fet 文章最新資訊

與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器電路

電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級，但一個等級內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時，
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隔離式FET脈沖驅(qū)動器原理及設(shè)計

隔離式FET脈沖驅(qū)動器原理及設(shè)計三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級聯(lián)功率級一般都含有大量功率 ...
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使用結(jié)型FET的簡易電壓控制放大器電路及工作原理

電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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保護(hù)汽車?yán)鋮s風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞

在嚴(yán)苛的汽車環(huán)境中，各種功率場效應(yīng)晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認(rèn)為可承受極端的溫度變化和熱機(jī)械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運(yùn)行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負(fù)載及多次短路久而久之會讓該器件疲損，致使其進(jìn)入開路、短路或阻性模式。
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通過優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率

　在計算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計人員開始認(rèn)識到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)。　　AC/DC平均系統(tǒng)
關(guān)鍵字：改善能量效率開關(guān) FET 優(yōu)化變換器通過

用射頻開關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號

智能手機(jī)代表了射頻個人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
關(guān)鍵字：射頻開關(guān) 隔離度插損 FET pHEMT

Intersil集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡化電源設(shè)計

簡介　　一提到電源設(shè)計，大多數(shù)工程師都會感到撓頭，他們往往會問，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓?fù)洹ń祲骸⑸龎骸lyback、半橋和全橋等。
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MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS-FET與電子管OTL功放的制作
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MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
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MOS—FET甲乙類功率放大器

MOS—FET甲乙類功率放大器
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TI 小貼士：圖例理FET知識

您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
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手把手教你讀懂FET選取合適器件

現(xiàn)在；一臺臺電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當(dāng)個開關(guān)...
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CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管

　　CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器. 　　
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如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

　　圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
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MOS-FET開關(guān)電路

MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路
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fet介紹

fet　　FET:場效應(yīng)管　　根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件　　-------------------------------------------------------------- 　　1.概念: 　　場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transisto [ 查看詳細(xì) ]