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        cxl dram 文章 最新資訊

        iSuppli:08年3月前全球DRAM銷售恐減緩

        •   5月29日消息,美國研究機構(gòu)iSuppli表示,到2008年3月以前,全球DRAM銷售將減緩,出貨增長將壓低價格。   iSuppli今天在韓國首爾的科技會議上發(fā)表聲明指出,全球DRAM到明年3月以前將持續(xù)減緩。   iSuppli指出,2010年全球DRAM銷售將由去年的339億美元增至457億美元。
        • 關鍵字: DRAM  iSuppli  存儲器  

        DRAM廠減產(chǎn) DRAM售價瀕臨變動成本

        • 近來對于所有DRAM廠來說都面臨慘不忍睹的情況,原因在于DRAM售價重挫,幾乎已到了寧可關廠不做生意的階段。DRAM廠已展開一波自救計劃,部分DRAM廠已正式啟動產(chǎn)能調(diào)配計劃,希望通過這樣動作來減少虧損,也因為DRAM廠已開始減產(chǎn),DRAM廠認為第三季度應該可以見到減產(chǎn)后對于整體DRAM供需平穩(wěn)成效。 過去幾個月以來全球DRAM售價不斷出現(xiàn)暴跌,雖說目前價格略微回穩(wěn),不過整體來說DRAM廠還是面臨到嚴重虧損壓力,DRAM廠坦承這樣的售價幾乎已是跌到DRAM廠采用12英寸廠90納米工藝技術時所需的變動成本,
        • 關鍵字: DRAM  成本  消費電子  存儲器  消費電子  

        三大DRAM廠商瘋狂擴產(chǎn) 致內(nèi)存價崩潰

        •   據(jù)業(yè)界消息稱,由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導體(Hynix Semiconductor Inc.)等三家內(nèi)存廠商提高了DRAM的產(chǎn)量,因此DRAM內(nèi)存價格近期出現(xiàn)大幅下跌。   據(jù)悉,這三家廠商紛紛調(diào)整調(diào)整產(chǎn)能,將之前生產(chǎn)其它類型產(chǎn)品的生產(chǎn)線全部轉(zhuǎn)而生產(chǎn)DRAM內(nèi)存。據(jù)預測,07年第二季度受上述三家廠商產(chǎn)能調(diào)節(jié)影響,全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)量將增長20-30%。   美光科技由于預測07年受手機市場帶動,CIS(C
        • 關鍵字: DRAM  擴產(chǎn)  存儲器  

        海力士半導體預期DRAM產(chǎn)業(yè)將在今年7-8月起好轉(zhuǎn)

        •   5月16日,據(jù)香港媒體報道,海力士半導體高層主管今日表示,公司正處于電腦芯片不景氣的低潮期,但是有望在7月或者8月開始得到好轉(zhuǎn)。   海力士策略規(guī)劃資深副總裁O.C. Kwon對媒體表示,目前,移動存儲設備的價格尚沒有止跌,但是希望下半年通過供需的改善,需求應該會快速成長。   2006年,由于電腦存儲芯片需求超過預期,導致制造商將更多的產(chǎn)能投入其中,最后導致供過于求。除了供需失衡影響外,微軟的Vista系統(tǒng)的相關新需求也令這些廠商們失望。
        • 關鍵字: DRAM  海力士半導體  存儲器  

        DRAM價格或?qū)⒂|底,NAND供應商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品

        • 據(jù)Dramexchange消息,4月下半月的DRAM合約價格下跌到了20美元左右,這也影響到了現(xiàn)貨市場的價格走勢。面向2007年下半年PC銷售旺季,PC廠商將增加庫存,預計DRAM需求將隨之增長。因此,DRAM價格可能在2007年下半年觸底。價格持續(xù)下滑,已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移,以及提高1GB芯片的出貨量,將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績的兩大因素。由于需求仍然疲軟,現(xiàn)貨市場的價格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近,DDR2 eTT跌到
        • 關鍵字: DRAM  NAND  內(nèi)置產(chǎn)品  消費電子  存儲器  消費電子  

        全球12吋DRAM廠版圖擴大 亞洲成為戰(zhàn)略重地

        • 全球DRAM產(chǎn)業(yè)版圖在奇夢達(Qimonda)正式對外宣布,將在未來5年出資20億歐元,在亞洲地區(qū)自行興建第1座12吋廠,自此可說全球DRAM大廠從東北亞到東南亞均已到場卡位,其中,北有爾必達(Elpida)、三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix),中有臺灣DRAM四寶及大陸中芯,南則有美光(Micron)、奇夢達,全球各大DRAM廠幾乎都在亞洲建先進廠。 奇夢達26日表示,未來5年內(nèi)將在新加坡花費高達20億歐元興建12吋廠,奇夢達全球總裁暨執(zhí)行長羅建
        • 關鍵字: 12吋  DRAM  消費電子  亞洲  戰(zhàn)略重地  存儲器  消費電子  

        Hynix勢頭迅猛 三星DRAM冠軍寶座岌岌可危

        • 4月28日消息,據(jù)國外媒體報道,權(quán)威調(diào)研機構(gòu)Gartner日前指出,三星在全球DRAM市場的份額已降至7年來的最低點,可能被競爭對手Hynix超越。 據(jù)Gartner的初步報告顯示,今年第一季度,三星全球DRAM市場份額已降至25.5%,比第二名的Hynix僅高出2.7個百分點。這是自2000年以來,三星在DRAM市場表現(xiàn)最糟糕的一次。  在過去的五年中,三星的DRAM市場份額平均比第二名高出17%。相比之下,競爭對手Hynix的市場份額達到了22.8%。銷售額達到了21.82億美元,同比增長6
        • 關鍵字: DRAM  Hynix  三星  消費電子  存儲器  消費電子  

        DRAM內(nèi)存可能被淘汰 PRAM才是正道

        •   4月19日消息,據(jù)國外媒體報道,英特爾日前表示,其所開發(fā)的相變隨機存取存儲器(PRAM)有潛力取代當前的DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)。   在日前于北京召開的“英特爾信息技術峰會(IDF)”上,英特爾首席技術官Justin Rattner展示了新型PRAM內(nèi)存,并表示,PRAM有潛力取代當前的DRAM。   Rattner還稱,英特爾開發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據(jù)悉,PRAM是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品,它集DRAM內(nèi)存的高速存取,以及閃存在關閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體,因此被業(yè)界視為未來D
        • 關鍵字: DRAM  PRAM  存儲器  

        4月DRAM合約價格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本

        • 據(jù)臺灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù),4月上旬DRAM內(nèi)存價格繼續(xù)下滑,而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。 據(jù)IDG新聞社報道,運營著一個在線DRAM市場的集邦科技稱,最常用的DRAM內(nèi)存,即512Mb 667MHz DDR2的合約價格4月又下降了16.7%,每芯片價格已經(jīng)降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進行買賣。最新的報價來自4月上旬的合約價格,它們顯示出DR
        • 關鍵字: DRAM  消費電子  存儲器  消費電子  

        4月DRAM合約價格繼續(xù)下滑 已突破生產(chǎn)商成本

        •   4月11日消息,據(jù)臺灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù),4月上旬DRAM內(nèi)存價格繼續(xù)下滑,而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。   據(jù)IDG新聞社報道,運營著一個在線DRAM市場的集邦科技稱,最常用的DRAM內(nèi)存,即512Mb 667MHz DDR2的合約價格4月又下降了16.7%,每芯片價格已經(jīng)降至2.50美元。   大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進行買賣。最新的報價來
        • 關鍵字: DRAM  成本  合約價格  存儲器  

        揚長補短發(fā)展FeRAM

        •   存儲器在半導體行業(yè)就是一塊萬能膏藥,或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件,有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分,它們各有所長,應用領域也因這一特性而是涇渭分明。   易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM,SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù),但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM(只讀存儲器)技術,包
        • 關鍵字: DRAM  FeRAM  RAM  SRAM  存儲器  

        印度半導體離中國還很遠

        • 29年前,美國愛達荷州,三個年輕人在一間牙醫(yī)診所的倉庫里,無意中開始了一個名叫DRAM的芯片設計生意。發(fā)展到今天,便是年銷售額高達52.6億美金的半導體企業(yè)——美光公司。 3月21日,美光正式啟動了其在中國投資的第一家制造工廠。這座位于西安高新技術開發(fā)區(qū)的封裝測試廠,總投資2.5億美金。 美光公司總裁兼首席執(zhí)行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項目啟動典禮間隙,接受了本報記者專訪。這位年輕的CEO是個典型的冒險家,擁有多架私人表演式飛機,喜歡在空中做俯沖動作。
        • 關鍵字: DRAM  單片機  嵌入式系統(tǒng)  存儲器  

        美光科技公司在中國啟動新制造工廠

        •     2007年3月21日, 中國西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安啟動一家新的制造工廠。這家工廠是美光公司在中國的第一家制造工廠,它將主要負責生產(chǎn)DRAM、NAND閃存和CMOS圖像傳感器在內(nèi)的半導體產(chǎn)品的封裝測試。  為此,美光公司舉行了西安工廠的落成儀式,參加儀式的有政府官員和行業(yè)代表。這家工廠預計將于2008年底全部建成,總投資將達到2.5億美元,所需員工超過2000名。該工廠是美光公司在亞洲的第二家封裝測試工廠,其第一家封裝測試工廠于1998年在新
        • 關鍵字: DRAM  美光  存儲器  

        DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍

        •   DRAM 8英寸線將逐漸退出   隨著半導體工藝制程技術的進步,90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴大,首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現(xiàn)。   臺灣力晶半導體的黃崇仁表示,2006年是轉(zhuǎn)折點,DRAM中的8英寸芯片性價比已不具有優(yōu)勢,一批較早的8英寸芯片廠,已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲器。   臺灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認為,五大集團三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達主導了全球的DRAM業(yè),全球DRAM(動態(tài)隨機存儲器)應用中,有
        • 關鍵字: 8英寸  DRAM  IC制造  單片機  理性突圍  嵌入式系統(tǒng)  存儲器  

        DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍

        •   推動全球半導體工業(yè)進步的兩個輪子,一個是縮小特征尺寸,另一個是增大硅片直徑,通常總是以不斷地縮小特征尺寸為先。如今,全球正進入12英寸,65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮,業(yè)界正在為何時進入18英寸硅片生產(chǎn)展開可行性討論。在此前提下,業(yè)界關心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀,以及何時將退出歷史舞臺。縱觀全球半導體業(yè)發(fā)展的歷史過程,進入8英寸硅片時代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右,所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時段,顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開始上升。    &
        • 關鍵字: 8英寸  DRAM  IC  存儲器  
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