4月15日消息，富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出具業界最低運行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。 此FRAM產品采用I2C接口，能以最高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V寬電源電壓運行。此外，其平均電流極低，以3.4 MHz運行時為170 μA;以1 MHz運行時則為80 μA。 除了具業界標準8引腳SOP(small outline package)之外，富士通還提
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富士通 FRAM
在計量儀表行業，水表/氣表目前仍是不同于電表的一個“藍海”市場，對成本的敏感度遠低于對功耗的敏感度，正是因為這一特點，使得FRAM這一無電池存儲技術在無論是通信單元(中繼)還是計量單元都得到越來越多的應用。 而在深圳最近舉辦的2015智能水/氣計量及管網執行力論壇(WATER&GAS METERING China2015)上，富士通半導體的展臺人頭攢動，業界對這一新型存儲技術的關注可見一斑，FRAM在電表領域的成功很快將延伸到一顆電池要用10-15年的水/氣表中，甚至有過
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富士通 FRAM
開車的朋友可能會有這樣的經歷，當您經過高速公里收費站時，您的交通收費卡在進站和出站時偶爾會無法讀取，原因是您的交通卡使用的頻率比較高，超過了它的讀寫次數。目前，這些交通卡大部分是采用內嵌EEPROM的RFID制作的，而如果將智能交通卡中的EEPROM換成FRAM，問題就迎刃而解了。
“采用FRAM 的RFID的讀寫次數可以達到1012，而采用EEPROM 的RFID的讀寫次數最多只有一百萬次，這就是為何高速收費處偶爾會出現數據讀不出的問題。”富士通半導體(上海)有限公司市
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FRAM RFID
富士通半導體臺灣分公司宣布成功開發及推出1Mb FRAM(鐵電隨機存取記憶體)的MB85RS1MT元件，并采用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實現將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM成為最小尺寸的FRAM元件。
WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應用產品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低，并提供更持久的電池續航力。
穿戴式市場是目
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富士通 FRAM
富士通半導體臺灣分公司宣布成功開發及推出1Mb FRAM(鐵電隨機存取記憶體)的MB85RS1MT元件，并采用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實現將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM成為最小尺寸的FRAM元件。
WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應用產品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低，并提供更持久的電池續航力。
穿戴式市場是目
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富士通 FRAM
引言：
FRAM存儲器可為可穿戴電子產品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。
正文：
鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應用于工業控制系統、工業自動化、關鍵任務空間應用、高可靠軍事以及各種汽車應用。使FRAM適用于這些應用的特征也使之成了可穿戴應用的可行技術，因為FRAM技術與生俱來的附加屬性包括低功耗與高耐用性。
電子可穿戴設計的一個主要注意事項是在提升可靠性的同時降低總體功耗。設計人員必須在增加功能的同時降低系統功耗，以便延長電池使用壽命。與此同時，嵌入式軟件的大小和復雜性
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FRAM 存儲器
為了解決困擾工程師們數十年的設計難題，德州儀器 (TI) (NASDAQ: TXN) 日前宣布推出具有革命性的Compute Through Power Loss (CTPL)技術，以在包括全新MSP430FR6972 MCU的整個MSP430TM FRAM微控制器 (MCU) 產品系列中實現數據存儲與恢復。這項正在申請專利的技術能夠在應用程序意外斷電后通過智能系統狀態恢復實現瞬時喚醒。此外，具有TI CTPL技術的全新MSP430FR6972 MCU包含了集成的智能模擬和數字外設，用于減少系統成本、
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德州儀器 FRAM
鐵電記憶體(FRAM，或FeRAM)在1990年代中期被認為將成為主流技術，但至今仍與其他眾多新記憶體技術一樣，并沒有如預期般迅速崛起。FRAM的內部運作原理類似DRAM，有媲美SRAM的高速度以及如同快閃記憶體的非揮發性;在1980年代首個成功的FRAM電路問世，其通用功能就被認為可以在許多應用中取代DRAM、SRAM與EEPROM。
“那樣的情況就是沒有發生，”半導體產業分析師Jim Handy (來自Objective Analysis)在Cypress收購FRAM
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FRAM
“有了金剛鉆，敢攬瓷器活”，當物聯網(IoT)、智能汽車、高清視頻等熱門應用載著滿滿的財 富襲來之時，半導體廠商是否有足夠先進的技術以應對呢?尤其是在需要高性能的細分市場，對于半導體廠商的要求更高。例如，物聯網需要小型、低功耗、高可靠 的存儲器解決方案，智能汽車需要先進的圖形顯示控制器以實現ADAS功能，而實時4K則需要H.265編碼能力。
在本屆慕尼黑上海電子展上，相關廠商展示的幾項“低調奢華有內涵”的相關技術方案引起了 筆者的關注：高可靠FRA
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物聯網 智能汽車 FRAM 高清視頻
MSP430FR59x/69x FRAM MCU產品系列集成了涵蓋32KB至128KB嵌入式FRAM的EnergyTrace++?實時功耗分析器和調試器。這些MSP430? MCU非常適用于智能計量儀表、可佩戴式電子產品、工業和遠程傳感器、能量收集裝置、家庭自動化設備、數據采集系統、物聯網(IoT)以及更多需要超低功耗、靈活內存選擇和智能模擬集成的應用。
EnergyTrace++技術是全球第一個能使開發人員為每個外設實時分析功耗(電流分辨率低至5nA)的調試系統。這
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FRAM 物聯網
近日，富士通半導體(上海)有限公司市場部經理蔡振宇介紹了FRAM(鐵電存儲器)產品在應用中的獨特優勢。擁有15年FRAM量產經驗的富士通半導體，用“多、快、省”形象地概括出FRAM的特點。“多”指的是FRAM的高讀寫耐久性(1萬億次)的特點，可以頻繁記錄操作歷史和系統狀態;“快”指的是FRAM的高速燒寫(是EEPROM的40000倍)特性，這可以幫助系統設計者解決突然斷電數據丟失的問題;“省”是FRAM超低
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富士通 FRAM EEPROM 201503
在海量的固態存儲技術已經非常廣泛應用、云存儲正在盛行的今天，還有一種KB、MB量級的存儲技術大賣，并且在物聯網、醫療電子、消費電子、工業電子……幾乎所有的行業中無處不在。這種存儲技術就是鐵電存儲器(FRAM)。在近日于深圳舉辦的易維訊年度中國ICT媒體論壇上，富士通半導體(上海)有限公司市場部經理蔡振宇分享了FRAM產品在應用中的獨特技術特性優勢，特別是FRAM RFID和認證FRAM方面眾多的創新應用案例對電子產品的設計具有很好的創新啟發，受到與會嘉賓的關注。
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FRAM EEPROM
在海量的固態存儲技術已經非常廣泛應用、云存儲正在盛行的今天，還有一種KB、MB量級的存儲技術大賣，并且在物聯網、醫療電子、消費電子、工業電子……幾乎所有的行業中無處不在。這種存儲技術就是鐵電存儲器(FRAM)。在近日于深圳舉辦的易維訊年度中國ICT媒體論壇上，富士通半導體(上海)有限公司市場部經理蔡振宇分享了FRAM產品在應用中的獨特技術特性優勢，特別是FRAM RFID和認證FRAM方面眾多的創新應用案例對電子產品的設計具有很好的創新啟發，受到與會嘉賓的關注。
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FRAM 物聯網
鐵電隨機存取記憶體(Ferroelectric RAM，FRAM;或稱FeRAM)由于結合了ROM與RAM的優勢，具備非揮發性、高速寫入、高耐受度、低功耗等方面的條件，在這幾年來不斷擴大市場版圖，特別是在工業應用領域備受矚目;隨著物聯網(IoT)崛起，FRAM也可望在各類智慧連網裝置上找到更多新應用商機。
在FRAM技術領域耕耘15年的日商富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)，自1999年首度量產 FRAM 元件以來，全球出貨量累計已超過25億顆，具備多樣化的產品種類選擇;
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富士通 鐵電存儲器 FRAM
fram介紹
鐵電存儲器（FRAM）產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優勢結合在一起。FRAM產品包括各種接口和多種密度，像工業標準的串行和并行接口，工業標準的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
非易失性記憶體掉電后數據不丟失。可是所有的非易失性記憶體均源自ROM技術。你能想象到,只讀記憶體的數據是不可能修改的 [
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