富士通為1Mb序列FRAM開發(fā)超小型封裝

　　富士通半導(dǎo)體臺灣分公司宣布成功開發(fā)及推出1Mb FRAM(鐵電隨機(jī)存取記憶體)的MB85RS1MT元件，并采用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實(shí)現(xiàn)將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM成為最小尺寸的FRAM元件。

　　WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應(yīng)用產(chǎn)品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低，并提供更持久的電池續(xù)航力。

　　穿戴式市場是目前備受矚目的焦點(diǎn)，并以驚人的速度快速拓展。穿戴式市場涵蓋種類繁多，包括眼鏡和頭戴式顯示器等配件、醫(yī)療裝置如助聽器和脈搏計(jì)等，以及可記錄卡路里消耗量和運(yùn)算資料的活動記錄器。而這些眾多裝置的共同點(diǎn)，皆為須持續(xù)的即時記錄資料。

　　一般的非揮發(fā)性記憶體技術(shù)，如EEPROM和快閃記憶體只能確保資料完整性最少可寫入100萬次，而富士通的FRAM技術(shù)則可將資料完整性大大提高到保證最少10兆次讀/寫次數(shù)，因此對于在儲存即時記錄資料特別理想。

　　為了更加利用FRAM的上述特性，富士通半導(dǎo)體如今為其MB85RS1MT產(chǎn)品線中的1Mb FRAM元件增添了全新WL-CSP封裝。MB85RS1MT元件已采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的SOP封裝，然而采用WL-CSP封裝后，其體積僅3.09×2.28×0.33mm大小，而封裝面積只有SOP封裝的23%;換言之，即能比SOP封裝的面積減少77%。此外，其厚度僅0.33 mm，相當(dāng)于信用卡厚度的一半，而封裝體積更比SOP封裝小了95%。

　　低功耗作業(yè)是FRAM眾多優(yōu)點(diǎn)之一。相較于一般使用的EEPROM非揮發(fā)性記憶體，F(xiàn)RAM寫入資料的速度也比較快，因此可在寫入資料時大幅降低功耗。基于此原因，為了即時記錄而需經(jīng)常性寫入資料的穿戴式裝置在采用此FRAM后，可擁有更佳電池續(xù)航力和更小體積的優(yōu)勢。

　　采用WL-CSP封裝的MB85RS1MT元件，對穿戴式裝置廠商而言則是提供更小、更薄和功能更豐富的產(chǎn)品，并大幅延長電力。