如何設計防反接保護電路？-利用MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
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mos
揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當今的開關電源設備中，MOS管的特性、寄生參數和散熱條件都會對MOS管的工作性能產生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關鍵參數對電源設計工程師至關重要。
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MOS 電源
接近62%的能源被白白浪費
美國制造創新網絡(目前稱為MgfUSA)已經闡明了美國制造業規劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯網自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創新研究院“美國電力創新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創新中心。
圖1：整體的能源轉換效率約在38
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SiC GaN
未來五年，通信產業向5G時代的革命性轉變正在深刻重塑RF(射頻)技術產業現狀。這不僅是針對智能手機市場，還包括3W應用RF通信基礎設施應用，并且，5G將為RF功率市場的化合物半導體技術帶來重大市場機遇。
未來幾年，據Yole最新發布的《RF功率市場和技術趨勢-2017版》報告預計，隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長，RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間，整體RF功率市場營收或將增長75%，帶來9.8%的復合年增長率。這意味著市場營收規模將從2016年的15億美元增長至202
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GaN 5G
展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術，LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
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5G GaN
隨著集成電路工藝制程技術的不斷發展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰。
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MOS FinFET
什么是MOCVD?
MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
MOCVD設備主要用于半導體材料襯底的外延生長，是LED以及半導體器件的關鍵設備。
根據Technavio統計，全球MOCVD市場的復合年平均增長率將在2021年之前增長到14%，市場規模將從201
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MOCVD GaN
作為工作于開關狀態的能量轉換裝置，開關電源的電壓、電流變化率很高，產生的干擾強度較大；干擾源主要集中在功率開關期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數字電路干擾源的位置較為清楚；開關頻率不高（從幾十千赫和數兆赫茲），主要的干擾形式是傳導干擾和近場干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
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EMI 開關電源 MOS
隨著無線通信的帶寬、用戶數目以及地理覆蓋范圍擴展，基地臺收發器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優勢，首先，最明顯的好 處是降低運營成本；同時，更少的熱意味著更低的設備冷卻需求以及更高的可靠性。
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GaN AMO 放率放大器 LINC DPDm
如同摩爾定律所述，數十年來，芯片的密度和速度正呈指數級成長。眾所周知，這種高速成長的趨勢總有一天會結束，只是不知道當這一刻來臨時，芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術的發展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規模集成電路(VLSI)中常見的多種效應變得原來越重要且難以控制，天線效應便是其中之一。
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IC設計 天線 天線效應 充電損害 MOS
在開關電源電路設計當中，電流的轉換分為很多種。其中直流轉換是較常見的一種設計。通常稱為DC-DC轉換，是指將一個電壓值轉化為另一個電壓值電能的裝置。直流轉換設計在開關電源當中非常常見，也是新手接觸比較多一種電路設計，本篇文章將為大家介紹這種電路當中非同步與同步的區別。
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DC-DC MOS 同步 開關電源 非同步
GaN 功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
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GaN SiC 第三代半導體材料
MACOM是半導體行業的支柱型企業，在60多年的蓬勃發展歷程中，公司敢于采用大膽的技術手段，為客戶提供真正的競爭優勢并為投資者帶來卓越的價值，致力于構筑更加美好的世界。
在基礎設施的建設領域中，MACOM的技術提高了移動互聯網的速度和覆蓋率，讓光纖網絡得以向企業、家庭和數據中心傳輸以前無法想象的巨大通信量，讓數百萬人在生活中每時每刻方便地交流溝通。
日前在上海舉辦的EDICON展會上，MACOM展出了一系列應用在基礎設施領域中的射頻功率晶體管產品，根據客戶的需求及痛點提供一站式解決方案。
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MACOM GaN
汽車功率電子產品正成為半導體行業的關鍵驅動因素之一。這些電子產品包括功率元器件，是支撐新型電動汽車續航里程達到至少200英里的核心部件。
雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩健增長，2015-2020年該行業的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動的電動汽車在該行業成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源
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