- 據IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。
直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數時間都處于供應不足局面，難以滿足中國各行業的需求，包括本地數據處理、消費與通信領域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設計的功率半導體器件，主要用于電源與DC-DC轉換器中的低電壓開關。
去年功率MOSFET在中國市場強勁增長，可能主要歸功于中國政府的推動。為了鼓勵投資和刺激經濟，中國政府推出了一系
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MOSFET 無線通信
- DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關應用，以及服務器的次級同步整流應用的設計人員，需要使用具有更低傳導損耗和開關損耗的MOSFET器件以期提高設計的效率。
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Fairchild MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，Vishay發布2011年的“Super 12”特色產品。這些元器件具有業界領先的規格標準，如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。這些創新產品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進行展示，是許多關鍵應用的上佳之選，也充分反映出Vishay產品線之豐富。
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Vishay MOSFET
- 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數方面找到了最佳平衡點，并且具有行業最低的RDS (on) (25V和30V均為亞1 mΩ級)，是高性能、高可靠性開關應用的理想之選。
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恩智浦 MOSFET
- 英飛凌的最新一代高壓CoolMOS? MOSFET取得了又一項創新，設立了能效的新標準。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS? CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續了600V CFD產品的優點，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產品的競爭優勢。
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英飛凌 MOSFET
- Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節省一半以上的占板空間，其結點至環境熱阻 (ROJA) 為256oC/W，在連續條件下功耗高達1.3W，而同類產品的功耗則多出一倍。
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Diodes MOSFET
- Diodes公司推出旗下有助節省空間的DFN3020封裝分立式產品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學性能與較大的SOT23封裝器件不相上下，可以替代兩個獨立的SOT23封裝MOSFET，節省七成的電路板空間。
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Diodes MOSFET
- 高電壓MOSFET技術在過去幾年中經歷了很大變化，給電源工程師帶來了不少選擇。只要提供有關不同技術的使用指南，就可以幫助工程師選擇合適的部件以達成其應用的效率和成本目標。了解不同MOSFET部件的細微差別及不同開
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MOSFET 高壓 合適 選擇 應用
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了一款優化版車用DirectFET?2 功率 MOSFET 芯片組，適合內燃機、混合動力和電動車中的DC-DC 應用。
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IR MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應用。
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IR MOSFET
- 據IHS iSuppli公司的研究，由于工業與消費領域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。
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IGBT MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應用。
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IR MOSFET
- 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 級) 版本，該器件是一款6A N 溝道MOSFET 柵極驅動器，在-55°C 至125°C的工作節溫范圍內工作。該高功率驅動器設計用于增加DC/DC 控制器的輸出功率及效率，從而使其能夠驅動高功率N 溝道MOSFET 或多個并聯的MOSFET。其柵極驅動電壓從5V 至8V 是可調的，從而允許設計師選擇標準門限或邏輯電平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的寬輸入
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Linear MOSFET 柵極驅動器
- Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布擴展了其MOSFET驅動器系列產品。在已獲得業界推崇的Microchip下橋臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驅動器上，Microchip推出全新下橋臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驅動器。經擴展后，這一低成本系列器件的額定峰值輸出電流為2A至4.5A，工作電壓范圍寬達4.5V至18V。全新器件具備使能輸入引腳，可實現關斷功能以節省能耗，并采用8引腳SOIC和8引腳6mm×5m
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Microchip MOSFET
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