在28nm晶片制程節點的嵌入式非揮發性記憶體競賽上，自旋力矩轉移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領先的位置。
比利時研究機構IMEC記憶體部門總監Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應28nm CMOS制程的要求。
28nm平面CMOS節點可望具有更長的壽命，以因應更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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MRAM CMOS
Sony 24日盤后公布了因熊本強震影響而一度擱置的今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月)財測，而熊本強震雖對Sony營益帶來1,150億日圓的影響，不過Sony仍預估今年度營益有望呈現增長，也帶動Sony 25日股價大漲。 根據嘉實XQ全球贏家系統報價，截至臺北時間25日上午8點18分為止，Sony飆漲5.47%至3,044日圓，稍早最高漲至3,058日圓、創4月21日以來新高水準。 不過全球智能手機成長減速，也對Sony核心事業之一的元件事業帶來沖擊，Sony也坦承嚴重錯估了使
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Sony CMOS
在工業應用中成像系統的廣泛采用持續擴展，不僅由新的影像感測器技術和產品的開發所推動，還由支援平臺的進步所推動，如電腦功率和高速數據介面。今天，成像系統的使用在各種領域很常見，如配線檢查、交通監測/執法、監控和醫療及科學成像，由于影像感測器技術的進步，使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著影像感測器現在采用電荷耦合元件(CCD)和互補式金屬氧化物半導體(CMOS)技術設計，審視這兩大平臺對于選擇最適合特定應用的影像感測器很有幫助。 電子成像技術的發展始于上世紀60年代，諾貝爾獎得主Boyle和Smit
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CCD CMOS
在研制帶處理器的電子產品時，如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結了一些方法。 一、下面的一些系統要特別注意抗電磁干擾： 1、微控制器時鐘頻率特別高，總線周期特別快的系統。 2、系統含有大功率，大電流驅動電路，如產生火花的繼電器，大電流開關等。 3、含微弱模擬信號電路以及高精度A/D變換電路的系統。 二、為增加系統的抗電磁干擾能力采取如下措施： 1、選用頻率低的微控制器： 選用外時鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比
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電磁兼容 CMOS
在比較CCD和CMOS技術時試圖確定一個“贏家”，但這真的對兩者都有損公正，因為每種技術都是獨一無二的，提供不同的終端用戶優勢，東西好不好要看怎么用。
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CCD CMOS
處理連續性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號都具有連續性，可以轉換為正弦波研究。而數字IC處理的是非連續性信號，都是脈沖方波。 模擬IC按技術類型來分有只處理模擬信號的線性IC和同時處理模擬與數字信號的混合IC。模擬IC按應用來分可分為標準型模擬IC和特殊應用型模擬 IC。標準型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調節與參考對比(VoltageRegulator/Reference)、信號界面(Interface)、數據轉換(Data
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模擬IC CMOS
本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現多余輸入端的解決方法，并且對每種情況進行了較為詳細的說明，希望大家能從本文得到有用的知識，解決輸入端多余的問題。 CMOS門電路 CMOS門電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態下，柵極無電流，所以靜態時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下方法： 與門和與非門電路 由
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CMOS TTL
D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對于音頻應用很有意義?設計一個“優質”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問題。 音頻放大器背景 音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發聲輸出元件上重新產生真實、高效和低失真的輸入音頻信號。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內具有良好的頻率響應(當驅動頻帶有限的揚聲器時頻率
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D類放大器 CMOS
在工業應用的成像系統中，CCD是采用定制的半導體工藝生產，高度優化于成像應用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉換為數字信號用于后續處理。具有高效的電子快門能力、寬動態范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內，來進行電荷——電壓轉換。這令電壓在整個器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
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成像系統 圖像傳感器 CCD CMOS 201604
TTL電平信號對于計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強型PMOS晶體管和增強型NMOS管按照互補對稱形式連接的，下面來說一下兩者的區別。 什么是TTL電平 TTL電平信號被利用的最多是因為通常數據表示采用二進制規定，+5V等價于邏輯"1"，0V等價于邏輯"0"，這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號系統，這是計算機處理器控制的設備內部各部分之間通信的標準技術。 TTL電平信號對于計算機處理器控制
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TTL CMOS
整合光子與電子元件的半導體微芯片可加快資料傳輸速度、增進效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無法廣泛應用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學柏克萊分校、科羅拉多大學和麻省理工學院研究人員發表的論文，表示已成功利用現有CMOS標準技術，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。
據HPC Wire網站報導，這顆整合7，000萬個電晶體和850個光子元件的芯片，采用商業化的45納米SOI CMOS制程制作，與現有的設計和電子設計工具均相容，因此可以大量生產。芯片內建的光電發射器和接收器
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芯片 CMOS
集成電路按晶體管的性質分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認真閱讀產品說明或有關資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個問題。 1、電源問題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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CMOS 集成電路
一.TTL TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源。 1.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.輸入高電平和輸入低電平 Uih≥2.0V，Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS電路是電壓控制器件，輸入電阻極大，對于干擾信號十分敏感，因此不用的輸入端不應開路，接到地或者電源上。CMOS電路的優點是噪聲容限較寬，靜態功耗很小。
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TTL CMOS
歐盟(E.U.)最近啟動一項為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術整合III-V族奈米半導體”(INSIGHT)研發計劃，這項研發經費高達470萬美元的計劃重點是在標準的互補金屬氧化物半導體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來的5G規格要求，以及瞄準頻寬更廣、影像解析度更高的雷達系統。
除了IBM (瑞士)，該計劃將由德國弗勞恩霍夫應用固態物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(Lund Universi
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5G CMOS
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)，進一步擴展成像方案產品陣容，推出最新的高性能CMOS數字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對消費電子產品如智能手機和平板電腦。AR1337結合高性能的SuperPD?相位檢測自動對焦(PDAF)像素技術，提供微光下300 ms或更少時間的對焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過采用其片上PDAF處理，大大簡化集成到智能手機平臺和提高相機模塊集成商生產能力，較市場上其它
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安森美 CMOS
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