關于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細梳理一下，也許對于您的知識系統更加全面。下面是對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料。 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。 1、MOS管種類和結構 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N
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MOSFET 驅動電路
進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組成部分，你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規范，并且需要選擇一些 FET。另外，如果你是一名 IC 設計人員，你還會有一定的預算，其規定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后，這些輸入可用于對各個 FET 面積進行效率方面的優化。
圖 1 傳導損耗與 FET 電阻比和占空比相關
首先，FET 電阻與其面積成反比例關系。
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MOSFET
最后，我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數據表的“看懂MOSFET數據表”博客系列的收尾部分。在這個博客中，我們將花時間看一看MOSFET數據表中出現的某些其它混合開關參數，并且檢查它們對于總體器件性能的相關性(或者與器件性能沒什么關系)。
另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復電荷(Qrr) 等開關參數是造成很多高頻電源應用中大部分FET開關損耗的關鍵因素。不好意思，我說的這些聽起來有點兒前言不搭后語，不過設計人員在根據這些參數比較不同
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MOSFET 二極管
在《估算熱插拔 MOSFET 的瞬態溫升——第 1 部分》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網絡的各種電壓代表各個溫度。 本文中，我們把圖 1 所示模型的瞬態響應與圖 3 所示公開刊發的安全工作區域(SOA 曲線)部分進行了對比。
圖 1 將散熱容加到&nb
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MOSFET 電路板
在本文中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。 熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。通過使用一個串聯組件逐漸延長新連接電容負載的充電時間，熱插拔器件可以完成這項工作。結果，該串聯組件具有巨大的損耗，并在充電事件發生期間產生溫升。大多數熱插拔設備的制造廠商都建議您查閱安全工作區域 (SOA) 曲線，以便設備免受過應力損害。圖 1 所示
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MOSFET
今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實的。好，也許一個比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON)?和柵極電荷等參數的方法測量出來的，而是被計算出來的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值。 例如，大多數部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個值同與周圍環境無關，并且是硅芯片與塑料封裝之間內在連接線的一個函數。超過這個值不會立即對FET造成損壞，而在這個限值以上長時間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個限值的故障機制包括但不限于線路融合、成型復合材料的熱降
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MOSFET
本文總結了場效應管(MOSFET)檢測方法與經驗 一、用指針式萬用表對場效應管進行判別 (1)用測電阻法判別結型場效應管的電極 根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極，另一只表筆
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場效應管 MOSFET
在看到MOSFET數據表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼，也一目了然，其它的一些參數會十分的含糊不清、模棱兩可，而其它的某些參數自始至終就毫無用處(比如說：開關時間)。在這個即將開始的博文系列中，我們將試著破解FET數據表，這樣的話，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應用來說，是最常見的數據，而不會被不同的生產商為了使他們的產品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。
自從20世紀80年代中期在MOSFET 數據表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關 (UIS) 額定值就已經被
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MOSFET UIS
提出了一種小型可調壓DC-DC降壓變換器的結構。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構成。通過PWM波控制，由于PWM波的驅動能力較差，設計驅動電路通過與PWM發生器一同控制MOSFET管的通斷。通過改變PWM波的占空比來改變輸出電壓以達到可調壓的目的。該降壓變換器設計簡單、經濟適用、體積較小，輸出電壓可調。主要由主電路和驅動電路組成。該變換器適用于較低壓工作場合，輸入電壓在5V至20V之間，輸出電壓在3V至18V之間。對電路的工作原理和結構進行了深入分析，并通過實物制作驗證其可行性。
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DC-DC降壓 PWM MOSFET 驅動電路 201601
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證，采用意法半導體最先進、內置快速恢復二極管的MDmeshTM DM2超結制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。 400V和500V兩款新產品是市場上同級產品中首個獲得AEC-Q101認證的功率MOSFET，而600V和650V產品性能則高于現有競爭產品。全
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意法半導體 MOSFET
在溫度高達 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環境應用中，集成型降壓解決方案可充分滿足系統需求。有許多應用需要負輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅動器電路供電或者為運算放大器實現偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉換器，提供負輸出電壓。此外，我們還將討論如何通過提供高于輸入壓的電壓來滿足應用需求。 TPS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質、重工業以及油氣應用等惡劣環境開發的集成型同步降壓轉換器解決方
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MOSFET TPS50601-SP 電壓隔離
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出符合國際零待機功耗標準的新電源管理芯片，率先為白色家電(white good)、照明及工業設備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關掉或處于閑置狀態時仍在消耗電能)將不復存在。
最大限度降低用電設備的待機耗電量(也稱：電能吸血鬼)是設計人員長期努力的目標，這也推動了全世界啟用IEA[1]等國際組織提出的節能建議，即在2010年和2013年前將電器待機功耗分別降至1W和0
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意法半導體 MOSFET
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化，同時提升工作穩健性和安全系數。MDmeshTM K5產品是世界首款兼備超結技術優點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。
新產品瞄準計算機服務器及工業自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩健性是最大限度減少斷電停機時間的關鍵要素，電焊、工廠自
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意法半導體 MOSFET
Wolfspeed (原CREE Power產品)推出業界首款900V SiC MOSFET系列產品，拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產品的新市場通過擴大我們在終端系統解決功率范圍。該系列產品提供了更高的開關速率和更低的開關損耗，從而為電力電子工程師們提供了設計出更小，更快，更酷，更高效的電源解決方案可能。
新的900V SiC MOSFET系列產品極大的擴大了產品應用空間，能夠更好的應對不斷發展變化的應用領域，更高的直流母線電壓可以覆蓋
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Wolfspeed MOSFET
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
SiC與Si性能對比
簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
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SiC MOSFET
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