移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應用和測試儀表應用而設計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業界領先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統設計人員帶來提高系統性能和可靠性所需的靈活性，同時減少了元件數量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業務
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GaN 功率放大器
奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術的EV逆變器技術演示器。 GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關拓撲。在汽車領域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關心的問題。現在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
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Nexperia GaN EV逆變器
小米集團和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術已被小米采用，用于旗艦產品Mi 10 PRO智能手機。 小米董事長兼首席執行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導體材料，其運行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進行0至100％的充電。
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小米 GaN 納微半導體
近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數據中心、電信設備、工業自動化和高端電源。Nexperi
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Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創新與產業聯盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰略合作協議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發，充分發揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢，并推動其在眾多領域實現廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統硅器件。然而，在各類應用中
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IGBT SiC GaN
全球SiC晶圓市場規模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術進一步應用于功率及射頻元件中。
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Cree 射頻 GaN on SiC磊晶技術
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數量。從歷來經驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權衡，但德州儀器正通過所有這些優勢實現設計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節省系統級成本，并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
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德州儀器 600V氮化鎵（GaN）功率器件
MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI)
(以下簡稱“MACOM”)和意法半導體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴大ST工廠150mm
硅基GaN的產能，200mm硅基GaN按需擴產。該擴產計劃旨在支持全球5G電信網建設，基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協議。 隨著全球推出5G網絡并轉向大規模MIMO(M-MIMO)天線配置，射頻RF功率產品需求預計
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MACOM GaN
全球領先的半導體解決方案供應商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”)
宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA)
產品組合。該寬帶PA模塊經過優化改良，適用于陸地移動無線電系統(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰術通信和電子對抗 (ECM)
領域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、
兩級PA架構的高效設計，以及頂端和底端安
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MACOM GaN
目前，氮化鎵(GaN)技術已經不再局限于功率應用，其優勢也在向射頻/微波行業應用的各個角落滲透，而且對射頻/微波行業的影響越來越大，不容小覷。因為它可以實現從太空、軍用雷達到蜂窩通信的應用。雖然GaN通常與功率放大器(PA)相關度很高，但它也有其他用例。自推出以來，GaN的發展歷程令人矚目，隨著5G時代的到來，它可能會更加引人關注。
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GaN RF
目前射頻前端元器件基本均由半導體工藝制備，如手機端的功率放大器(PA)和低噪聲放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻(RF)開關主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對5G的Sub-6GHz范圍。以PA為例，許多業內人士認為，GaN技術的運用將能為PA帶來高效低功耗的優勢。
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射頻 GaN
今年整個產業在技術上也是節節攀升，2018年可以說是產業高速發展的一年，全球電子產業也產生了眾多技術突破。
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芯片，GaN
目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發揮傳統的硅器件無法實現的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯網)之一的汽車方面，會有非常廣闊的發展前景。 然而，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來。 實際上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
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半導體 SiC GaN
移動應用、基礎設施與航空航天應用RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?(納斯達克代碼：QRVO)憑借行業首款 28 Ghz 氮化鎵 (GaN)
前端模塊 (FEM) --- QPF4001 FEM，擴大了其 5G 業務范圍。在基站設備制造商涉足 5G 之后，這款新 FEM
可以幫助他們降低總體系統成本。 據 SNS Telecom & IT 介紹，28 GHz 頻段是早期基于 5G 的固定無線接入 (FWA) 部署的首選頻段，使運營商能夠滿足
5G 對速度、延遲、可靠性和容量的
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QORVO GAN
在多倫多一個飄雪的寒冷日子里。 我們幾個人齊聚在本地一所大學位于地下的高級電力電子研究實驗室中，進行一場頭腦風暴。有點諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，當然不是要生熱取暖，而是如何減少功率轉換器產生的熱量。我們已經將MOSFET和IGBT分別做到了極致，但是我們中沒有人對此感到滿意。在這個探討過程中，我們盤點了一系列在高壓環境中失敗的設備。 在那個雪花漫天飛舞的日子里，我們聚焦于選擇新方法和拓撲，以尋求獲得更高的效率和密度，當然也要找到改進健全性的途徑。一位高級研究員幫助總
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德州儀器 GaN
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