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GaN 恩智浦 氮化鎵 射頻功率晶體管
- 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產品系列。該創新型產品系列能夠使得固態放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
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科銳 放大器 GaN
- 圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因此
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緩沖 方法 進行 電壓 FET 關斷 轉換器
- 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源...
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SiC 功率元件 GaN 導通電阻
- 所有關于醫療應用的產品在要求高可靠性的同時，仍然需要提供終端用戶想要的新技術與功能。由于各醫療設備...
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智能MOSFET 醫療電子 FET
- 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩態多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器，這樣可以減少IC的數量，事先了
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FET 輸入 OP放大器 模擬
- 硅上GaN LED不必受應力的影響，一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內量子效率接近40%。硅襯底在
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GaN LED 分析
- 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調制（AM）等效，可作為低頻調制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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VCA FET 幅度調制 乘法運算
- 音響發燒友在孜孜不倦的追求目標，就是自己的音響器材有更純真更自然的音質表現，單端純甲類功放，音質醇厚,偶次 ...
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單端 FET 甲類 功放
- 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產廠已分了幾種等級，但一個等級內仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態下的VP和VOS則比較方便。測量時，
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VOO 檢驗 電路 VP FET 結合 使用 萬用表
- 隔離式FET脈沖驅動器原理及設計三相控制整流器和變換器、矩陣循環換流器以及級聯功率級一般都含有大量功率 ...
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隔離式 FET 脈沖驅動器
- 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發生變
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FET 結型 電壓控制 放大器電路
- 在嚴苛的汽車環境中，各種功率場效應晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認為可承受極端的溫度變化和熱機械應力。間歇性短路、寒冷的運行環境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負載及多次短路久而久之會讓該器件疲損，致使其進入開路、短路或阻性模式。
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RTP器件 FET
- 在計算和消費電子產品中，效率已經有了顯著的提高，重點是AC/DC轉換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規范的出現，設計人員開始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統都需要改進。 AC/DC平均系統
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改善 能量 效率 開關 FET 優化 變換器 通過
- 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結構及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
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GaN LED
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