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“助攻”電源設(shè)計(jì)：900V SiC MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)新低！

　　全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，該n溝道增強(qiáng)型功率器件還對(duì)高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠?qū)崿F(xiàn)下一代更小尺寸、更高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，并大幅降低了系統(tǒng)成本。C3M0065090J突破了電力設(shè)備技術(shù)，是開關(guān)模式電源(spm)、電池充電器、太陽(yáng)能逆變器，以及其他工業(yè)高電壓應(yīng)用等的電源管理解決方案。　　世強(qiáng)代理的該900V SiC具有更寬的終端系統(tǒng)功率范圍，
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Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)未來(lái)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將三分天下。　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對(duì)于電動(dòng)車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對(duì)于新一代的行動(dòng)通訊基地臺(tái)，或資料中心機(jī)房設(shè)備而言
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ROHM（羅姆）亮相第十七屆高交會(huì)電子展

　　2016年11月16日-21日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM亮相在深圳舉辦的“第十七屆高交會(huì)電子展(ELEXCON?2015)”。在本次展會(huì)上展出了ROHM所擅長(zhǎng)的模擬電源、業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子、以及能夠?yàn)镮oT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻(xiàn)的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。ROHM所帶來(lái)的高新領(lǐng)先技術(shù)、強(qiáng)勢(shì)多元化的產(chǎn)品、以及多種解決方案，受到來(lái)場(chǎng)參觀者的廣泛好評(píng)。　　ROHM模擬電源“領(lǐng)銜”業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)　　近年來(lái)，全世
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適合充電樁總線隔離，隔離電壓達(dá)到5000V的高速光耦

　　電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)在新能源背景下蓄勢(shì)待發(fā)，而充電樁、充電站的建設(shè)和管理影響著整個(gè)電動(dòng)汽車的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，是汽車商業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化過(guò)程中的重要環(huán)節(jié)。充電樁實(shí)現(xiàn)對(duì)動(dòng)力電池的快速、高效、安全、合理的電量補(bǔ)給以及更加人性化的設(shè)計(jì)是充電樁設(shè)計(jì)的基本原則要求。　　目前充電樁主要涉及到的控制管理單元包括：主控單元、電壓控制單元、電流控制單元、溫度控制單元、顯示控制單元、電池控制單元、打印控制單元。作為《電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)技術(shù)規(guī)范》認(rèn)定的標(biāo)準(zhǔn)充電控制網(wǎng)絡(luò)CAN-bus把各個(gè)控制單元連接起來(lái)，工作原理是：各個(gè)控制單元完成主控電壓、
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試看新能源汽車的“加油站”如何撬動(dòng)千億級(jí)市場(chǎng)？

　　2015年3月份，一份由國(guó)家能源局制定的草案引爆了整個(gè)新能源汽車圈，沒(méi)錯(cuò)，這份眾人期盼已久的草案就是《電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)規(guī)劃》。該草案的完成對(duì)于汽車充電設(shè)施制造商帶來(lái)說(shuō)堪稱一場(chǎng)“及時(shí)雨”。草案提到2020年國(guó)內(nèi)充換電站數(shù)量要達(dá)到1.2萬(wàn)個(gè)，充電樁達(dá)到450萬(wàn)個(gè)，這意味著一個(gè)千億級(jí)市場(chǎng)將在國(guó)內(nèi)的充電行業(yè)產(chǎn)生。　　充電樁通常被譽(yù)為新能源汽車的“加油站”，可以固定在墻壁或地面，根據(jù)不同的電壓等級(jí)為各種型號(hào)的電動(dòng)汽車充電。如圖1所示，目前的充電樁可以提
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性價(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

　　Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢撸S著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng)，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢(shì)。　　SiC與Si性能對(duì)比　　簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)為:擊穿電壓強(qiáng)度高(10倍于S
關(guān)鍵字： SiC MOSFET

如何評(píng)測(cè)CAN波形抖動(dòng)是否違規(guī)？

　　摘要：總線通訊系統(tǒng)中，每個(gè)節(jié)點(diǎn)的信號(hào)質(zhì)量都直接影響了整個(gè)總線的通訊質(zhì)量，所有保證每個(gè)節(jié)點(diǎn)都具備高度一致的信號(hào)質(zhì)量便顯得至關(guān)重要，該文將為大家細(xì)細(xì)道來(lái)，如果做好信號(hào)特征的好壞評(píng)估。　　CAN總線設(shè)計(jì)規(guī)范對(duì)于CAN節(jié)點(diǎn)的差分電平位信號(hào)特征著嚴(yán)格的規(guī)定，如果節(jié)點(diǎn)的差分電平位信號(hào)特征不符合規(guī)范，則在現(xiàn)場(chǎng)組網(wǎng)后容易出現(xiàn)不正常的工作狀態(tài)，各節(jié)點(diǎn)間出現(xiàn)通信故障。具體要求如表 1所示，為測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)“GMW3122信號(hào)特征標(biāo)準(zhǔn)”。　　　　表 1 GMW3122信號(hào)特
關(guān)鍵字： CAN CANScope

氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來(lái)選擇

　　當(dāng)人們思考電力電子應(yīng)用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料時(shí)，都會(huì)不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因?yàn)榈壔蛱蓟枋请娏﹄娮討?yīng)用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場(chǎng)研究公司Yole Développement在其報(bào)告中指出，電力電子應(yīng)用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個(gè)更大的帶隙，可以進(jìn)一步提高功率器件性能。　　　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長(zhǎng)至1.1億美元　　由碳化硅電力設(shè)備市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，n型碳化硅基
關(guān)鍵字： GaN SiC

如何確定CAN通信節(jié)點(diǎn)的波特率容忍度？

　　汽車CAN總線設(shè)計(jì)規(guī)范對(duì)于CAN節(jié)點(diǎn)的波特率容忍度有著嚴(yán)格的規(guī)定，每個(gè)節(jié)點(diǎn)都必須具備一定的波特率容忍度，才能使節(jié)點(diǎn)組合到一起后，實(shí)現(xiàn)較好的通信性能，不至于很容易就出現(xiàn)總線通訊不正常，通訊錯(cuò)誤增加。具體如表 1為汽車測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)GMW3122位寬度容忍測(cè)試條件標(biāo)準(zhǔn) 　　　　在表1所示的四種條件下，選擇被測(cè)DUT的適應(yīng)條件。使用如表 2所示的報(bào)文對(duì)DUT進(jìn)行發(fā)送，不出現(xiàn)錯(cuò)誤幀則表示通過(guò)。　　表2 測(cè)試報(bào)文　　　　所以每個(gè)廠家在產(chǎn)品加入現(xiàn)場(chǎng)的總線之前都需
關(guān)鍵字： CAN 波特率

業(yè)界首款全SiC功率模塊問(wèn)世：開關(guān)效率提升10倍

　　集LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)和并網(wǎng)逆變器等應(yīng)用。目前世強(qiáng)已獲授權(quán)代理SiC系列產(chǎn)品。　　圖：CAS300M17BM2模塊外觀圖　　世強(qiáng)代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
關(guān)鍵字： CREE SiC

性價(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

　　Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢撸S著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng)，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢(shì)。　　SiC與Si性能對(duì)比　　簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)為:擊穿電壓強(qiáng)度高(10倍于S
關(guān)鍵字：世強(qiáng) SiC

如何進(jìn)行CAN節(jié)點(diǎn)信號(hào)特征測(cè)試

　　摘要：總線通訊系統(tǒng)中，每個(gè)節(jié)點(diǎn)的信號(hào)質(zhì)量都直接影響了整個(gè)總線的通訊質(zhì)量，所有保證每個(gè)節(jié)點(diǎn)都具備高度一致的信號(hào)質(zhì)量便顯得至關(guān)重要，該文將為大家細(xì)細(xì)道來(lái)，如果做好信號(hào)特征的好壞評(píng)估。　　CAN總線設(shè)計(jì)規(guī)范對(duì)于CAN節(jié)點(diǎn)的差分電平位信號(hào)特征著嚴(yán)格的規(guī)定，如果節(jié)點(diǎn)的差分電平位信號(hào)特征不符合規(guī)范，則在現(xiàn)場(chǎng)組網(wǎng)后容易出現(xiàn)不正常的工作狀態(tài)，各節(jié)點(diǎn)間出現(xiàn)通信故障。具體要求如表 1所示，為測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)“GMW3122信號(hào)特征標(biāo)準(zhǔn)”。　　表 1 GMW3122信號(hào)特征標(biāo)準(zhǔn) 　　在以往的測(cè)
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總想說(shuō)點(diǎn)兒讓人拍案叫絕的設(shè)計(jì)

　　我一直不喜歡那些盲目崇拜老外的人，但有時(shí)還不得不對(duì)行業(yè)內(nèi)的老外，佩服得五體投地。他們也會(huì)出錯(cuò)，寫出一些亂七八糟的文章害人，但是確實(shí)有好多設(shè)計(jì)，實(shí)在精妙，讓人拍案叫絕。　　前些日子看CAN總線，那么多設(shè)備掛接在單信息總線上，都想說(shuō)話，還沒(méi)有領(lǐng)導(dǎo)，那不成一鍋粥了嗎?看懂就發(fā)現(xiàn)，原來(lái)它們給每個(gè)接入設(shè)備分配了ID號(hào)——有大小區(qū)分的身份證，靠二進(jìn)制的01級(jí)別展開無(wú)限制的競(jìng)爭(zhēng)，一下就實(shí)現(xiàn)了多個(gè)設(shè)備無(wú)領(lǐng)導(dǎo)情況下的單總線競(jìng)爭(zhēng)占用。看完后，我的感覺(jué)是美妙。這些洋鬼子，看來(lái)是聰明的，至少不比我
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業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

　　SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。該款升級(jí)版平臺(tái)，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴(kuò)展了產(chǎn)品組合，能夠應(yīng)對(duì)市場(chǎng)更新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領(lǐng)先于900V超結(jié)Si基MOSFET技術(shù)，擴(kuò)大了終端系統(tǒng)的功率范圍，在更高溫度時(shí)仍能提供低導(dǎo)通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問(wèn)題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺(tái)為電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)者提供了更多的創(chuàng)新空間，方便
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SiC功率模塊關(guān)鍵在價(jià)格，核心在技術(shù)

　　日前，碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。　　世強(qiáng)代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點(diǎn)。漏極電流方面，連續(xù)通電時(shí)
關(guān)鍵字： SiC SiC