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        cmos-led 文章 最新資訊

        讓節能燈具面向未來:ST推出低失真高壓LED驅動器

        • 意法半導體發布,HVLED007 AC/DC LED驅動器采用新的失真抑制輸入電流整形(ICS)電路,使節能型固態燈具符合日益嚴格的照明規定。HVLED007是一個峰值電流模式PFC控制器,為隔離式高功率因數準諧振反激式轉換器專門設計,ICS電路確保電網輸入電流是真正的正弦交變電流,在整個負載和輸入電壓范圍內,輸入電流總諧波失真(THD)極低,在滿負荷時低于5%。功率因數接近1,最高能效高于90%,HVLED007允許設計人員僅用一個控制IC驅動多個高達80W的中高功率LED照明燈具。HVLED007完善
        • 關鍵字: LED  驅動器  

        航嘉即將亮相2019第十六屆上海國際LED展

        • ?LED CHINA,創辦于2005年,是全球開創最早的LED產業專題展會,被公認為LED行業發展“風向標”盛會。作為傳統廣告標識和高端數字顯示、數字標牌等完整產業鏈展示平臺,每年吸引超過120個國家的高端國際買家前來參觀采購。2018年展會共吸引來自全球121個國家的33,624名專業觀眾,其中,美國、韓國等地買家連續4年增長超過20%,南美地區買家2018年增長達22%。??? 2019年第十六屆上海國際LED展(以下簡稱LED展),即將于2019年9月18-2
        • 關鍵字: 電源  LED  

        上海松江產LED晶圓倒片機將進入規模產線運行

        • 由上海福賽特智能設備有限公司獨立研發的LED半導體晶圓倒片機將于年內在三安生產線投入量產運營。該設備用于LED外延工藝,可實現晶圓從原料倉至PVD工序間,以及PVD工序到MOCVD間的周轉。
        • 關鍵字: 上海  LED  晶圓  

        實現可編程LED驅動器更簡單的方法

        • 為響應新能源法規的要求,LED正越來越多地被用作節能光源。與傳統燈具相比,它們具有決定性優勢:能耗更低,壽命更長,并且有各種顏色可供選擇。例如,借助LED,世界上最大的教堂——羅馬圣彼得大教堂,現在得以呈現于全新燈光下。通過智能控制系統,即使是其重要藏品最小的細節也可以通過預設的照明場景進行一一呈現。這些數字控制系統集成了可編程LED驅動器,因此可按需激活LED。圖1顯示了一個3通道LED驅動器配置的示例。數模轉換器(DAC)(在本例中為ADI公司的AD5686)的三個輸出電壓中的每一個都控制一個電壓-電
        • 關鍵字: LED  驅動器  可編程  

        超低功耗、無頻閃、無可聞噪聲的中高功率智能照明雙輸出調光方案

        • 智能照明是智能家居、智能建筑等物聯網(IoT)細分領域中的關鍵構建塊,通過智能地按需照明實現節能省電,涉及LED驅動、智能調光、通信等技術。本文將介紹安森美半導體針對中高功率應用的一個智能照明雙輸出調光方案,采用寬輸入、混合調光的高能效FL7760降壓控制器,結合行業最低功耗的藍牙低功耗(BLE)無線電系統單芯片(SoC)評估板RSL10-002GEVB,基于可配置的快速原型平臺物聯網開發套件(IDK)或藍牙IDK (B-IDK),輕易實現高能效、超低功耗、無頻閃、無可聞噪聲的智能照明雙輸出調光方案??膳?/li>
        • 關鍵字: LED  調光  

        即使在低輸入電壓下,同步升壓型轉換器也能為大電流LED供電

        • 高功率LED在現代照明系統中的應用數量不斷激增,涵蓋汽車前照燈、工業/商業標識、建筑照明以及各種消費電子等應用。行業之所以轉向LED技術,是因為固態照明與傳統光源相比具有明顯的優勢:電能轉換為光輸出不僅效率高,而且使用壽命長。隨著越來越多的應用采用LED照明,為了提高光輸出,對LED更高電流的需求也日益增長。驅動大電流LED串的最大挑戰之一是在功率轉換器級保持高效率,從而提供穩定調節的LED電流。功率轉換器效率不高體現為電流調節器電路的開關元件引起的發熱現象。LT3762是一款同步升壓型LED控制器,旨在
        • 關鍵字: LED  控制器  

        低端芯片產能過剩 LED廠商如何應對?

        • 隨著產業鏈聚攏度增大,LED芯片也愈發向更高標準化、更大規?;内厔莅l展,需要做到規?;瘽M足差異化需求的快速低成本響應。對于LED照明市場增速放緩,低端照明芯片產能過剩的情況已經成為芯片大廠的普遍共識,LED芯片巨頭們正在加速轉向。
        • 關鍵字: 芯片  LED  廠商  

        一種基于運放失調補償的CMOS傳感讀出電路

        •   錢瑩瑩(電子科技大學?電子科學與工程學院,四川?成都?610054)  摘?要:在CMOS傳感讀出系統中,噪聲不僅來自于周圍環境,圖像傳感器自身的噪聲成為影響信噪比的一個重要因素,相關雙采樣電路是一種能夠有效消除圖像傳感器中的低頻噪聲的技術 [1] 。由于工藝生產的非均勻型,圖像傳感器列級讀出電路之間的差異會引入額外的噪聲,其中主要是固定模式噪聲。本文基于GSMC 0.13μm標準CMOS工藝,設計了基于運放失調補償的CMOS傳感讀出電路,大大降低了固定模式噪聲?! £P鍵詞:CMOS;固定模式噪聲;相
        • 關鍵字: 201908  CMOS  固定模式噪聲  相關雙采樣  失調補償  讀出電路  

        集創“芯”引領小間距時代

        • 集創北方推出的LED顯示驅動芯片ICND2069+ICND2019,不斷引領 LED加速進入P0.X時代。艾比森近日發布的IMD四合一Mini LED全系列產品在集創北方ICND2069+ICND2019加持下,開啟了共陰極高品質LED顯示新時代。?集創“芯”ICND2069+ICND2019具備以下性能優勢:ICND2069? · 基于高性能PWM平臺,支持1-64掃,在保持了優異顯示效果的同時大幅降低了小間距LED產品的功耗和溫度。? · 節能降溫。具有共陰節能、動態節能
        • 關鍵字: LED  顯示  

        Micro LED有望2021年進軍OLED小尺寸領地

        • Micro LED有望2021年進軍OLED小尺寸領地? ? ? ?新形態的Micro LED顯示器不只亮度與對比效果超越OLED,又具備反應迅速、低功耗與高可靠度特性,若成功商業化量產上市,前景可謂一片亮麗。據集邦咨詢預估,2023年Micro LED市場產值將達42億美元。然而,現階段Micro LED顯示器的最大的挑戰仍在如何降低成本。包括從生產設備的改良、檢測方式的革新以及巨量轉移的開發等。由于短期內降低成本的困難度仍大,因此多數廠商選擇投入利基型的超大尺寸
        • 關鍵字: LED  Micro  Mini  

        蘋果將采用Micro LED替代OLED

        • 據《經濟日報》報導,蘋果正為其可穿戴裝置產品導入Micro LED新顯示技術,希望最早于明年將microLED顯示屏引入其產品中,甚至有望打破韓廠壟斷的局面。
        • 關鍵字: Micro-LED  OLED屏幕  蘋果  智能手表  

        思特威推出SC8238 CMOS圖像傳感器,開啟4K消費級視頻應用新時代

        • 為應對市場需求,思特威推出了4K分辨率的SC8238 CMOS圖像傳感器。除了支持1/2.7”光學尺寸外,SC8238采用了1.5μm背照式像素技術(BSI),能夠以同級別產品中最低的功耗實現高達1160mV/Lux·s的靈敏度,比目前市場同等光學尺寸和分辨率的產品提升30%以上。
        • 關鍵字: 思特威  CMOS  傳感器  

        Micro LED大尺寸顯示量產倒數 巨量移轉技術突破成本關卡

        • Micro LED巨量轉移技術逐漸克服良率瓶頸,轉移成本將突破傳統制程的成本關卡,業界預期,電競監視器、車載顯示器等將可望成為Micro LED下一波竄起的應用商機。
        • 關鍵字: 三星電子  Sony  Micro LED  

        UV-C LED殺菌應用需求熱絡,帶動紫外線 LED市場穩定成長

        • Apr. 29, 2019 ---- 根據集邦咨詢LED研究中心(LEDinside)最新發布的「2019 深紫外線 LED 應用市場報告-殺菌、凈化與水處理市場」,受到全球景氣衰退影響,2018 年紫外線 LED 廠商營收雖未如預期的爆發成長,但仍穩定增加。在UV-C LED市場需求帶動下,預估2023年紫外線LED市場產值將達到9.91億美元,2017年至2023年CAGR達29%。LEDinside研究經理吳盈潔分析,2018年隨著日韓廠商積極耕耘紫外線LED市場,全球廠商營收排名重新洗牌
        • 關鍵字: 集邦咨詢  LED  市場  

        半導體所等在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新進展

        • 深紫外LED可以廣泛應用于殺毒、消菌、印刷和通信等領域,國際水俁公約的提出,促使深紫外LED的全面應用更是迫在眉睫,但是商業化深紫外LED不到10%的外量子效率嚴重限制了深紫外LED的應用。AlN材料質量是深紫外LED的核心因素之一,AlN薄膜主要是通過金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)的方法異質外延生長在c-藍寶石、6H-SiC和Si(111)襯底上,AlN與襯底之間存在較大的晶格失配與熱失配,使得外延層中存在較大的應力與較高的位錯密度,嚴重降低器件性能。與此同時,AlN前驅體在這類襯底上遷移勢壘較高,
        • 關鍵字: 石墨烯  半導體  LED  
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        cmos-led介紹

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