REF-DAB11KIZSICSYS是一個CLLC諧振DC/DC轉換器板，能夠提供高達11kW的800 V輸出電壓，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性價比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開關特性，是電動汽車和能量存儲系統（ESS）等DCDC項目的理想選擇。 終端應用產品30 kW 至 150 kW 的充電機，50 kW 至 350 kW 的充電機，儲能系統，電動汽車快速充電，功率轉換系統 （PCS）?場景應用
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mosfet dc-dc 英飛凌 ipcdcdc infineon 終端 功率 dc 充電器
智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新換代，功能越來越豐富，隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰。然而，在現有電池能量密度還未取得突破性進展的背景下，人們開始探索更快的電量補給，以高效充電來壓縮充電時間，降低充電的時間成本，從而換取設備的便攜性，提升用戶體驗。目前，USB-PD是最為主流的快充技術。該技術標準具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規格，以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設備都能通過一條USB-TYPE C線纜
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上海貝嶺 驅動IC MOSFET
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時
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羅姆半導體，MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。 新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
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東芝 SiC MOSFET
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC?產品被總部位于臺灣的全球領先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用，使得臺達電子向著利用綠色電力實現能源轉型和碳中和的目標邁出了一大步。臺達成功開發出了雙向逆變器，即一個由太陽能發電、儲能和電動汽車（EV）充電組成的三合一混合系統，它能夠將電動汽車作為家庭應急備用電源。 這款雙向逆變器可用于為電動汽車（EV）和家用電池充電，還能作為意外停電時的備用電源，以及高效綠色能源發電設備的核心組件。該雙向逆變器搭
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英飛凌 CoolSiC 雙向逆變器 備用電源
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關
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Nexperia 晶圓級 MOSFET
本文介紹最新的驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優勢。單片DrMOS器件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。引言隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩壓器模塊(VRM)提供。在該領域，推動穩壓器發展的主要有兩個參數。首先是穩壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數是功率轉換效率
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ADI MOSFET 電源系統設計
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進一步，Nexperia成功地將該封裝技術運用到MOSFET產品組合中，成為行業競爭的領跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設備和可聽戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學習(ML)技術，這為產品設計帶來了若干挑戰。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著
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Nexperia MOSFET
電源管理系統要實現高能源轉換效率、完善可靠的故障保護，離不開高性能的開關器件。近日，豪威集團全新推出兩款MOSFET：業內最低內阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。 WNMD2196A 超低Rss(ON)，專為手機鋰電池保護設計近幾年，手機快充技術飛速發展，峰值充電功率屢創新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時，高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護開關的作用，其本身對功率的損耗也必須足夠低才能
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豪威集團 MOSFET
米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應，硬開關逆變器通常采用負柵極電壓關斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當的柵極電壓是設計所有柵極驅動電路的關鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術，設計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關斷電壓僅需確保器件保持安全關斷即可。英飛凌鼓勵設計人員在0V下關斷分立式MOSFET，從而簡化柵極驅動電路。為此，本文介紹了
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英飛凌 MOSFET
過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。引言過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。經過不斷研究和持續優化，現在，全新推出的CoolSiC? MO
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英飛凌 MOSFET
隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
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富昌電子 SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅動IC產品中新增五款適用于可穿戴設備等移動電子設備的產品。該系列的新產品配備了過電壓鎖定功能，能根據輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
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MOSFET 柵極驅動
導讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關速度，相比IGBT可明顯降低器件開關損耗，提升系統效率和功率密度；但是高速的開關切換，也產生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。應用痛點氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉速高達10萬轉以上，輸出頻率可達2000Hz，調制頻率50kHz以上是常見的設計，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會造成空壓機線包發熱和電機軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
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英飛凌 MOSFET 2L-SRC
_____開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一，由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開關過程波形至關重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度，同時還能夠降低系統成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關器件的一個重要區別是它
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Tektronix SiC MOSFET
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