASML  EUV  

        全球半導體代工業正孕育惡戰

        •   5月7日消息,全球代工市場規模繼2011年增長7%,達328億美元之后,2012年再度增長16%,達到393億美元,預計2013年還將有14%的增長。   臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”,但是隨著英特爾開始接受Altera的14nm FPGA訂單,明顯在與臺積電搶單,兩大半導體巨頭開始出現較為明顯的碰撞。目前,臺積電已誓言將加速發展先進制程技術,希望在10nm附近全面趕上英特爾。   而另一家代工廠格羅方德近日也發出聲音,要在兩年內,在工藝制程方面趕上臺積電。   
        • 關鍵字: 半導體代工  EUV  

        Intel:14nm進展順利 一兩年后量產

        •   Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說,Intel 14nm工藝的研發正在按計劃順利進行,會在一到兩年內投入量產。   2013年底,Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項新工藝的開發,并為其投產擴大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資,因此量產要等到2014年了。   而從2015年開始,Intel又會陸續進入10nm、7nm、5nm等更新工藝節點。   Rattner指出,Intel
        • 關鍵字: Intel  晶圓  EUV  

        High-end A4監聽音箱的制作

        • 一、設計及制作由于普通家庭室.內空間不夠寬敞,要求音箱做得盡可能小巧一些,擺放在室內不致引人注意。然而,音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關系:no=knmiddot;f33middot;VB上式中,kn是箱體系
        • 關鍵字: 制作  音箱  監聽  A4  High-end  

        High-end A4監聽音箱的制作方法

        • 一、設計及制作由于普通家庭室.內空間不夠寬敞,要求音箱做得盡可能小巧一些,擺放在室內不致引人注意。然而,音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關系:no=knmiddot;f33middot;VB上式中,kn是箱體系
        • 關鍵字: 制作方法  音箱  監聽  A4  High-end  

        臺積電2016年10nm制程才將采用EUV技術

        • 而關于臺積電是否足夠支應大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認為,臺積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現金,估計今年全年,從盈余中可望取得93億美元左右的現金流,且臺積電今年預估會再募集10億美元左右的公司債,因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出,以及用于ASML的投資費用。
        • 關鍵字: 臺積電  EUV  

        安森美ADS軟件的 High-Q IPD工藝設計套件

        • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
        • 關鍵字: 安森美  ADS  High-QIPD  高電阻率  硅銅  
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