gan-on-sapphire器件 文章 最新資訊
Transphorm的表面貼裝封裝產品系列增加行業(yè)標準TO-263 (D2PAK)封裝產品,擴大SuperGaN平臺的優(yōu)勢

- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布,新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應晶體管 (FET),典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD,豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
- 關鍵字: Transphorm GaN
東芝級聯(lián)共源共柵技術解決GaN應用痛點

- 受訪人:黃文源 東芝電子元件(上海)有限公司半導體技術統(tǒng)括部技術企劃部高級經理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體,在材料特性上有什么相似之處和不同之處?根據其不同的特性,分別適用在哪些應用領域?貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品? 回答:自從半導體產品面世以來,硅一直是半導體世界的代名詞。但是,近些年,隨著化合物半導體的出現(xiàn),這種情況正在被逐漸改變。通常,半導體業(yè)界將硅(Si)作為第一代半導體的代表,將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
- 關鍵字: 東芝 GaN 級聯(lián)共源共柵
破解SiC、GaN柵極動態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

- SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性,能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時,SiC、GaN極快的開關速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰(zhàn),稍有不慎就無法獲得正確的波形,從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動態(tài)特性測量中,最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅動電壓VGS的測量,包括兩個部分:開關過程和Crosstalk。此時是無法使用無源探頭進行測量的,這會導致設備和人員危險,同時還會由
- 關鍵字: SiC GaN 柵極動態(tài)測試 光隔離探頭
學貫中西(8):從GAN領悟人機協(xié)同創(chuàng)新之道

- 1 回顧:GAN里的兩個角色在上一期里,詳細介紹了 GAN( 生成對抗網 ) 里的 兩個角色:生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。 其中的生成者,又稱為創(chuàng)新者,而判別者又稱為鑒賞者。 在常見的圖像繪畫領域,其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是: G( 創(chuàng)新者 ) 負責創(chuàng)作圖片;而 D( 鑒賞者 ) 負責辨別一 張圖像的真或假,然后引領 G 逐步改進,止于完美逼 近目標。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式,屬于 AI 機器與機器之 間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而,在 AI 科技不斷
- 關鍵字: 202206 GAN 人機協(xié)同
毫米波技術需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產品

- 5G 通信正在改變我們的生活,同時也在促進產業(yè)數字化轉型,為工業(yè)、汽車和消費電子等行業(yè)提供了巨大的應用想象空間與市場機會,例如實現(xiàn)創(chuàng)建人與機器人和諧共存的環(huán)境,高質量醫(yī)療,并且加速實現(xiàn)安全的自動駕駛汽車,等等。● 打造未來智能工廠——5G 無線網絡可以幫助工廠實現(xiàn)更高的可靠性,例如縮短延遲時間、提高生產效率。在人與機器人共存的世界里,更強的連接可以改善人機互動,并降低事故風險。● 提供高質量的醫(yī)療服務——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實施遠程監(jiān)測,進行生命體征檢測,并將信息傳輸給基于云的診斷
- 關鍵字: 202206 毫米波 5G GAN
TI:運用GaN技術可提升數據中心的能源效率
- 德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮,26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示,TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵(GaN)技術的潛力,以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數據中心正在擴建 – 以氮化鎵技術實現(xiàn)更高效率」為題,分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術為數據中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示,隨著各產業(yè)領導者期盼透過數據中心實現(xiàn)技術創(chuàng)新,從而也提高了運算能力的需求,TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術的潛力,以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。他也強調,
- 關鍵字: TI GaN 數據中心 能源效率
gan-on-sapphire器件介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan-on-sapphire器件!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對gan-on-sapphire器件的理解,并與今后在此搜索gan-on-sapphire器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對gan-on-sapphire器件的理解,并與今后在此搜索gan-on-sapphire器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
