SK海力士公司在7月12日表示，本月已經開始生產10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內存芯片生產中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產中應用EUV。根據SK海力士的說法，比起前一代規格的產品，第四代在一片晶圓上產出的DRAM數量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內存芯片，批量生產采用
關鍵字：
EUV DRAM
SK海力士宣布已于7月初開始量產適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動端DRAM產品。*
LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發的低功耗DRAM規格。“DDR”
為電子工程設計發展聯合協會(Joint Electron Device Engineering
Council，簡稱JEDEC)規定的DRAM規格標準名稱，DDR1-2-3-4為其順序進行換代。?圖1.
關鍵字：
SK海力士 10納米 DRAM
近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra代表美光發布多項產品創新，涵蓋基于其業界領先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內存和存儲創新產品，并推出業界首款面向汽車應用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創新產品和創新技術體現了美光通過內存和存儲創新加速數據驅動洞察的愿景，從而助力數據中心和智能邊緣的創新，突出了內存和存儲在幫助企業充分發揮數據經濟潛能方面的核心作用。在新的數據經濟背后，有一
關鍵字：
美光 176層NAND 1α DRAM
早在3月初，三星就發布了首個DDR5 DRAM存儲芯片。而近日，三星又公布了目前世界上首款CXL協議的DDR5內存，該內存將被用于服務器領域。三星稱，基于CXL的DDR5內存模塊采用了EDSFF尺寸，這允許服務器系統極大地提升內存容量和帶寬。新的內存模塊甚至可將內存容量拓展到TB級別，減少內存緩存所引起的系統延遲，并可加強服務器系統地機器學習、人工智能的能力。Compute Express Link (CXL) 是一種開放式互連新標準，于2019年由英特爾、谷歌等巨頭牽頭開發的。它主要面向CPU
關鍵字：
三星 CXL 內存模塊
過去三十年間，基于服務器的運算歷經多次飛躍式發展。在1990年代，業界從單插槽獨立服務器發展到服務器群集。緊接著在千禧年，產業首次看到雙插槽服務器；在這之后，多核處理器也相繼問世。進入下一個十年，GPU的用途遠遠超出了繪圖處理的范疇，我們見證了基于FPGA的加速器卡的興起。邁入2020年，SmartNIC網絡適配器（network interface card；NIC），即數據處理單元（DPU）開始風靡。它們大量采用FPGA、多核Arm叢集或是兩者混合運用，每種作法都能大幅提高解決方案的效能
關鍵字：
CXL CCIX SmartNIC PCIe 5
2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節點的DRAM產品，是目前世界上最為先進的DRAM 技術，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節點技術1α 節點DRAM 相當于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內存陣列激活區半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點，需要大幅縮小位線和字線間距——可以說是收縮
關鍵字：
202104 DRAM
近日，美光在業界率先推出 1α DRAM 制程技術。值此機會，該公司舉辦了線上媒體溝通會，執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預測，以及美光的研發、資本支出、產品布局等。執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年，全球GDP增長約5%。而根據不同分析師的預測，半導體產業預計增長可達12%，整個半導體產業的產值將達5020億美元。其中，內存與存儲預計增長可達19%，增度遠超整
關鍵字：
DRAM NAND
存儲芯片大廠美光（Micron）執行副總裁兼事業長Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現明顯復蘇，并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產品，一種是DRAM（動態隨機存儲器），用于緩存，另一種是NAND
Flash（閃存），用于數據的存儲。在DRAM領域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業把控了全球主要市場份額。NAND
Flash市場則由三星、凱俠、西部數據、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預期今
關鍵字：
美光科技 DRAM NAND
11月1日消息 據韓媒 The Lec 今日報道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價格遭遇集體暴跌。分析師認為，這是由于美國對華為的制裁所致，這加劇了存儲芯片市場價格的下跌。據市場研究公司 DRAM Exchange 上個月 30 日的統計，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價格下降 8.9%。這與八月和九月連續第二個月保持平穩的情況形成了對比，就
NAND 閃存而言，128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲（MLC）
關鍵字：
內存 DRAM
根據IC Insights的分析報告，DRAM內存芯片在今年底之前將繼續呈現下滑態勢。簡單回顧下，內存跌價大致是從2018下半年開始，2019年12月均價一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠程學習等推動了PC等設備的需求增長，內存價格有所小幅反彈，但持續的時間并不長。6月份DRAM均價是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來說，三四季度是DRAM價格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無論是廠商還是個人消費者，其季節性的購買行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
關鍵字：
內存 DRAM
SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標準，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產品，尤其適用于大數據、人工智能、機器學習等領域。 圖1. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM 圖2. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM SK海力士于2018年1
關鍵字：
SK海力士 DDR5 DRAM
擱淺2年多的成都格芯廠，在今年5月正式宣布停業4個多月之后，終于迎來了接盤者————成都高真科技有限公司（以下簡稱“高真科技”），并有望轉產DRAM內存芯片。根據企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊資本51.091億元人民幣。經營范圍包括：“銷售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產品、電子產品、機械設備、計算機、軟硬件及其輔助設備；存儲器及相關產品、電子信息的技術開發；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開發；質檢技術服務（不含進出口商品檢驗鑒定、認證機構、民用核安全設備無損檢驗、
關鍵字：
格芯成都 DRAM
前言人工智能/機器學習（AI/ML）改變了一切，影響著每個行業并觸動著每個人的生
活。人工智能正在推動從5G到物聯網等一系列技術市場的驚人發展。從2012年到
2019年，人工智能訓練集增長了30萬倍，每3.43個月翻一番，這就是最有力的證
明。支持這一發展速度需要的遠不止摩爾定律所能實現的改進，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機硬件和軟件的各個方面都需要不斷的快速改進。從2012年至今，訓練能力增長了30萬倍內存帶寬將成為人工智能持續增長的關鍵焦點領域之一。以先進的駕駛員輔助系
關鍵字：
ADAS ML DRAM 內存
實現DRAM量產后，預計生產新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產品 憑借更快更薄的產品搶占移動設備市場，下一步進軍汽車電裝市場 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產線正式開工，首發量產產品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節）LPDDR5移動DRAM，開創業界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產線的建筑面積達12.89萬平方米（
關鍵字：
EUV10 納米級 LPDDR5 DRAM
三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產線已開始量產業界首款采用極紫外光（EUV）技術的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動產品內置內存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業提升到了一個新的門檻，克服了先進節點下DRAM擴展的主要發展障礙。"三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線占地超過128900平方米，相當于約16個足球場，是迄今為止全
關鍵字：
三星 LPDDR5 DRAM
cxl dram介紹
您好，目前還沒有人創建詞條cxl dram!
歡迎您創建該詞條，闡述對cxl dram的理解，并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473