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        cxl dram 文章 最新資訊

        DRAM合約價再跌10%

        •   2010年12月下旬DRAM的合約價格持續重挫,其中2GB容量DDR3模塊的價格下跌10%,平均售價跌破20美元,低價來到17美元價格,相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期,2GB容量DDR3模塊價格較當時的價格已下跌超過50%,市場預期供過于求的情況至少還會再持續1季,因為2011年第1季的供給增加幅度相當大,預計要到2011年4月之后,等個人計算機(PC)大廠準備下半年旺季的備料,DRAM價格才有機會落底止跌。   
        • 關鍵字: 爾必達  DRAM  

        2010全球半導體市場增長遠超預期

        •   據市場研究公司iSuppli表示,今年全球半導體市場將較上年同期低迷的水平實現有史以來最大規模的增長,這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長。iSuppli預計,2010年全球半導體行業總收入或為3,040億美元,較2009年總收入2,295億美元高出大約三分之一。   
        • 關鍵字: 半導體  DRAM  

        2011年DRAM位元成長率上看50%

        •   2011年DRAM產業中,雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴產計劃,包括興建12寸晶圓廠Line-16,以及將現有Line-15升級至35納米制程,但綜觀整個DRAM產業的位元成長率,仍都是來自于制程微縮為主,包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%,以及海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產出,集邦科技預估2011年全球DRAM產業位元成長率(BitGrowth)將增加50%。   
        • 關鍵字: 三星電子  DRAM  

        2011年DRAM位元成長率上看50%

        •   2011年DRAM產業中,雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴產計劃,包括興建12寸晶圓廠Line-16,以及將現有Line-15升級至35納米制程,但綜觀整個DRAM產業的位元成長率,仍都是來自于制程微縮為主,包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%,以及海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產出,集邦科技預估2011年全球DRAM產業位元成長率(Bit Growth)將增加50%。   三星電子201
        • 關鍵字: 三星電子  DRAM  

        金士頓擴大在DRAM模組領域的領先優勢

        •   據iSuppli公司,2010年上半年金士頓增強了在第三方DRAM模組市場中的統治地位,在模組成本上漲之際利用其強大的購買力擴大了市場份額。   2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元,比2009年下半年勁增45.6%。其在全球第三方DRAM模組市場中的份額從2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士頓的表現遠遠優于總體DRAM模組市場,后者同期增長26%。   
        • 關鍵字: 金士頓  DRAM  

        三星TSV應用DRAM模塊首次實現商用化

        •   據南韓電子新聞報導,三星電子(Samsung Electronics)應用可大幅提升內存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術開發出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片,制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產品,10月時已裝設在客戶商服務器上,完成產品測試。   
        • 關鍵字: 三星  DRAM  

        爾必達與Rambus簽署新一期專利授權協議

        •   Rambus雖說是專利官司大戶,但他們也不是每次都靠這種方式掙錢。近日他們就與日本內存大廠爾必達簽署了新一期的專利授權協議。   此次雙方簽署的協議涉及產品極其廣泛,從久遠的SDR內存芯片到DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2再到GDDR3、GDDR5芯片。該協議為期五年,爾必達將向Rambus總共支付1.8億美元的授權費,首次付賬4700萬美元。   
        • 關鍵字: 爾必達  DRAM  

        海力士期望大陸市場能給其帶來轉機

        •   全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業績走弱,營運獲利下滑加上淡季效應與產品價格走跌等因素,有鑒于大陸市場潛力巨大,該公司擬加碼大陸資本投資金額,希望借此刺激營收。海力士大陸區負責人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時表示,公司計劃提高大陸廠制程技術,以生產高階晶片。     
        • 關鍵字: 海力士  DRAM  

        VLSI下調半導體及設備市場預測

        •   按VLSI市場調研公司的最新報告,今年無論半導體以及設備業都達到歷史上輝煌的年份之一,由此也導致可能產能過剩及芯片價格下降。   同時,該公司也更新了2011及2012年半導體及設備業的預測,為2011年半導體增長4.4%為2486億美元,以及2012年再增長7.9%。VLSI之前曾預測2011年半導體增長8%。   
        • 關鍵字: 半導體  DRAM  

        DRAM產業減產潮恐擴大

        •   11月下旬DRAM合約價跌幅超過10%,讓市場籠罩在烏云密布的氣氛當中,29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報價單日再跌7%,1Gb DDR3報價摜破1.3美元;DRAM業者則表示,1Gb DDR3 eTT價格單日大跌超過7%,其實只是以補跌來反應品牌顆粒的價格;然此跌價情況若再延續,不排除各家DRAM廠會有擴大減產的情況出現。  
        • 關鍵字: 力晶  DRAM  

        全球DRAM產業面臨二次崩盤潮危機

        •   全球DRAM產業再度面臨二次崩盤潮的危機,雖然2010年上半年在供給不足的情況下,DRAM報價達到頂峰,但下半年卻意外遇上個人計算機(PC)產業旺季不旺,加上DRAM產業供給端大量產出,使得DRAM價格再度面臨崩盤窘境,時至11月,上、下旬合約價連番重挫,且上旬跌幅高達12~13%,較上旬不到10%合約價持續擴大。   
        • 關鍵字: 力晶  DRAM  

        產能過剩導致DRAM價格持續下滑

        •   根據分析師和市場研究人員表示,個人電腦中的主要存儲元件DRAM的價格在2011年將會呈現下滑的狀態。瑞士信貸投資銀行預測,2011年中期DRAM市場仍將供過于求,但2011年下半年將恢復。該公司表示, DRAM季度收入將可能在明年二季度恢復之前,在第一季度探底。
        • 關鍵字: 三星  DRAM  

        DRAM供需待調整 

        •   南朝鮮軍事緊張關系對于DRAM報價激勵未產生實質性的幫助,市場還是回到供需面看待DRAM市場未來的前景;在DRAM供給端產出都集中在下半年,但個人計算機(PC)需求卻旺季不旺下,DRAM合約價和現貨價都呈現加速趕底之姿,預期2010年底前DDR3合約價將下跌至20美元水平,隨著爾必達(Elpida)、力晶陸續減產,以及三星電子(Samsung Electronics)的新廠Fab16進度將隨景氣調整,預計2011年下半DRAM市場可望走向供需平衡。   
        • 關鍵字: 爾必達  DRAM  

        三星計劃2011年下半推出20納米級制程DRAM

        •   三星電子(Samsung Electronics) 2011年將致力于提升DRAM存儲器半導體制程技術水平,再拉大與其它競爭業者間差距。三星半導體事業部專務趙南成表示,2010年采用30納米級制程制造DRAM,2011年上半計劃采行20納米級制程推出產品。三星計劃每年提升DRAM制程技術,維護業界領先地位。  
        • 關鍵字: 三星  DRAM  

        臺塑力挺南亞科

        •   臺塑集團旗下DRAM大廠南科辦理現金增資的時間點算是生不逢時,DRAM合約價和現貨價持續崩盤,16日是南亞科現增案原股東繳款的最后截止日,但股價跌破現增價每股新臺幣16.5元,所幸有臺塑集團出面宣布力挺決心,臺塑、南亞、臺塑石化及臺化等相關企業都出資認購,不足的部分預計會洽特定人吃下,這次南亞科募資的總金額為新臺幣99億元,目前臺塑集團對南亞科持股比重已超過60%。   
        • 關鍵字: 臺塑  DRAM  
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