- 晶圓代工大廠聯電(UMC)日前與IBM 共同宣布，聯電將加入IBM技術開發聯盟，共同開發10納米CMOS制程技術。聯電與IBM兩家公司此次的協議，拓展了雙方于2012年簽訂14納米FinFET合作協議。
擁有IBM的支援與know-how，聯電將可持續提升其內部自行研發的14納米FinFET 技術，針對行動運算與通訊產品，提供富競爭力的低耗電優化技術。雙方計劃開發 10納米制程基礎技術，以滿足聯電客戶的需求。聯電將指派工程團隊加入位于美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10納
- 關鍵字：
聯電 CMOS
- 東京 – 東芝公司(東京: 6502)日前宣布了對于具有小面積低功率像素讀出電路的CMOS圖像傳感器的開發進展。 內置讀出電路的樣品傳感器性能是傳統傳感器的兩倍。(1)東芝于2月20日在加州舊金山舉行的 ISSCC 2013(美國電氣和電子工程師學會(IEEE)主辦的國際固態電路研討會)會議上對該產品的開發進展進行了介紹。
- 關鍵字：
東芝 CMOS 傳感器
- TTL電平：輸出高電平〉2.4V輸出低電平〈0.4V在室溫下，一般輸出高電平是3.5V輸出低電平是0.2V。最小輸入...
- 關鍵字：
CMOS 電平 電路
- （1）使用TTL集成電路注意事項 ①TTL集成電路的電源電壓不能高于＋5.5V使用，不能將電源與地顛倒錯接，否則將會因 ...
- 關鍵字：
CMOS 集成電路
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
- 關鍵字：
CMOS MEMS RF前端 雙工器
- Aptina宣布與LFoundry建立牢固的戰略合作關系，LFoundry在收購Micron的半導體制造工廠后將繼續在意大利阿韋扎諾生產CMOS圖像傳感器。LFoundry帶來了豐富的特種設備代工經驗與客戶至上的堅定理念，以此來鞏固阿韋扎諾工廠與Aptina之間長久的技術合作關系。
阿韋扎諾工廠生產的Aptina傳感器具有業界領先的性能，使制造商和終端用戶能為市場的諸多成像應用帶來差異化產品，這些應用包括智能手機、汽車、平板電腦、電視機、游戲平臺、運動相機、醫療設備和數碼相機。
- 關鍵字：
Aptina 半導體 CMOS
- 工業相機是機器視覺系統的核心部件，其本質功能完成是將光信號轉變成電信號的過程，相比于普通相機來說，具有更高 ...
- 關鍵字：
CCD CMOS 工業相機
- 基準電流源是指在模擬集成電路中用來作為其他電路電流基準的高精度、低溫度系數的電流源[1]。作為模擬集成...
- 關鍵字：
nA量級 CMOS 基準電流源
- 文中介紹了一種應用于低D類音頻功放的CMOS振蕩器結構設計，用于對音頻信號的調制。振蕩器采用內部正反饋的遲滯比較器設計，大大降低了電源電壓和環境溫度時CMOS振蕩器振蕩頻率的影響。理論分析及仿真結果表明，此CMOS振蕩器具有較高的頻率穩定性。
- 關鍵字：
CMOS 應用于 D類音頻放大器 振蕩器
- 手機是典型的紅海市場，很多歐美公司因此放棄了此塊業務，轉向工業、個人科技等利潤較高的藍海領域。而手機卻是我國本土芯片廠商活躍的地帶。
- 關鍵字：
格科 CMOS 201304
- 摘要：觸摸屏在移動設備中越來越受歡迎。但觸摸屏消耗的平均電流可能很大，從而會導致系統電池的電量快速耗盡。本文將主要探討以下內容：功耗的基礎知識、影響功耗的不同因素以及為需要提供強大性能同時節省電池使用壽命的器件設計低功耗觸摸屏系統。
- 關鍵字：
觸摸屏 CMOS CPU 201304
- 盡管在第四季度出現了高于預期的增長，2012年對于半導體市場和供應商來說仍然是慘淡的一年，前25家芯片制造商中僅有8家勉強維持收入增長——但是，9家芯片制造商遭受兩位數下滑。
根據信息及分析公司IHS(紐約證券交易所：IHS)的IHS iSuppli競爭格局分析工具(CLT)的最終結果，與2011年相比，2012年的全球半導體收入下滑了2.2%。IHS在12月份發布的初步預測報告中預計下降2.3%。最終結果的適度改善來自第四季度的同比增長，該增長稍微高于預期，最高實現了2
- 關鍵字：
LED CMOS
- 傳統模擬 X 射線成像系統以專門的感光膠片為介質，將通過的 X 射線轉變成可視圖像。為了完成這一任務，該膠片必須經過一種化學顯影過程，這個過程可能需要幾分鐘，因此推遲了開始對病人進行治療的時間。此外，顯影過程完成以后，醫療團隊可能會發現，由于 X 射線曝光不正確，該圖像需要重新攝取。
- 關鍵字：
凌力爾特 穩壓器 CMOS
- 采用標準0．18μm CMOS工藝設計制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結構的小型化片上天線。該片上天線由一根長1．6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結構構成。分別對該EBG結構以及片上天線的S11及S21進行了仿真和測試，結果表明該片上天線工作在20CHz，具有小型化的性能，同時具備三次諧波抑制的功能。
- 關鍵字：
CMOS EBG 制造 天線
cmos“介紹
您好，目前還沒有人創建詞條cmos“!
歡迎您創建該詞條，闡述對cmos“的理解，并與今后在此搜索cmos“的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
