coolsic mosfet 文章 最新資訊
碳化硅邁入新時代 ST 25年研發突破技術挑戰
- 1996年，ST開始與卡塔尼亞大學合作研發碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動汽車。為了慶祝ST研發SiC 25周年，我們決定探討 SiC在當今半導體行業中所扮演的角色，ST的碳化硅研發是如何取得成功的，以及未來發展方向。Exawatt的一項研究指出，到2030年， 70%的乘用車將采用SiC MOSFET。這項技術也正在改變其他市場，例如，太陽能逆變器、儲能系統、服務器電源、充電站等。因此，了解SiC過去25年的發展歷程是極其重要的，對今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅：半導體行業如何克服技術
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Maxim Integrated發布來自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅動器，可最大程度地延長電池壽命并將元件數量減半
- TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅動器，有效簡化無刷直流(DC)電機驅動設計，并最大程度地延長電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅動器為每相集成了低邊檢流放大器，構成完備的電機驅動方案；與同類產品相比元件數量減半，且電源效率提高30%，大幅簡化設計。TMC6140-LA針對較寬的電壓范圍進行性
- 關鍵字： MOSFET
簡易直流電子負載的設計與實現*
- 隨著電力電子技術的飛速發展，傳統負載測試電源性能的方法在高科技產品的生產中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統負載測試方法存在功耗較大、效率與調節精度低、體積大等問題，設計并制作一款適合隨頻率、時間變化而發生改變的被測電源的簡潔、實用、方便的直流電子負載。系統主要由STC12C5A60S2單片機主控、增強型N溝道場效應管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實現了在一定電壓與電流范圍內恒壓恒流任意可調，并通過LCD12864液晶顯示屏顯示被測電源的電壓值、電流值及相應的設定值
- 關鍵字： STC12C5A60S2單片機 恒流恒壓 IRF3205 負載調整率 202105 MOSFET
瑞能半導體舉行CEO媒體溝通會
- 近日，瑞能半導體CEO Markus Mosen（以下簡稱Markus）的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導體全球市場總監Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導體自2015年從恩智浦分離出后，從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中，在六年內保持的相當規模的成長，并取得的驕人成績；結合瑞能半導體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產品，明確了在碳化硅器件行業內的領先地位；在分享后續發展策略的同時，強調了瑞能半導體未來
- 關鍵字： MOSFET
原廠MOSFET價格一年漲3倍：還會繼續漲價
- 相比去年，已有多款MOSFET產品漲價幅度超過3倍，而供貨周期也無限延長。由于缺貨的確定短期內得不到解決，有業內人士認為下半年該產品依舊會漲價。芯研所7月24日消息，自2020年以來，在供需層面多種因素的疊加作用下，功率器件MOSFET價格持續大漲。近日由于馬來西亞、臺灣等地區新冠肺炎疫情延燒，導致產能下降，在過去的一個月，英飛凌、意法半導體、安森美等IDM大廠又再度將產品的價格上調了10~15%。芯研所采編目前MOSFET原廠年內訂單已全部排滿，各大MOSFET廠仍在不斷上調MOSFET價格。相比去年，
- 關鍵字： MOSFET
使用IC采樣保持放大器
- 采樣保持(S/H)功能是數據采集和模數轉換過程的基礎。S/H放大器電路有兩種不同的基本工作狀態。在第一種狀態下，對輸入信號采樣，同時傳送到輸出端（采樣）。在第二種狀態下，保持最后一個采樣值（保持），直到再次對輸入采樣。在大多數應用中，S/H用作數據采集系統中模數轉換器的“前端”。這樣使用時，S/H主要用于在執行模數轉換所需的時間段內，讓模擬輸入電壓電平保持恒定不變。具體來說，S/H是數據轉換系統必須具備的系統功能模塊，所用的模數轉換器在進行轉換期間，必須提供恒定且準確的模擬輸入。逐次逼近類型模數轉換器就是
- 關鍵字： MOSFET
大聯大品佳集團推出基于NXP產品的5G open frame解決方案
- 大聯大控股近日宣布，其旗下品佳推出基于恩智浦（NXP）TEA2206的240W 5G open frame解決方案。圖示1-大聯大品佳推出基于NXP產品的5G open frame解決方案的展示板圖當前，系統對于電源設計要求正在變得愈發苛刻。隨著能源法規不斷完善，針對效率的要求不斷提高，在電源已做到極致的情況下，單純地使用原始架構已不能滿足需求，因此必須有新一代的架構設計來滿足現行的需求。大聯大品佳針對高效率的5G電源應用，基于NXP技術推出了open frame解決方案，該方案搭載輸入端同步整流技術IC
- 關鍵字： MOSFET
硅晶體管創新還有可能嗎？ 意法半導體超結MDmesh案例研究
- 前言自從固態晶體管取代真空電子管以來，半導體工業取得了令人驚嘆的突破性進展，改變了我們的生活和工作方式。如果沒有這些技術進步，在封城隔離期間我們就無不可能遠程辦公，與外界保持聯系。總之，沒有半導體的技術進步，人類就無法享受科技奇跡。舉個例子，處理器芯片運算能力的顯著提高歸功于工程師的不斷努力，在芯片單位面積上擠進更多的晶體管。根據摩爾定律，晶體管密度每18個月左右就提高一倍，這個定律控制半導體微處理器迭代50多年。現在，我們即將到達原子學和物理學的理論極限，需要新的技術，例如，分層垂直堆疊技術。同時，我們
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