FRAM存儲“多、快、省”

　　近日，富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市場部經(jīng)理蔡振宇介紹了FRAM(鐵電存儲器)產(chǎn)品在應(yīng)用中的獨特優(yōu)勢。擁有15年FRAM量產(chǎn)經(jīng)驗的富士通半導(dǎo)體，用“多、快、省”形象地概括出FRAM的特點。“多”指的是FRAM的高讀寫耐久性(1萬億次)的特點，可以頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài);“快”指的是FRAM的高速燒寫(是EEPROM的40000倍)特性，這可以幫助系統(tǒng)設(shè)計者解決突然斷電數(shù)據(jù)丟失的問題;“省”是FRAM超低功耗(是EEPROM的1/1,000)特性，特別是寫入時無需升壓。

　　因此，采用串行接口的FRAM可以替代EEPROM或串行閃存，而采用并行接口的FRAM產(chǎn)品可以代替低功耗SRAM或PSRAM (Pseudo SRAM)。在封裝方面，目前FRAM基本可以直接替換EEPROM，F(xiàn)RAM的封裝和EEPROM的封裝是完全兼容的。

　　由于掌握著從FRAM的研發(fā)、設(shè)計到量產(chǎn)及封裝的整個流程，加上多年的經(jīng)驗，富士通半導(dǎo)體因而能保證FRAM產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨，并且產(chǎn)品線相當(dāng)寬泛，容量從4Kb到4Mb，涵蓋SPI和I2C串行接口、并行接口。現(xiàn)在該公司已經(jīng)在著手研發(fā)8Mb、16Mb的產(chǎn)品。

　　另悉，富士通半導(dǎo)體的FRAM最開始是以日本國內(nèi)應(yīng)用為主，后來逐漸拓展至醫(yī)療、智能儀表、工業(yè)自動化設(shè)備等多元化應(yīng)用領(lǐng)域。現(xiàn)在，該公司的FRAM主要包括三大類(單體FRAM、RFID和內(nèi)嵌FRAM的認證芯片)，在很多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了批量應(yīng)用。