- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
- 關鍵字：
GaN 半導體 SiC
- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
- 因照明用LED需求大增，三菱化學計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產能擴增至現行的2-3倍。
目前，三菱化學利用水島事業所和筑波事業所生產的GaN基板，生產的產品直徑為2寸，月產能分別為1,000片、數百片。
而為了要達到穩定獲利的水平，有必要將產品尺寸擴大至4-6寸，所以，三菱化學計劃借由調整水島事業所現有設備的制程，開始生產直徑為4寸的GaN基板，月產能為200-300片，并計劃憑借新設生產設備或增設廠房等措施，開始生產6寸GaN基板，將GaN基板產能擴增至現行的2-3倍
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LED GaN
- 隔離型磚式轉換器被廣泛應用于電信系統，為網絡設備供電，這些轉換器可以提供各種標準尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
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eGaN FET 硅功率器 轉換器
- 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優化正變得越來越重要。在開關期間，存在兩個過渡階...
- 關鍵字：
同步降壓 FET 時序設計
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業化
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富士通 功率器件 GaN
- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
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富士通 功率器 GaN
- 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優化正變得越來越重要。在開關期間，存在兩個過渡階段：低...
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電源設計 同步降壓 FET 時序
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側負載開關。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業界最寬泛電源電壓支持，是分立式 FET 開關的最靈活替代產品。
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TI TPS27081A FET
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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智能手機 功放 最佳效率 TD-LTE GaN
- 光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一
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FET 光電 電位器 光耦
- 在計算和消費電子產品中，效率已經有了顯著的提高，重點是AC/DC轉換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規范的出現，設計人員開始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統都需要改進。 AC/DC平均系統
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改善 能量 效率 開關 FET 優化 變換器 基于
- 圖1為一具有“二極管或”功能的電路，用于主電源和備用電源之間必須自動切換的場合，包括電池供電存儲器電...
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主電源 備用電源 FET-OR
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