據外媒報道，DRAMeXchange的最新報告指出，用于移動設備的LPDDR DRAM協議價在今年第四季度將上漲10%～15%。
此前，LPDDR的價格是低于PC、服務器等平臺的，但這些年需求越來越猛，生產企業們也開始打起高利潤的主意。所以，不排除一些已經發布的千元機和尚未發布的千元機會在其售價上做出調整的可能。而旗艦機方面，因為本身緩沖空間較大，暫時不會受到沖擊。
因為DRAM在整個2018年的產能依然都弱于需求，預計安卓內存的軍備競賽會暫時停留在8GB，甚至像三星、華為等依然維持6GB
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LPDDR DRAM
DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現價格瘋漲現象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
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DRAM NAND
DRAM與NAND的區別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區別
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DRAM NAND RAM
DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization-隨著系統對內存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式，會帶來不同的效果。本文將對不同的組織方式及其效果進行簡單介紹。
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DRAM
次世代記憶體換當家？關于新當家的那點事-據韓媒BusinessKorea報導，IBM 和三星在電機電子工程師學會（IEEE）發布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發的STT-MRAM 的生產技術，成功實現10 奈秒（nanosecond）的傳輸速度和超省電架構，理論上表現超越DRAM。韓國半導體業者指出，16納米將是DRAM微縮制程的最后極限，包括FRAM在內的多種次世代存儲（其它包括MRAM）備受期待。
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dram fram
DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization-在 DRAM Storage Cell 章節中，介紹了單個 Cell 的結構。在本章節中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
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DRAM Memory Cells
某些FPGA終端，包含板載的、可以動態隨機訪問的存儲塊(DRAM)，這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高?！ RAM可以用來緩存大批量的數據，而且速度可以非?？?。針對一些特殊應用，比如：瞬時帶寬非常高，而且有要保存原始數據的時候，就可以用DRAM做一個大的FIFO緩沖?！ RAM的大小每塊板卡可能不同，一般在官網中對應板卡的說明中都會標明DRAM的大小(如果有DRAM的話)。比如，PXIe-7966R就有512M的DRAM空間?！ ttp://sine.ni.com/n
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FPGA DRAM
“2017年DRAM價格漲幅將達到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出預計。當下，以DRAM為代表的半導體存儲器在全球范圍內掀起漲價潮。
DRAM作為半導體存儲器的產品類型之一，常見產品形態是內存條，主要的兩個應用市場是PC和智能手機。據京東商城官網顯示，金士頓DDR424008G臺式機內存在半年內價格從400元左右漲至800元左右，同時金立集團董事長劉立榮在9月25日媒體交流會上稱，國產手機下半年仍會漲價，部分原因是內存成本上升。
集邦咨詢半導體
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內存條 DRAM
存儲器作為一種根據庫存、需求、產能因素變化而具有明顯周期性的行業，這一輪漲價大幅增加了國產智能手機和PC廠商的成本，目前部分智能手機已經漲價，幅度在100~500元不等。
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DRAM 三星
臺灣內存模塊廠威剛指出，由于服務器、智能手機及 PC 等 3 大市場在下半年需求陸續回溫， DDR4 在需求面三箭齊發下處于全面性的嚴重缺貨。 不但價格持續走揚，PC 大廠及渠道客戶也積極備貨，NAND Flash 閃存也在中國智能手機大廠積極備貨的推動下，價格仍呈多頭格局。
威剛進一步指出，在國際數據中心大廠對 DRAM 需求快速擴張之下，全球 DRAM 廠 2017 年皆無新增產線的投入，上游 DRAM 廠多以移轉 PC DRAM 產能因應，導致 PC DRAM 供給面臨嚴重的產能排擠效應，
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威剛 DRAM
AMD今年的新顯卡系列在性能上能與老對手NVIDIA的產品相匹敵，因此不少人覺得雙方的競爭會拉低顯卡價格。但是，分析師卻并不這么認為。
日本瑞穗金融集團分析師Vijay Rakesh認為，NVIDIA顯卡在下季度不僅會需求高漲，銷量可能也會超過預期30-50%之多。但這些需求增長并非來自于游戲玩家，而是加密貨幣礦工。
由于需求增長幅度如此之高，供應鏈也遭遇了非常大的壓力，因為制造顯卡所需的DRAM已經開始出現短缺。根據行業研究公司ICInsight的預計，DRAM的每比特價格將提高40%，
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顯卡 DRAM
聯電和兩名員工遭到內存大廠美光指控妨礙營業秘密，并遭到臺中地檢署起訴，共同總經理簡山杰認為是遭到「商業間諜」構陷入罪，但強調DRAM計劃不變，將于明年第4季完成第一階段技術開發。
聯電DRAM項目主要與福建晉華合作。
簡山杰表示，對于司法中的案件原本不應多言，但聯電極有可能碰到所謂的「商業間諜」，高度懷疑「帶槍投靠」是假的，可能「構陷入罪」才是真。 簡山杰質疑，主要涉案員工夫婦本來都在美光上班，其中先生去年4月主動跳槽聯電;據說，遭檢方搜索以后，妻子就被美光停職;涉案人全數認罪后，妻子就復
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晉華 DRAM
員工有無竊取機密資料可以查證，企業有無教唆員工偷竊，也可以透過證據來佐證，但如何定義一家企業“積極”與“未積極”防范∕規范員工的行為，這十分兩難。
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DRAM 存儲器
你如果問當前內存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內存市場,當前都處于供不應求的狀態。不過,在內存天下三分的大背景下,新一代存儲技術3D X-point、MRAM、RRAM等開始發出聲音, RRAM非易失性閃存技術是其中進展較快的一個。到目前為止,RRAM的發展進程已經超越了英特爾的3D X-point技術, Crossbar公司市場和業務拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術研討會上接受與非網的采訪時說:&ldquo
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RRAM DRAM
聯電日前與大陸福建晉華合作開發DRAM技術的案子中，因有美光(Micron)的離職員工將技術帶到聯電任職，不只是員工個人被起訴，聯電也被臺中地檢署根據違反營業秘密法而被起訴，理由是“未積極防止侵害他人營業秘密”，因此視為共犯。
我們可以從三大層面來探討聯電和大陸合作開發DRAM技術的案子。第一，臺灣半導體產業在這個合作案當中，損失了什么?;第二，聯電在建立DRAM自主技術的過程中，有無竊取美光技術?;第三，如果企業沒有教唆員工竊密，只因為“未積極防范&rdqu
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DRAM 聯電
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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