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三星、東芝競擴產(chǎn)，NAND Flash恐跌三成

全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機構(gòu)IHS iSuppli最
關鍵字：三星東芝 NAND Flash

NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

我們使用的智能手機除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢，這就是我
關鍵字： NOR flash Nand flash FlaSh

DSP硬件設計需要知道的注意事項

數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進外圍設備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進步增加了DSP
關鍵字：硬件設計 FlaSh DSP

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構(gòu)架中中斷是如何操作
關鍵字： Flash SRAM 觸發(fā)中斷

NAND Flash合約價恐一路跌到年底

市調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫存水位依舊偏高，采購意愿薄弱，
關鍵字： NAND Flash

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點，他們強調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
關鍵字：燒錄 SmartPRO 6000 Nand Flash

東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣

　　據(jù)海外媒體報道，韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖)，且開始進行送樣。　　東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領先全球同業(yè)開始進行樣品出貨，且預計將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進行生
關鍵字：東芝 Flash

全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

　　許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長　　在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。　　我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段：　　第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣列
關鍵字： Flash 存儲器

全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

　　許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長　　在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。　　我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段：　　第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣
關鍵字： Flash 存儲器

中國半導體存儲器市場前景

本文介紹了存儲器芯片分類，國際存儲芯片廠商的發(fā)展情況，及我國存儲芯片供需情況。
關鍵字：存儲器市場 DRAM Flash 201607

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯　價格走揚

　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚。　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
關鍵字： NAND Flash

火災后瘋7供應商三星Flash廠部分復工

三星西安工廠受到變電站爆炸停電影響，對供應緊張的NAND Flash雪上加霜，不過事故后回復速度很快，給當?shù)毓╇娋趾腿菓碧幚睃c個贊。
關鍵字：三星 Flash

下半年NAND Flash一定缺貨，且會非常缺

　　全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長最強勁的記憶體產(chǎn)品;法人預估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價效應。　　慧榮是以臺灣為研發(fā)重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達克掛牌以來新高，市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。　　茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后，針對今年NAND Fl
關鍵字： NAND Flash

發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向

　　中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。　　某研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。　　　　預估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。　　拓墣
關鍵字： Flash 晶圓

TrendForce：2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片

　　中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。　　TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
關鍵字： Flash NAND

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flash介紹

閃存（Flash ROM）：是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構(gòu)成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導體技術(shù)，內(nèi)部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細 ]