- 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術的發展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅襯底 GaN
- Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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MOCVD GaN LED芯片
- 三菱電機攜同汽車用J系列EV-IPM和EV T-PM，在6月21日于上海國際會議中心開幕的PCIM 2011亞洲展（展位號A78-A87）中亮相，向參觀者介紹高性能、超可靠、低損耗的汽車用功率半導體模塊，大受廠家歡迎。
受到近幾年環保意識提高的影響，混合動力汽車和電動汽車等市場不斷擴大。由于對汽車有著很高的安全性要求，因而對用于汽車馬達驅動的功率半導體模塊，
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三菱 EV-IPM EV T-PM
- 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設計，設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN S波段 寬帶 放大器
- 摘要：為了實現GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究。考慮了GaN基材料中的自發極化和壓電極化效應，通過設計適當的量子阱結構，利用自發極化和壓電極化的互補
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設計 探測器 紅外 量子 GaN
- 過去10年中，盡管永磁同步馬達(PMSM)備受推崇，使用率也日益增加，但標準三相感應馬達(IM)仍然是使用得最廣泛的馬達。啟動IM最簡單的辦法是把馬達直接接入三相交流電，以往業界采用星三角(Star-Delta)啟動和軟啟
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三相 感應 馬達 IM 驅動 IPM 智能 功率 模塊 利用
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試，數據表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內可實現功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
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設計 功率放大器 GaN 一種
- 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業界的普遍關注。
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GaN LED 襯底 功率型
- 美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規模。iSuppli預測，該產品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優點，可提高電源電路的轉
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GaN MOSFET
- 結合三相電機的調速控制原理，對高速數字信號處理器(DSP)TMS320F2812和三菱智能功率模塊DIP-IPM進行了詳細的介紹，提出了完整的的通用變頻電路設計方案。實驗結果表明，該方法控制精度高，工作穩定，能夠實現多種類型變頻調速。
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DIP-IPM 2812 TMS 32
- O 引言
無刷直流電機因其體積小，重量輕，維護方便，高效節能等一系列優點，被廣泛用于各個領域。尤其隨著高性能的單片機和專門用途的DSP(Digital Signal Processor)微處理器和集IGBT模塊及其驅動和保護于一身的
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IPM 無刷直流電動機 智能功率模塊 DSP 驅動 放大器 BLDC
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